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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    BUK663R2-40C,118

    BUK663R2-40C,118

    NEXPERIA BUK663R2-40C - 100A, 40

    Nexperia USA Inc.

    		 6,748 -
    RFQ
    		BUK663R2-40C,118

    Datenblatt

         		TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 3.2mOhm @ 25A, 10V 2.8V @ 1mA 125 nC @ 10 V ±16V 8020 pF @ 25 V - 204W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
    ZXMN2069FTA

    ZXMN2069FTA

    MOSFET N-CH SOT23-3

    Diodes Incorporated

    		 3,000 -
    RFQ
    		ZXMN2069FTA

    Datenblatt

         		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) - 1.4A (Ta) - - - - - - - - - - - Surface Mount SOT-23-3
    STN4438

    STN4438

    MOSFET N-CH 60V 8.2A SOT23

    UMW

    		 3,000 -
    RFQ
    		STN4438

    Datenblatt

         		* 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 8.2A (Ta) 4.5V, 10V 32mOhm @ 10A, 10V 3V @ 250µA - ±20V - - 3.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    SI4425DY

    SI4425DY

    MOSFET P-CH 30V 8.7A/11.6A 8SOIC

    UMW

    		 3,000 -
    RFQ
    		SI4425DY

    Datenblatt

         		* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SI4435DY

    SI4435DY

    MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC

    UMW

    		 3,000 -
    RFQ
    		SI4435DY

    Datenblatt

         		* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IRF7204TR

    IRF7204TR

    MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SOIC

    UMW

    		 3,000 -
    RFQ
    		IRF7204TR

    Datenblatt

         		- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.1A (Ta) 4.5V, 10V 55mOhm @ 5.1A, 10V 2V @ 50µA 11 nC @ 10 V ±20V 520 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    G05P06L

    G05P06L

    P60V,RD(MAX)<120M@-10V,RD(MAX)<1

    Goford Semiconductor

    		 2,957 -
    RFQ
    		G05P06L

    Datenblatt

         		TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 5A (Tc) 4.5V, 10V 80mOhm @ 4A, 10V 2.5V @ 250µA 37 nC @ 10 V ±20V 1376 pF @ 50 V - 2.6W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    PJS6415_S1_00001

    PJS6415_S1_00001

    20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    		 2,946 -
    RFQ
    		PJS6415_S1_00001

    Datenblatt

         		- SOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5.2A (Ta) 1.8V, 4.5V 56mOhm @ 5.2A, 4.5V 1.2V @ 250µA 18 nC @ 4.5 V ±12V 765 pF @ 10 V - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-6
    G1003A

    G1003A

    N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2

    Goford Semiconductor

    		 2,615 -
    RFQ
    		G1003A

    Datenblatt

         		TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 3A (Tc) 4.5V, 10V 120mOhm @ 3A, 10V 2.5V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V 532 pF @ 25 V - 1.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    FDD6685

    FDD6685

    MOSFET P-CH 30V 11A/40A DPAK

    UMW

    		 2,500 -
    RFQ
    		FDD6685

    Datenblatt

         		* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    G20N03D2

    G20N03D2

    N30V,RD(MAX)<24M@10V,RD(MAX)<29M

    Goford Semiconductor

    		 2,413 -
    RFQ
    		G20N03D2

    Datenblatt

         		TrenchFET® 6-WDFN Exposed Pad Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9A (Tc) 4.5V, 10V 15mOhm @ 5A, 10V 2V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 30 V - 1.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-DFN (2x2)
    G1K1P06HH

    G1K1P06HH

    P-60V,-4.5A,RD(MAX)<110M@-10V,VT

    Goford Semiconductor

    		 2,135 -
    RFQ
    		G1K1P06HH

    Datenblatt

         		TrenchFET® TO-261-4, TO-261AA Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 4.5A (Tc) 10V 110mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 981 pF @ 30 V - 3.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
    AM50N06-15D-CT

    AM50N06-15D-CT

    MOSFET N-CH 60V 51A TO-252 (D-Pa

    Analog Power Inc.

    		 2,000 -
    RFQ
    		AM50N06-15D-CT

    Datenblatt

         		- TO-252 (D-Pak) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 51A (Tc) 4.5V, 10V 18mOhm @ 16A, 4.5V 1V @ 250µA 20 nC @ 4.5 V ±20V 2022 pF @ 15 V - 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (D-Pak)
    RJK0353DSP-WS#J0

    RJK0353DSP-WS#J0

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 1,685 -
    RFQ
    		RJK0353DSP-WS#J0

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    PH7630DLX

    PH7630DLX

    MOSFET N-CH 30V LFPAK

    Nexperia USA Inc.

    		 8,042 -
    RFQ

    -

    		 - - Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V - - - - - - - - - - - - Surface Mount -
    RJK0397DPA-0G#J7A

    RJK0397DPA-0G#J7A

    POWER TRANSISTOR, MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 4,993,700 -
    RFQ
    		RJK0397DPA-0G#J7A

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    RJK03E0DNS-02#J5

    RJK03E0DNS-02#J5

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 490,000 -
    RFQ
    		RJK03E0DNS-02#J5

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDZ206P

    FDZ206P

    MOSFET P-CH 20V 13A 30BGA

    Fairchild Semiconductor

    		 361,579 -
    RFQ
    		FDZ206P

    Datenblatt

         		PowerTrench® 30-WFBGA Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 13A (Ta) 2.5V, 4.5V 9.5mOhm @ 13A, 4.5V 1.5V @ 250µA 53 nC @ 4.5 V ±12V 4280 pF @ 10 V - 2.2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 30-BGA (4x3.5)
    RJK03P5DPA-00#J5A

    RJK03P5DPA-00#J5A

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 213,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    RJK03B7DPA-00#J5A

    RJK03B7DPA-00#J5A

    MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK

    Renesas Electronics Corporation

    		 191,615 -
    RFQ
    		RJK03B7DPA-00#J5A

    Datenblatt

         		- 8-PowerWDFN Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Ta) - 7.8mOhm @ 15A, 10V - 11 nC @ 4.5 V - 1670 pF @ 10 V - 30W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-WPAK
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