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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    06N06L

    06N06L

    N60V,RD(MAX)<42M@10V,RD(MAX)<46M

    Goford Semiconductor

    		 3,550 -
    RFQ
    		06N06L

    Datenblatt

         		TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 5.5A 4.5V, 10V 45mOhm @ 3A, 10V 2.5V @ 250µA 8.9 nC @ 10 V ±20V 765 pF @ 30 V - 960mW (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    BUK9516-55A,127

    BUK9516-55A,127

    MOSFET N-CH 55V 66A TO220AB

    NXP USA Inc.

    		 3,743 -
    RFQ
    		BUK9516-55A,127

    Datenblatt

         		TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 66A (Tc) 5V, 10V 15mOhm @ 25A, 10V 2V @ 1mA - ±10V 3085 pF @ 25 V - 138W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    AUIRFR120Z

    AUIRFR120Z

    MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK

    Infineon Technologies

    		 6,112 -
    RFQ
    		AUIRFR120Z

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 8.7A (Tc) 10V 190mOhm @ 5.2A, 10V 4V @ 25µA 10 nC @ 10 V ±20V 310 pF @ 25 V - 35W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    ATP207-TL-H

    ATP207-TL-H

    MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK

    onsemi

    		 9,335 -
    RFQ
    		ATP207-TL-H

    Datenblatt

         		- ATPAK (2 Leads+Tab) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 65A (Ta) 4.5V, 10V 9.1mOhm @ 33A, 10V - 54 nC @ 10 V ±20V 2710 pF @ 20 V - 50W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount ATPAK
    RF1S45N02LSM9A

    RF1S45N02LSM9A

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    		 2,400 -
    RFQ
    		RF1S45N02LSM9A

    Datenblatt

         		- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NP40N10VDF-E1-AY

    NP40N10VDF-E1-AY

    MOSFET N-CH 100V 40A TO252

    Renesas Electronics Corporation

    		 1,559 -
    RFQ
    		NP40N10VDF-E1-AY

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 40A (Tc) - 26mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 71 nC @ 10 V ±20V 3150 pF @ 25 V - 1.2W (Ta), 120W (Tc) 175°C - - Surface Mount TO-252 (MP-3ZP)
    SFM9110TF

    SFM9110TF

    MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4

    Fairchild Semiconductor

    		 1,220 -
    RFQ
    		SFM9110TF

    Datenblatt

         		- TO-261-4, TO-261AA Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 1A (Ta) 10V 1.2Ohm @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±30V 335 pF @ 25 V - 2.52W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223-4
    2SK4101FS

    2SK4101FS

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    onsemi

    		 474,038 -
    RFQ
    		2SK4101FS

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NVMFS5C673NLT3G

    NVMFS5C673NLT3G

    MOSFET N-CH 60V 5DFN

    onsemi

    		 2,338 -
    RFQ
    		NVMFS5C673NLT3G

    Datenblatt

         		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 9.2mOhm @ 25A, 10V 2V @ 35µA 9.5 nC @ 10 V ±20V 880 pF @ 25 V - 3.6W (Ta), 46W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    RFP6P10

    RFP6P10

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    		 41,954 -
    RFQ
    		RFP6P10

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 6A (Tc) 10V 600mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA - ±20V 800 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    1HP04CH-TL-W

    1HP04CH-TL-W

    MOSFET P-CH 100V 170MA 3CPH

    onsemi

    		 5,684 -
    RFQ

    -

    		 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 170mA (Ta) 4V, 10V 18Ohm @ 80mA, 10V 2.6V @ 100µA 0.9 nC @ 10 V ±20V 14 pF @ 20 V - - 150°C (TJ) - - Surface Mount 3-CPH
    2SK2406-TL-E

    2SK2406-TL-E

    NCH 10V DRIVE SERIES

    onsemi

    		 23,800 -
    RFQ
    		2SK2406-TL-E

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDB6030L

    FDB6030L

    MOSFET N-CH 30V 48A TO263AB

    Fairchild Semiconductor

    		 22,487 -
    RFQ
    		FDB6030L

    Datenblatt

         		PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 48A (Ta) 4.5V, 10V 13mOhm @ 26A, 10V 3V @ 250µA 18 nC @ 5 V ±20V 1250 pF @ 15 V - 52W (Tc) -65°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    MTB9N25ET4

    MTB9N25ET4

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    onsemi

    		 13,312 -
    RFQ
    		MTB9N25ET4

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTMFS4C50NT1G

    NTMFS4C50NT1G

    30 V, 46A, SINGLE N-CHANNEL,

    Sanyo

    		 10,500 -
    RFQ
    		NTMFS4C50NT1G

    Datenblatt

         		- 8-PowerTDFN Bulk Active - - - 21.7A (Ta) - - - - - - - - - - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    BUK9520-100B,127

    BUK9520-100B,127

    MOSFET N-CH 100V 63A TO220AB

    NXP USA Inc.

    		 7,949 -
    RFQ

    -

    		 * - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDFS2P753AZ

    FDFS2P753AZ

    MOSFET P-CH 30V 3A 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    		 7,500 -
    RFQ
    		FDFS2P753AZ

    Datenblatt

         		PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3A (Ta) 4.5V, 10V 115mOhm @ 3A, 10V 3V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±25V 455 pF @ 15 V Schottky Diode (Isolated) 3.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    HUF76131SK8T

    HUF76131SK8T

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 7,367 -
    RFQ
    		HUF76131SK8T

    Datenblatt

         		UltraFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A (Ta) 4.5V, 10V 13mOhm @ 10A, 10V 1V @ 250µA 47 nC @ 10 V ±20V 1605 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    BS270-D74Z

    BS270-D74Z

    MOSFET N-CH 60V 400MA TO92-3

    onsemi

    		 7,244 -
    RFQ
    		BS270-D74Z

    Datenblatt

         		- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 400mA (Ta) 4.5V, 10V 2Ohm @ 500mA, 10V 2.5V @ 250µA - ±20V 50 pF @ 25 V - 625mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92-3
    IPS65R400CEAKMA1

    IPS65R400CEAKMA1

    CONSUMER

    Infineon Technologies

    		 3,410 -
    RFQ
    		IPS65R400CEAKMA1

    Datenblatt

         		CoolMOS™ CE TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15.1A (Tc) 10V 400mOhm @ 3.2435A, 10V 3.5V @ 320µA 39 nC @ 10 V ±20V 710 pF @ 100 V - 118W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
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