TomatoElecBestellverfolgung TomatoElecMein Konto
    Beliebte Suche AP7340D-18FS4-7 CMPA601C025F CGHV96130F CGHV96100F2 AP3012KTR-E1 SMBJ43A-13-F DMN4034SSS-13 FMMT495QTA BZX84-B36-QR SD103AW-7-F
    TomatoElec

    Verfügbar 24/7 unter

    0755-82798135
    TomatoElec TomatoElec
    Alle Kategorien
    Startseite > Produkte  > Diskrete Halbleiterprodukte > Transistoren > FETs, MOSFETs > FETs, MOSFETs

    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

    Alles zurücksetzen
    Alle anwenden
    Ergebnis

    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    G050N06LL

    G050N06LL

    N60V, 5A,RD<45M@10V,VTH1.0V~2.5V

    Goford Semiconductor

    		 11,800 -
    RFQ
    		G050N06LL

    Datenblatt

         		TrenchFET® SOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 5A (Tc) 4.5V, 10V 45mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 250µA 26.4 nC @ 10 V ±20V 1343 pF @ 30 V - 1.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-6L
    BSF024N03LT3G

    BSF024N03LT3G

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Infineon Technologies

    		 9,963 -
    RFQ
    		BSF024N03LT3G

    Datenblatt

         		OptiMOS™ 3 DirectFET™ Isometric MX Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 15A (Ta), 106A (Tc) 4.5V, 10V 2.4mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 71 nC @ 10 V ±20V 5500 pF @ 15 V - 2.2W (Ta), 42W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount MG-WDSON-2
    RJK03B9DPA-0T#J53

    RJK03B9DPA-0T#J53

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 9,000 -
    RFQ
    		RJK03B9DPA-0T#J53

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    RJK03K3DPA-00#J5A

    RJK03K3DPA-00#J5A

    N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 9,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FQD5N50CTM

    FQD5N50CTM

    MOSFET N-CH 500V 4A DPAK

    Fairchild Semiconductor

    		 8,578 -
    RFQ
    		FQD5N50CTM

    Datenblatt

         		QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 4A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 2A, 10V 4V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±30V 625 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    FQD2N60TF

    FQD2N60TF

    MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

    Fairchild Semiconductor

    		 7,387 -
    RFQ
    		FQD2N60TF

    Datenblatt

         		QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2A (Tc) 10V 4.7Ohm @ 1A, 10V 5V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±30V 350 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    2SJ609

    2SJ609

    P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET

    onsemi

    		 7,200 -
    RFQ
    		2SJ609

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FQU6N25TU

    FQU6N25TU

    MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK

    Fairchild Semiconductor

    		 6,803 -
    RFQ
    		FQU6N25TU

    Datenblatt

         		QFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 4.4A (Tc) 10V 1Ohm @ 2.2A, 10V 5V @ 250µA 8.5 nC @ 10 V ±30V 300 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    IRLML6302GTRPBF

    IRLML6302GTRPBF

    MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23-3

    Infineon Technologies

    		 3,028 -
    RFQ
    		IRLML6302GTRPBF

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 780mA (Ta) 2.7V, 4.5V 600mOhm @ 610mA, 4.5V 1.5V @ 250µA 3.6 nC @ 4.5 V ±12V 97 pF @ 15 V - 540mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Micro3™/SOT-23
    FDMS8570S

    FDMS8570S

    28A, 25V, 0.0028OHM, N-CHANNEL,

    Fairchild Semiconductor

    		 6,262 -
    RFQ
    		FDMS8570S

    Datenblatt

         		PowerTrench®, SyncFET™ 8-PowerTDFN Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 24A (Ta), 60A (Tc) 4.5V, 10V 2.8mOhm @ 24A, 10V 2.2V @ 1mA 425 nC @ 10 V ±12V 2825 pF @ 13 V - 2.5W (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    RJK0397DPA-02#J53

    RJK0397DPA-02#J53

    POWER TRANSISTOR, MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 6,000 -
    RFQ
    		RJK0397DPA-02#J53

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTMFS4119NT1G

    NTMFS4119NT1G

    MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN

    onsemi

    		 2,012 -
    RFQ
    		NTMFS4119NT1G

    Datenblatt

         		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) 4.5V, 10V 3.5mOhm @ 29A, 10V 2.5V @ 250µA 60 nC @ 4.5 V ±20V 4800 pF @ 24 V - 900mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    NDF06N62ZG

    NDF06N62ZG

    MOSFET N-CH 620V 6A TO220FP

    onsemi

    		 6,979 -
    RFQ
    		NDF06N62ZG

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 620 V 6A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 3A, 10V 4.5V @ 100µA 32 nC @ 10 V ±30V 923 pF @ 25 V - 31W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    FDS7098N3

    FDS7098N3

    MOSFET N-CH 30V 14A 8SO

    Fairchild Semiconductor

    		 5,328 -
    RFQ
    		FDS7098N3

    Datenblatt

         		PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta) 4.5V, 10V 9mOhm @ 14A, 10V 3V @ 250µA 22 nC @ 5 V ±20V 1587 pF @ 15 V - 3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    RJK03E0DNS-WS#J5

    RJK03E0DNS-WS#J5

    N CHANNEL 30V, 30A, POWER SWITCH

    Renesas Electronics Corporation

    		 4,870 -
    RFQ
    		RJK03E0DNS-WS#J5

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDC699P

    FDC699P

    MOSFET P-CH 20V 7A SUPERSOT6

    Fairchild Semiconductor

    		 4,762 -
    RFQ
    		FDC699P

    Datenblatt

         		PowerTrench® 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 7A (Ta) 2.5V, 4.5V 22mOhm @ 7A, 4.5V 1.5V @ 250µA 38 nC @ 5 V ±12V 2640 pF @ 10 V - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-6 FLMP
    2SK3617-E

    2SK3617-E

    NCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    		 4,500 -
    RFQ
    		2SK3617-E

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    RJK03E3DNS-WS#J5

    RJK03E3DNS-WS#J5

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 4,450 -
    RFQ
    		RJK03E3DNS-WS#J5

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IRF9512

    IRF9512

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    		 4,210 -
    RFQ
    		IRF9512

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 2.5A (Tc) 10V 1.6Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 180 pF @ 25 V - 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    BUK6E3R4-40C,127

    BUK6E3R4-40C,127

    MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK

    NXP USA Inc.

    		 3,248 -
    RFQ

    -

    		 * - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    Total 36284 Record«Prev1... 434435436437438439440441...1815Next»
    TomatoElec

    Suche

     TomatoElec

    Produkte

     TomatoElec

    Telefon

     TomatoElec

    Benutzer
    TomatoElec
    [email protected]
    0755-82798135