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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    FDD6680AS

    FDD6680AS

    MOSFET N-CH 30V 55A DPAK

    UMW

    		 2,500 -
    RFQ
    		FDD6680AS

    Datenblatt

         		* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NDT456P

    NDT456P

    MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT223

    UMW

    		 2,500 -
    RFQ
    		NDT456P

    Datenblatt

         		* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IRLR120NTR

    IRLR120NTR

    MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

    UMW

    		 2,500 -
    RFQ
    		IRLR120NTR

    Datenblatt

         		* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTD24N06LT4G

    NTD24N06LT4G

    MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

    UMW

    		 2,500 -
    RFQ
    		NTD24N06LT4G

    Datenblatt

         		* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTD25P03LG

    NTD25P03LG

    MOSFET P-CH 30V 25A DPAK

    UMW

    		 2,500 -
    RFQ
    		NTD25P03LG

    Datenblatt

         		* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTD4860NT4G

    NTD4860NT4G

    MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A DPAK

    UMW

    		 2,500 -
    RFQ
    		NTD4860NT4G

    Datenblatt

         		* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    G3K8N15KE

    G3K8N15KE

    MOSFET N-CH ESD 150V 6A TO-252

    Goford Semiconductor

    		 2,450 -
    RFQ
    		G3K8N15KE

    Datenblatt

         		TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 6A (Tc) 4.5V, 10V 370mOhm @ 2A, 10V 2.5V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 549 pF @ 75 V - 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    RFP2N15

    RFP2N15

    N-CHANNEL, MOSFET

    Harris Corporation

    		 2,411 -
    RFQ
    		RFP2N15

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 2A (Tc) 10V 1.75Ohm @ 2A, 10V 4V @ 250µA - ±20V 200 pF @ 25 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    RFP50N06R4034

    RFP50N06R4034

    50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL

    Harris Corporation

    		 2,400 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    BUK9510-55A,127

    BUK9510-55A,127

    MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

    NXP USA Inc.

    		 6,471 -
    RFQ
    		BUK9510-55A,127

    Datenblatt

         		TrenchMOS™ TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 25A, 10V 2V @ 1mA 68 nC @ 5 V ±15V 4307 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IPI70N10S3L12AKSA1

    IPI70N10S3L12AKSA1

    MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3

    Infineon Technologies

    		 3,088 -
    RFQ
    		IPI70N10S3L12AKSA1

    Datenblatt

         		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 70A (Tc) 4.5V, 10V 12.1mOhm @ 70A, 10V 2.4V @ 83µA 80 nC @ 10 V ±20V 5550 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
    HUF75329D3

    HUF75329D3

    MOSFET N-CH 55V 20A IPAK

    Fairchild Semiconductor

    		 1,792 -
    RFQ
    		HUF75329D3

    Datenblatt

         		UltraFET™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 20A (Tc) 10V 26mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 65 nC @ 20 V ±20V 1060 pF @ 25 V - 128W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    FQI6N50TU

    FQI6N50TU

    MOSFET N-CH 500V 5.5A I2PAK

    Fairchild Semiconductor

    		 1,650 -
    RFQ
    		FQI6N50TU

    Datenblatt

         		QFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5.5A (Tc) 10V 1.3Ohm @ 2.8A, 10V 5V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±30V 790 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 130W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
    IPS80R750P7AKMA1

    IPS80R750P7AKMA1

    MOSFET N-CH 800V 7A TO251-3

    Infineon Technologies

    		 2,028 -
    RFQ
    		IPS80R750P7AKMA1

    Datenblatt

         		CoolMOS™ P7 TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 7A (Tc) 10V 750mOhm @ 2.7A, 10V 3.5V @ 140µA 17 nC @ 10 V ±20V 460 pF @ 500 V - 51W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
    FQB3N60CTM

    FQB3N60CTM

    MOSFET N-CH 600V 3A D2PAK

    Fairchild Semiconductor

    		 1,376 -
    RFQ
    		FQB3N60CTM

    Datenblatt

         		QFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3A (Tc) 10V 3.4Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±30V 565 pF @ 25 V - 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    SPI21N10

    SPI21N10

    MOSFET N-CH 100V 21A TO262-3

    Infineon Technologies

    		 6,875 -
    RFQ
    		SPI21N10

    Datenblatt

         		SIPMOS® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 21A (Tc) 10V 80mOhm @ 15A, 10V 4V @ 44µA 38.4 nC @ 10 V ±20V 865 pF @ 25 V - 90W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3-1
    FQP44N08

    FQP44N08

    MOSFET N-CH 80V 44A TO220-3

    Fairchild Semiconductor

    		 1,147 -
    RFQ
    		FQP44N08

    Datenblatt

         		QFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 44A (Tc) 10V 34mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±25V 1430 pF @ 25 V - 127W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    RJK03K6DPA-00#J5A

    RJK03K6DPA-00#J5A

    N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 84,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTD4806NT4G

    NTD4806NT4G

    MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK

    onsemi

    		 2,293 -
    RFQ
    		NTD4806NT4G

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11.3A (Ta), 79A (Tc) 4.5V, 11.5V 6mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 23 nC @ 4.5 V ±20V 2142 pF @ 12 V - 1.4W (Ta), 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    FDG312P

    FDG312P

    MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88

    onsemi

    		 4,842 -
    RFQ
    		FDG312P

    Datenblatt

         		PowerTrench® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 1.2A (Ta) 2.5V, 4.5V 180mOhm @ 1.2A, 4.5V 1.5V @ 250µA 5 nC @ 4.5 V ±8V 330 pF @ 10 V - 750mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
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