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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    N0600N-S17-AY

    N0600N-S17-AY

    MOSFET N-CH 60V 30A TO220

    Renesas Electronics Corporation

    		 22,000 -
    RFQ
    		N0600N-S17-AY

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 30A (Ta) - 36mOhm @ 15A, 4.5V - 29.8 nC @ 10 V - 1380 pF @ 10 V - 2W (Ta), 20W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    BFL4036-S

    BFL4036-S

    NCH 10V DRIVE SERIES

    onsemi

    		 13,590 -
    RFQ
    		BFL4036-S

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTTFS4800NTAG

    NTTFS4800NTAG

    MOSFET N-CH 30V 5A/32A 8WDFN

    onsemi

    		 7,854 -
    RFQ
    		NTTFS4800NTAG

    Datenblatt

         		- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5A (Ta), 32A (Tc) 4.5V, 11.5V 20mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 16.6 nC @ 10 V ±20V 964 pF @ 15 V - 860mW (Ta), 33.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    IRFD1Z3

    IRFD1Z3

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    Harris Corporation

    		 12,328 -
    RFQ
    		IRFD1Z3

    Datenblatt

         		- 4-DIP (0.300", 7.62mm) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 400mA (Tc) 10V 3.2Ohm @ 250mA, 10V 4V @ 250µA 3 nC @ 10 V ±20V 50 pF @ 25 V - 1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 4-DIP, Hexdip
    IRLML2402TRPBF

    IRLML2402TRPBF

    MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23

    Infineon Technologies

    		 11,869 -
    RFQ
    		IRLML2402TRPBF

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 1.2A (Ta) 2.7V, 4.5V 250mOhm @ 930mA, 4.5V 700mV @ 250µA (Min) 3.9 nC @ 4.5 V ±12V 110 pF @ 15 V - 540mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Micro3™/SOT-23
    2SJ633-TL-E

    2SJ633-TL-E

    PCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    		 10,008 -
    RFQ
    		2SJ633-TL-E

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    GSFP6016

    GSFP6016

    MOSFET, N-CH, SINGLE, 50.00A, 60

    Good-Ark Semiconductor

    		 9,990 -
    RFQ
    		GSFP6016

    Datenblatt

         		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 16mOhm @ 20A, 10V 2.9V @ 250µA 48 nC @ 10 V ±20V 2200 pF @ 30 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PPAK (4.9x5.8)
    NDF08N60ZH

    NDF08N60ZH

    MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220FP

    onsemi

    		 4,485 -
    RFQ

    -

    		 - TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 8.4A (Tc) 10V 950mOhm @ 3.5A, 10V 4.5V @ 100µA 58 nC @ 10 V ±30V 1370 pF @ 25 V - 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-2 Full Pack
    FW905-TL-E

    FW905-TL-E

    P-CHANNEL SILICON MOSFET

    Sanyo

    		 8,000 -
    RFQ
    		FW905-TL-E

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTMFS4C56NT1G

    NTMFS4C56NT1G

    MOSFET N-CH 30V 69A 5DFN

    onsemi

    		 7,500 -
    RFQ

    -

    		 - 8-PowerTDFN, 5 Leads Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    FDB8876

    FDB8876

    MOSFET N-CH 30V 71A TO263AB

    Fairchild Semiconductor

    		 7,486 -
    RFQ
    		FDB8876

    Datenblatt

         		PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 71A (Tc) 4.5V, 10V 8.5mOhm @ 40A, 10V 2.5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±20V 1700 pF @ 15 V - 70W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    2SK1274-T-AZ

    2SK1274-T-AZ

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 7,086 -
    RFQ
    		2SK1274-T-AZ

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDPF5N50UT

    FDPF5N50UT

    MOSFET N-CH 500V 4A TO220F

    onsemi

    		 4,864 -
    RFQ
    		FDPF5N50UT

    Datenblatt

         		FRFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 4A (Tc) 10V 2Ohm @ 2A, 10V 5V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±30V 650 pF @ 25 V - 28W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    BUK9506-40B,127

    BUK9506-40B,127

    MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

    NXP USA Inc.

    		 5,318 -
    RFQ

    -

    		 * - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    AUIRFR120Z

    AUIRFR120Z

    PFET, 8.7A I(D), 100V, 0.19OHM,

    International Rectifier

    		 4,974 -
    RFQ
    		AUIRFR120Z

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 8.7A (Tc) 10V 190mOhm @ 5.2A, 10V 4V @ 25µA 10 nC @ 10 V ±20V 310 pF @ 25 V - 35W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    GSFD6016

    GSFD6016

    MOSFET, N-CH, SINGLE, 60.00A, 60

    Good-Ark Semiconductor

    		 4,540 -
    RFQ
    		GSFD6016

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 60A (Tc) 10V 13mOhm @ 30A, 10V 2.4V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±20V 2460 pF @ 25 V - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    SPP02N60S5

    SPP02N60S5

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Infineon Technologies

    		 4,500 -
    RFQ
    		SPP02N60S5

    Datenblatt

         		CoolMOS™ TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 1.8A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.1A, 10V 5.5V @ 80µA 9.5 nC @ 10 V ±20V 240 pF @ 25 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    HUF75623P3

    HUF75623P3

    MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3

    Fairchild Semiconductor

    		 4,436 -
    RFQ
    		HUF75623P3

    Datenblatt

         		UltraFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 22A (Tc) 10V 64mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 52 nC @ 20 V ±20V 790 pF @ 25 V - 85W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    BUK9523-75A,127

    BUK9523-75A,127

    MOSFET N-CH 75V 53A TO220AB

    NXP USA Inc.

    		 8,867 -
    RFQ
    		BUK9523-75A,127

    Datenblatt

         		TrenchMOS™ TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 53A (Tc) 4.5V, 10V 22mOhm @ 25A, 10V 2V @ 1mA - ±10V 3120 pF @ 25 V - 138W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    2SK1274-AZ

    2SK1274-AZ

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 3,710 -
    RFQ
    		2SK1274-AZ

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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