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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    FQI2N30TU

    FQI2N30TU

    MOSFET N-CH 300V 2.1A I2PAK

    Fairchild Semiconductor

    		 7,063 -
    RFQ
    		FQI2N30TU

    Datenblatt

         		QFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 2.1A (Tc) 10V 3.7Ohm @ 1.05A, 10V 5V @ 250µA 5 nC @ 10 V ±30V 130 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
    HUF76423D3

    HUF76423D3

    MOSFET N-CH 60V 20A IPAK

    Fairchild Semiconductor

    		 6,794 -
    RFQ
    		HUF76423D3

    Datenblatt

         		UltraFET™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 20A (Tc) 4.5V, 10V 32mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±16V 1060 pF @ 25 V - 85W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    NTLGF3501NT1G

    NTLGF3501NT1G

    MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN

    onsemi

    		 7,763 -
    RFQ
    		NTLGF3501NT1G

    Datenblatt

         		FETKY™ 6-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.8A (Ta) 2.5V, 4.5V 90mOhm @ 3.4A, 4.5V 2V @ 250µA 10 nC @ 4.5 V ±12V 275 pF @ 10 V - 1.14W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-DFN (3x3)
    GSFN3906

    GSFN3906

    MOSFET, N-CH, SINGLE, 60A, 30V,

    Good-Ark Semiconductor

    		 5,940 -
    RFQ
    		GSFN3906

    Datenblatt

         		- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 18 nC @ 4.5 V ±20V 1800 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PPAK (3.1x3.05)
    GSFN3908

    GSFN3908

    MOSFET, N-CH, SINGLE, 48A, 30V,

    Good-Ark Semiconductor

    		 5,915 -
    RFQ
    		GSFN3908

    Datenblatt

         		- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 48A (Tc) 4.5V, 10V 8.5mOhm @ 16A, 10V 2.5V @ 250µA 12 nC @ 4.5 V ±20V 1700 pF @ 25 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PPAK (3.1x3.05)
    GSGQ6988

    GSGQ6988

    MOSFET, N-CH, SINGLE, 7.4A, 65V,

    Good-Ark Semiconductor

    		 5,765 -
    RFQ
    		GSGQ6988

    Datenblatt

         		- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 65 V 7.4A (Ta) 4.5V, 10V 16mOhm @ 3A, 10V 2.5V @ 250µA 22 nC @ 10 V +20V, -12V 1300 pF @ 30 V - 1.47W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    FQI5N15TU

    FQI5N15TU

    MOSFET N-CH 150V 5.4A I2PAK

    Fairchild Semiconductor

    		 5,717 -
    RFQ
    		FQI5N15TU

    Datenblatt

         		QFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 5.4A (Tc) 10V 800mOhm @ 2.7A, 10V 4V @ 250µA 7 nC @ 10 V ±25V 230 pF @ 25 V - 3.75W (Ta), 54W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
    SSFN6907

    SSFN6907

    MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -60V

    Good-Ark Semiconductor

    		 5,570 -
    RFQ
    		SSFN6907

    Datenblatt

         		- 8-PowerVDFN Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 14A (Tc) 4.5V, 10V 68mOhm @ 8A, 10V 2.2V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V 1260 pF @ 30 V - 33.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PPAK (3.1x3.05)
    NTLGF3402PT1G

    NTLGF3402PT1G

    MOSFET P-CH 20V 2.3A 6DFN

    onsemi

    		 9,593 -
    RFQ
    		NTLGF3402PT1G

    Datenblatt

         		FETKY™ 6-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.3A (Ta) 2.5V, 4.5V 140mOhm @ 2.7A, 4.5V 2V @ 250µA 10 nC @ 4.5 V ±12V 350 pF @ 10 V - 1.14W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-DFN (3x3)
    BUK9509-40B,127

    BUK9509-40B,127

    MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

    NXP USA Inc.

    		 5,000 -
    RFQ
    		BUK9509-40B,127

    Datenblatt

         		* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    BUK9614-55A,118

    BUK9614-55A,118

    MOSFET N-CH 55V 73A D2PAK

    Nexperia USA Inc.

    		 6,680 -
    RFQ
    		BUK9614-55A,118

    Datenblatt

         		TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 73A (Tc) 4.5V, 10V 13mOhm @ 25A, 10V 2V @ 1mA - ±10V 3307 pF @ 25 V - 149W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
    BUK7513-75B,127

    BUK7513-75B,127

    MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB

    NXP USA Inc.

    		 4,636 -
    RFQ

    -

    		 * - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    2SJ320

    2SJ320

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Sanyo

    		 4,226 -
    RFQ
    		2SJ320

    Datenblatt

         		* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTD78N03R-1G

    NTD78N03R-1G

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    onsemi

    		 4,050 -
    RFQ
    		NTD78N03R-1G

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTB65N02RT4G

    NTB65N02RT4G

    MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK

    onsemi

    		 2,619 -
    RFQ
    		NTB65N02RT4G

    Datenblatt

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 7.6A (Tc) 4.5V, 10V 8.2mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 9.5 nC @ 4.5 V ±20V 1330 pF @ 20 V - 1.04W (Ta), 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    2SJ637-E

    2SJ637-E

    PCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    		 3,960 -
    RFQ
    		2SJ637-E

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    BUK664R6-40C,118

    BUK664R6-40C,118

    MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

    NXP USA Inc.

    		 3,800 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    HUFA75329S3ST

    HUFA75329S3ST

    MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

    Fairchild Semiconductor

    		 3,596 -
    RFQ
    		HUFA75329S3ST

    Datenblatt

         		UltraFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 49A (Tc) 10V 24mOhm @ 49A, 10V 4V @ 250µA 75 nC @ 20 V ±20V 1060 pF @ 25 V - 128W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    2SJ645-TL-E

    2SJ645-TL-E

    MOSFET P-CH

    onsemi

    		 3,500 -
    RFQ
    		2SJ645-TL-E

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    G6N02L

    G6N02L

    MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23-3L

    Goford Semiconductor

    		 3,379 -
    RFQ
    		G6N02L

    Datenblatt

         		TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 6A (Tc) 2.5V, 4.5V 11.3mOhm @ 3A, 4.5V 900mV @ 250µA 12.5 nC @ 10 V ±12V 1151 pF @ 15 V - 1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
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