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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    FDFC3N108

    FDFC3N108

    MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT6

    Fairchild Semiconductor

    		 98,521 -
    RFQ
    		FDFC3N108

    Datenblatt

         		- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3A (Ta) 2.5V, 4.5V 70mOhm @ 3A, 4.5V 1.5V @ 250µA 4.9 nC @ 4.5 V ±12V 355 pF @ 10 V Schottky Diode (Isolated) - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-6
    FDG361N

    FDG361N

    MOSFET N-CH 100V 600MA SC88

    Fairchild Semiconductor

    		 98,270 -
    RFQ
    		FDG361N

    Datenblatt

         		PowerTrench® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 600mA (Ta) 6V, 10V 500mOhm @ 600mA, 10V 4V @ 250µA 5 nC @ 10 V ±20V 153 pF @ 50 V - 420mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
    FDD7030BL

    FDD7030BL

    MOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK

    Fairchild Semiconductor

    		 80,423 -
    RFQ
    		FDD7030BL

    Datenblatt

         		PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta), 56A (Tc) 4.5V, 10V 9.5mOhm @ 14A, 10V 3V @ 250µA 20 nC @ 5 V ±20V 1425 pF @ 15 V - 2.8W (Ta), 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    HUF76121D3ST

    HUF76121D3ST

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 59,388 -
    RFQ
    		HUF76121D3ST

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 20A (Tc) 4.5V, 10V 23mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V 850 pF @ 25 V - 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    IRFS630A

    IRFS630A

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 55,970 -
    RFQ
    		IRFS630A

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 6.5A (Tc) 10V 400mOhm @ 3.25A, 10V 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±30V 650 pF @ 25 V - 38W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
    NTLUS3C18PZTBG

    NTLUS3C18PZTBG

    MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN

    onsemi

    		 4,292 -
    RFQ
    		NTLUS3C18PZTBG

    Datenblatt

         		- 6-PowerUFDFN Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 4.4A (Ta) 1.8V, 4.5V 24mOhm @ 7A, 4.5V 1V @ 250µA 15.8 nC @ 4.5 V ±8V 1570 pF @ 6 V - 660mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-UDFN (1.6x1.6)
    BSP179H6327XTSA1

    BSP179H6327XTSA1

    MOSFET N-CH 400V 210MA SOT223-4

    Infineon Technologies

    		 6,193 -
    RFQ
    		BSP179H6327XTSA1

    Datenblatt

         		SIPMOS® TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 400 V 210mA (Ta) 0V, 10V 18Ohm @ 210mA, 10V 1V @ 94µA 6.8 nC @ 5 V ±20V 135 pF @ 25 V - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT223-4
    RFP15N06

    RFP15N06

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    		 27,099 -
    RFQ
    		RFP15N06

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 15A (Tc) 10V 140mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 1mA - ±20V 850 pF @ 25 V - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    BUK624R5-30C,118

    BUK624R5-30C,118

    PFET, 90A I(D), 30V, 0.0075OHM,

    NXP USA Inc.

    		 24,820 -
    RFQ
    		BUK624R5-30C,118

    Datenblatt

         		TrenchMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 90A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 25A, 10V 2.8V @ 1mA 78 nC @ 10 V ±16V 4707 pF @ 25 V - 158W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
    NTMS4840NR2G

    NTMS4840NR2G

    MOSFET N-CH 30V 4.5A 8SOIC

    onsemi

    		 8,089 -
    RFQ
    		NTMS4840NR2G

    Datenblatt

         		- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.5A (Ta) 4.5V, 10V 24mOhm @ 6.9A, 10V 3V @ 250µA 9.5 nC @ 10 V ±20V 520 pF @ 15 V - 680mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    NTD110N02R-001G

    NTD110N02R-001G

    MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A IPAK

    onsemi

    		 3,868 -
    RFQ
    		NTD110N02R-001G

    Datenblatt

         		- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24 V 12.5A (Ta), 110A (Tc) 4.5V, 10V 4.6mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 28 nC @ 4.5 V ±20V 3440 pF @ 20 V - 1.5W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    FQU20N06TU

    FQU20N06TU

    MOSFET N-CH 60V 16.8A IPAK

    Fairchild Semiconductor

    		 17,796 -
    RFQ
    		FQU20N06TU

    Datenblatt

         		QFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 16.8A (Tc) 10V 63mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±25V 590 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 38W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    CPH6424-TL-E

    CPH6424-TL-E

    MOSFET N-CH

    Sanyo

    		 14,461 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SSF2429

    SSF2429

    MOSFET, P-CH, SINGLE, -5A, -20V,

    Good-Ark Semiconductor

    		 14,422 -
    RFQ
    		SSF2429

    Datenblatt

         		- SOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5A (Ta) 2.5V, 4.5V 35mOhm @ 5A, 4.5V 1V @ 250µA 17 nC @ 5 V ±12V 1450 pF @ 10 V - 1.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-6L
    NTD4404N1G

    NTD4404N1G

    POWER MOSFET, 85 A, 24 V, N-CHAN

    onsemi

    		 9,300 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    2SK2437-TD-E

    2SK2437-TD-E

    NCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    		 9,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    GSFP0356

    GSFP0356

    MOSFET, N-CH, SINGLE, 55A, 30V,

    Good-Ark Semiconductor

    		 8,395 -
    RFQ
    		GSFP0356

    Datenblatt

         		- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 55A (Tc) 4.5V, 10V 7.9mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V 1350 pF @ 15 V - 47W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PPAK (5.2x5.55)
    HUF75309P3

    HUF75309P3

    MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3

    Fairchild Semiconductor

    		 8,290 -
    RFQ
    		HUF75309P3

    Datenblatt

         		UltraFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 19A (Tc) 10V 70mOhm @ 19A, 10V 4V @ 250µA 24 nC @ 20 V ±20V 350 pF @ 25 V - 55W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    HUF76423D3S

    HUF76423D3S

    MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA

    Fairchild Semiconductor

    		 7,686 -
    RFQ
    		HUF76423D3S

    Datenblatt

         		UltraFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 20A (Tc) 4.5V, 10V 32mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±16V 1060 pF @ 25 V - 85W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    BUK6240-75C,118

    BUK6240-75C,118

    MOSFET N-CH 75V 22A DPAK

    NXP USA Inc.

    		 9,073 -
    RFQ
    		BUK6240-75C,118

    Datenblatt

         		TrenchMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 22A (Tc) 4.5V, 10V 46mOhm @ 10A, 10V 2.8V @ 1mA 21.4 nC @ 10 V ±16V 1280 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
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