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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    FQP9N25

    FQP9N25

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 132,000 -
    RFQ
    		FQP9N25

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 9.4A (Tc) 10V 420mOhm @ 4.7A, 10V 5V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±30V 700 pF @ 25 V - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    NTMSD6N303R2G

    NTMSD6N303R2G

    MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC

    onsemi

    		 4,159 -
    RFQ
    		NTMSD6N303R2G

    Datenblatt

         		FETKY™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6A (Ta) 4.5V, 10V 32mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V 950 pF @ 24 V Schottky Diode (Isolated) 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    2SK2111-T2-AZ

    2SK2111-T2-AZ

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 96,000 -
    RFQ
    		2SK2111-T2-AZ

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    UPA2591T1H-T1-AT

    UPA2591T1H-T1-AT

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 93,000 -
    RFQ
    		UPA2591T1H-T1-AT

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDC021N30

    FDC021N30

    MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6

    onsemi

    		 2,974 -
    RFQ
    		FDC021N30

    Datenblatt

         		PowerTrench® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6.1A (Ta) 4.5V, 10V 26mOhm @ 6.1A, 10V 3V @ 250µA 10.8 nC @ 10 V ±20V 710 pF @ 15 V - 700mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-6
    FDB7030BL

    FDB7030BL

    60A, 30V, 0.009OHM, N-CHANNEL,

    Fairchild Semiconductor

    		 51,983 -
    RFQ
    		FDB7030BL

    Datenblatt

         		PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 60A (Ta) 4.5V, 10V 9mOhm @ 30A, 10V 3V @ 250µA 24 nC @ 5 V ±20V 1760 pF @ 15 V - 60W (Tc) -65°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AB
    NTD4854NT4G

    NTD4854NT4G

    MOSFET N-CH 25V 15.7A/128A DPAK

    onsemi

    		 8,394 -
    RFQ
    		NTD4854NT4G

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 15.7A (Ta), 128A (Tc) 4.5V, 10V 3.6mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 49.2 nC @ 4.5 V ±20V 4600 pF @ 12 V - 1.43W (Ta), 93.75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    FSS173-TL-E

    FSS173-TL-E

    PCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    		 51,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FQP13N06L

    FQP13N06L

    POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

    Fairchild Semiconductor

    		 46,409 -
    RFQ
    		FQP13N06L

    Datenblatt

         		QFET® TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 13.6A (Tc) 5V, 10V 110mOhm @ 6.8A, 10V 2.5V @ 250µA 6.4 nC @ 5 V ±20V 350 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    NTD4302G

    NTD4302G

    MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK

    onsemi

    		 7,048 -
    RFQ
    		NTD4302G

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.4A (Ta), 68A (Tc) 4.5V, 10V 10mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 24 V - 1.04W (Ta), 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    2SK3850-TL-E

    2SK3850-TL-E

    NCH 10V DRIVE SERIES

    onsemi

    		 39,900 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTTFS4932NTAG

    NTTFS4932NTAG

    MOSFET N-CH 30V 11A/79A 8WDFN

    onsemi

    		 8,059 -
    RFQ
    		NTTFS4932NTAG

    Datenblatt

         		- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta), 79A (Tc) 4.5V, 10V 4mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 46.5 nC @ 10 V ±20V 3111 pF @ 15 V - 850mW (Ta), 43W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    FDFS2P103

    FDFS2P103

    MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    		 29,870 -
    RFQ
    		FDFS2P103

    Datenblatt

         		PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.3A (Ta) 4.5V, 10V 59mOhm @ 5.3A, 10V 3V @ 250µA 8 nC @ 5 V ±25V 528 pF @ 15 V Schottky Diode (Isolated) 900mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    IRFI840BTU

    IRFI840BTU

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 26,732 -
    RFQ
    		IRFI840BTU

    Datenblatt

         		- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8A (Tc) 10V 800mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±30V 1800 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 134W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
    2SK680A-T2-AZ

    2SK680A-T2-AZ

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 26,350 -
    RFQ
    		2SK680A-T2-AZ

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    2SK2111-T1-AZ

    2SK2111-T1-AZ

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 20,932 -
    RFQ
    		2SK2111-T1-AZ

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IRF822

    IRF822

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    		 20,598 -
    RFQ
    		IRF822

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 2.2A (Tc) 10V 4Ohm @ 1.4A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 360 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    2SK2111(0)-T1-AZ

    2SK2111(0)-T1-AZ

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 20,000 -
    RFQ
    		2SK2111(0)-T1-AZ

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    MTD3N25E1-MO

    MTD3N25E1-MO

    TRANS MOSFET N-CH 250V 3A 3PIN(2

    Motorola

    		 15,675 -
    RFQ
    		MTD3N25E1-MO

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 3A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V 430 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK-3
    IPI80N04S4L04AKSA1

    IPI80N04S4L04AKSA1

    MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3

    Infineon Technologies

    		 9,152 -
    RFQ
    		IPI80N04S4L04AKSA1

    Datenblatt

         		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 4.3mOhm @ 80A, 10V 2.2V @ 35µA 60 nC @ 10 V +20V, -16V 4690 pF @ 25 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
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