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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    PJC7439_R1_00001

    PJC7439_R1_00001

    60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    		 5,806 -
    RFQ
    		PJC7439_R1_00001

    Datenblatt

         		- SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 250mA (Ta) 2.5V, 10V 4Ohm @ 500mA, 10V 2.5V @ 250µA 1.1 nC @ 4.5 V ±20V 51 pF @ 25 V - 350mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-323
    2SK2628LS

    2SK2628LS

    N-CHANNEL SILICON MOSFET

    onsemi

    		 5,657 -
    RFQ
    		2SK2628LS

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    G300N04D3

    G300N04D3

    MOSFET N-CH 40V 6A DFN3*3-8L

    Goford Semiconductor

    		 4,990 -
    RFQ
    		G300N04D3

    Datenblatt

         		TrenchFET® 8-PowerVDFN Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 6A (Tc) 4.5V, 10V 30mOhm @ 3A, 10V 2.5V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V 479 pF @ 20 V - 1.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)
    IRFS530A

    IRFS530A

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 4,315 -
    RFQ
    		IRFS530A

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 10.7A (Tc) 10V 110mOhm @ 5.35A, 10V 4V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±20V 790 pF @ 25 V - 32W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
    RFP30N6LER4541

    RFP30N6LER4541

    30A, 60V, LOGIC LEVEL N CHANNEL

    Harris Corporation

    		 4,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    RLP03N06CLE

    RLP03N06CLE

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    		 3,673 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    PJC7438_R1_00001

    PJC7438_R1_00001

    SOT-323, MOSFET

    Panjit International Inc.

    		 3,358 -
    RFQ
    		PJC7438_R1_00001

    Datenblatt

         		- SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 400mA (Ta) 1.8V, 10V 1.45Ohm @ 500mA, 10V 1V @ 250µA 0.95 nC @ 4.5 V ±20V 36 pF @ 25 V - 350mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-323
    BSR302NL6327HTSA1

    BSR302NL6327HTSA1

    MOSFET N-CH 30V 3.7A SC59

    Infineon Technologies

    		 2,581 -
    RFQ
    		BSR302NL6327HTSA1

    Datenblatt

         		OptiMOS™ TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3.7A (Ta) 4.5V, 10V 23mOhm @ 3.7A, 10V 2V @ 30µA 6.6 nC @ 5 V ±20V 750 pF @ 15 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SC59-3
    SPS03N60C3AKMA1

    SPS03N60C3AKMA1

    MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3-11

    Infineon Technologies

    		 3,000 -
    RFQ

    -

    		 CoolMOS™ TO-251-3 Stub Leads, IPAK Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 3.2A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 2A, 10V 3.9V @ 135µA 17 nC @ 10 V ±20V 400 pF @ 25 V - 38W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3-11
    2SK2167-TD-E

    2SK2167-TD-E

    NCH 10V DRIVE SERIES

    onsemi

    		 3,000 -
    RFQ
    		2SK2167-TD-E

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    AO3409A

    AO3409A

    30V 2.6A 130MR@10V,2.6A 1.4W 3V@

    UMW

    		 2,965 -
    RFQ
    		AO3409A

    Datenblatt

         		UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 2.6A (Ta) 4.5V, 10V 130mOhm @ 2.6A, 10V 3V @ 250µA 9 nC @ 10 V ±20V 370 pF @ 15 V - 1.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    SI2306A

    SI2306A

    30V 3.5A 1.25W 57MR@10V,3.5A 3V@

    UMW

    		 2,772 -
    RFQ
    		SI2306A

    Datenblatt

         		UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4A (Ta) 4.5V, 10V 35mOhm @ 4A, 10V 3V @ 250µA 7 nC @ 5 V ±20V 555 pF @ 15 V - 1.25W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    FDT3612

    FDT3612

    MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223

    UMW

    		 2,500 -
    RFQ
    		FDT3612

    Datenblatt

         		* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    BUK9535-100A,127

    BUK9535-100A,127

    MOSFET N-CH 100V 41A TO220AB

    NXP USA Inc.

    		 2,000 -
    RFQ
    		BUK9535-100A,127

    Datenblatt

         		TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 41A (Tc) 4.5V, 10V 34mOhm @ 25A, 10V 2V @ 1mA - ±10V 3573 pF @ 25 V - 149W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    NTMFS4946NT1G

    NTMFS4946NT1G

    MOSFET N-CH 30V 12.7A/100A 5DFN

    onsemi

    		 9,404 -
    RFQ
    		NTMFS4946NT1G

    Datenblatt

         		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 12.7A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 11.5V 3.4mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 53 nC @ 11.5 V ±20V 3250 pF @ 12 V - 890mW (Ta), 55.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    BUK9520-55A,127

    BUK9520-55A,127

    MOSFET N-CH 55V 54A TO220AB

    NXP USA Inc.

    		 5,274 -
    RFQ
    		BUK9520-55A,127

    Datenblatt

         		TrenchMOS™ TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 54A (Tc) 4.5V, 10V 18mOhm @ 25A, 10V 2V @ 1mA - ±10V 2210 pF @ 25 V - 118W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    2SJ356(0)-T1-AZ

    2SJ356(0)-T1-AZ

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 840,000 -
    RFQ
    		2SJ356(0)-T1-AZ

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    RJK03J5DPA-00#J5A

    RJK03J5DPA-00#J5A

    N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 264,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDD6696

    FDD6696

    MOSFET N-CH 30V 13A/50A DPAK

    Fairchild Semiconductor

    		 217,895 -
    RFQ
    		FDD6696

    Datenblatt

         		PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta), 50A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 13A, 10V 3V @ 250µA 24 nC @ 5 V ±16V 1715 pF @ 15 V - 3.8W (Ta), 52W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    2SK3412-TL-E

    2SK3412-TL-E

    NCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    		 198,100 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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