FETs, MOSFETs

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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FETs und MOSFETs

TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
IPB35N12S3L26ATMA1

IPB35N12S3L26ATMA1

MOSFET N-CHANNEL_100+

Infineon Technologies

4,173 -
RFQ
IPB35N12S3L26ATMA1

Datenblatt

OptiMOS™ T TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 35A (Tc) 4.5V, 10V 26.3mOhm @ 35A, 10V 2.4V @ 39µA 30 nC @ 10 V ±20V 2700 pF @ 25 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-3-2
IPP60R520C6XKSA1

IPP60R520C6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3

Infineon Technologies

5,034 -
RFQ
IPP60R520C6XKSA1

Datenblatt

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 8.1A (Tc) 10V 520mOhm @ 2.8A, 10V 3.5V @ 230µA 23.4 nC @ 10 V ±20V 512 pF @ 100 V - 66W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
IRFW540ATM

IRFW540ATM

MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

Fairchild Semiconductor

16,268 -
RFQ
IRFW540ATM

Datenblatt

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 28A (Tc) 10V 52mOhm @ 14A, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 1710 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
AO6404

AO6404

MOSFET N-CH 20V 8.6A 6TSOP

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

14,345 -
RFQ
AO6404

Datenblatt

- SC-74, SOT-457 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 8.6A (Ta) 1.8V, 10V 17mOhm @ 8.5A, 10V 1V @ 250µA 17.9 nC @ 4.5 V ±12V 1810 pF @ 10 V - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-TSOP
2SJ654

2SJ654

P-CHANNL SILICON MOSFET

onsemi

14,000 -
RFQ
2SJ654

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PSMN8R5-100ESFQ

PSMN8R5-100ESFQ

MOSFET N-CHANNEL 100V 97A I2PAK

Nexperia USA Inc.

2,651 -
RFQ
PSMN8R5-100ESFQ

Datenblatt

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 97A (Tc) 7V, 10V 8.8mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 44.5 nC @ 10 V ±20V 3181 pF @ 50 V - 183W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
SI1013X-T1-GE3

SI1013X-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

Vishay Siliconix

7,574 -
RFQ
SI1013X-T1-GE3

Datenblatt

TrenchFET® SC-89, SOT-490 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 350mA (Ta) 1.8V, 4.5V 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V 450mV @ 250µA (Min) 1.5 nC @ 4.5 V ±6V - - 250mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-89-3
RF1S25N06SM9A

RF1S25N06SM9A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

4,000 -
RFQ
RF1S25N06SM9A

Datenblatt

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
SI1302DL-T1-BE3

SI1302DL-T1-BE3

MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3

Vishay Siliconix

3,003 -
RFQ
SI1302DL-T1-BE3

Datenblatt

- SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 600mA (Ta) - 480mOhm @ 600mA, 10V 3V @ 250µA 1.4 nC @ 10 V ±20V - - 280mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-70-3
NTMS4916NR2G

NTMS4916NR2G

MOSFET N-CH 30V 7.8A 8SOIC

UMW

3,000 -
RFQ
NTMS4916NR2G

Datenblatt

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FDS8878

FDS8878

MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC

UMW

3,000 -
RFQ
FDS8878

Datenblatt

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
G2014

G2014

N20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<11M

Goford Semiconductor

2,940 -
RFQ
G2014

Datenblatt

TrenchFET® 6-WDFN Exposed Pad Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 14A (Tc) 2.5V, 10V 7mOhm @ 5A, 10V 900mV @ 250µA 17.5 nC @ 4.5 V ±12V 1710 pF @ 10 V - 3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-DFN (2x2)
IRLML6401

IRLML6401

12V 4.3A [email protected],4.3A 1.3W 950

UMW

2,807 -
RFQ
IRLML6401

Datenblatt

UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 4.3A (Ta) 1.8V, 4.5V 50mOhm @ 4.3A, 4.5V 950mV @ 250µA 15 nC @ 5 V ±8V 830 pF @ 10 V - 1.3W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
RSE002P03TL

RSE002P03TL

MOSFET P-CH 30V 200MA EMT3

Rohm Semiconductor

2,734 -
RFQ

-

- SC-75, SOT-416 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 200mA (Ta) 4V, 10V 1.4Ohm @ 200mA, 10V 2.5V @ 1mA - ±20V 30 pF @ 10 V - 150mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount EMT3
FDD6690S

FDD6690S

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

2,500 -
RFQ
FDD6690S

Datenblatt

PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 40A (Ta) 10V 16mOhm @ 10A, 10V 3V @ 1mA 24 nC @ 10 V ±20V 2010 pF @ 15 V - 1.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
FDD8780

FDD8780

MOSFET N-CH 25V 35A DPAK

UMW

2,500 -
RFQ
FDD8780

Datenblatt

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
ISL9N306AD3ST

ISL9N306AD3ST

MOSFET N-CH 30V 50A DPAK

UMW

2,500 -
RFQ
ISL9N306AD3ST

Datenblatt

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRFR024NTR

IRFR024NTR

MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

UMW

2,500 -
RFQ
IRFR024NTR

Datenblatt

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRFR9024NTR

IRFR9024NTR

MOSFET P-CH 55V 11A DPAK

UMW

2,500 -
RFQ
IRFR9024NTR

Datenblatt

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
GT6K2P10KH

GT6K2P10KH

MOSFET P-CH 100V 4.3A TO-252

Goford Semiconductor

2,310 -
RFQ
GT6K2P10KH

Datenblatt

SGT TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4.3A (Tc) 10V 670mOhm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V 247 pF @ 50 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
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