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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    2SK3818-DL-E

    2SK3818-DL-E

    N-CHANNEL SILICON MOSFET

    Sanyo

    		 2,000 -
    RFQ
    		2SK3818-DL-E

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IRLML2402TR

    IRLML2402TR

    MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23

    UMW

    		 1,996 -
    RFQ
    		IRLML2402TR

    Datenblatt

         		* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    GT1003A

    GT1003A

    N100V, 3A,RD<140M@10V,VTH1.0V~3.

    Goford Semiconductor

    		 1,947 -
    RFQ
    		GT1003A

    Datenblatt

         		SGT TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 3A (Tc) 10V 80mOhm @ 3A, 10V 2.5V @ 250µA 5 nC @ 10 V ±20V 209 pF @ 50 V - 1.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    FDU8796

    FDU8796

    MOSFET N-CH 25V 35A IPAK

    Fairchild Semiconductor

    		 1,800 -
    RFQ
    		FDU8796

    Datenblatt

         		PowerTrench® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 35A (Tc) 4.5V, 10V 5.7mOhm @ 35A, 10V 2.5V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±20V 2610 pF @ 13 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    FQPF3N40

    FQPF3N40

    MOSFET N-CH 400V 1.6A TO220F

    Fairchild Semiconductor

    		 1,544 -
    RFQ
    		FQPF3N40

    Datenblatt

         		QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 1.6A (Tc) 10V 3.4Ohm @ 800mA, 10V 5V @ 250µA 7.5 nC @ 10 V ±30V 230 pF @ 25 V - 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    RFP23N06LE

    RFP23N06LE

    N-CHANNEL, MOSFET

    Harris Corporation

    		 1,486 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    CPH3338-TL-H

    CPH3338-TL-H

    MOSFET P-CH

    Sanyo

    		 1,440 -
    RFQ
    		CPH3338-TL-H

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTD6600N-1G

    NTD6600N-1G

    MOSFET N-CH 100V 12A IPAK

    onsemi

    		 9,429 -
    RFQ
    		NTD6600N-1G

    Datenblatt

         		- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 12A (Ta) 5V 146mOhm @ 6A, 5V 2V @ 250µA 20 nC @ 5 V ±20V 700 pF @ 25 V - 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    IRF9622

    IRF9622

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    		 1,128 -
    RFQ
    		IRF9622

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3A (Tc) 10V 2.4Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IRFR221

    IRFR221

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    		 1,075 -
    RFQ
    		IRFR221

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 4.6A (Tc) 10V 800mOhm @ 2.4A, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 330 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    NTD40N03R-001

    NTD40N03R-001

    MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK

    onsemi

    		 7,975 -
    RFQ
    		NTD40N03R-001

    Datenblatt

         		- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 7.8A (Ta), 32A (Tc) 4.5V, 10V 16.5mOhm @ 10A, 10V 2V @ 250µA 5.78 nC @ 4.5 V ±20V 584 pF @ 20 V - 1.5W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    SCH1601-A-TL-W

    SCH1601-A-TL-W

    MOSFET N-CH 16V SC28

    onsemi

    		 9,588 -
    RFQ

    -

    		 * - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    BSF885N03LQ3GXUMA1

    BSF885N03LQ3GXUMA1

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Infineon Technologies

    		 240,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTLGF3501NT2G

    NTLGF3501NT2G

    MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN

    onsemi

    		 6,014 -
    RFQ
    		NTLGF3501NT2G

    Datenblatt

         		FETKY™ 6-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.8A (Ta) 2.5V, 4.5V 90mOhm @ 3.4A, 4.5V 2V @ 250µA 10 nC @ 4.5 V ±12V 275 pF @ 10 V - 1.14W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-DFN (3x3)
    IPP60R950C6XKSA1

    IPP60R950C6XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 7,309 -
    RFQ
    		IPP60R950C6XKSA1

    Datenblatt

         		CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4.4A (Tc) 10V 950mOhm @ 1.5A, 10V 3.5V @ 130µA 13 nC @ 10 V ±20V 280 pF @ 100 V - 37W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    FDD9411-F085

    FDD9411-F085

    MOSFET N-CH 40V 15A DPAK

    onsemi

    		 8,501 -
    RFQ
    		FDD9411-F085

    Datenblatt

         		PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 15A (Tc) 10V 7.8mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 22.5 nC @ 10 V ±20V 1080 pF @ 25 V - 48.4W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
    HRFZ44N

    HRFZ44N

    MOSFET N-CH 55V 49A TO220-3

    Fairchild Semiconductor

    		 12,586 -
    RFQ
    		HRFZ44N

    Datenblatt

         		UltraFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 49A (Tc) 10V 22mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA 75 nC @ 20 V ±20V 1060 pF @ 25 V - 120W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    PJA3416_R1_00001

    PJA3416_R1_00001

    SOT-23, MOSFET

    Panjit International Inc.

    		 11,655 -
    RFQ
    		PJA3416_R1_00001

    Datenblatt

         		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5.8A (Ta) 1.8V, 4.5V 27mOhm @ 5.8A, 4.5V 1.2V @ 250µA 6.7 nC @ 4.5 V ±12V 513 pF @ 10 V - 1.25W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    GSFD6046

    GSFD6046

    MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 60

    Good-Ark Semiconductor

    		 9,852 -
    RFQ
    		GSFD6046

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 20A (Ta) 4.5V, 10V 46mOhm @ 6A, 10V 2.6V @ 250µA 4.6 nC @ 10 V ±20V 1180 pF @ 30 V - 40W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    BUK7230-55A,118

    BUK7230-55A,118

    PFET, 38A I(D), 55V, 0.03OHM, 1-

    NXP USA Inc.

    		 6,270 -
    RFQ
    		BUK7230-55A,118

    Datenblatt

         		TrenchMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 38A (Tc) 10V 30mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA - ±20V 1152 pF @ 25 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
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