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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    FQP2N50

    FQP2N50

    MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3

    Fairchild Semiconductor

    		 3,015 -
    RFQ
    		FQP2N50

    Datenblatt

         		QFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 2.1A (Tc) 10V 5.3Ohm @ 1.05A, 10V 5V @ 250µA 8 nC @ 10 V ±30V 230 pF @ 25 V - 55W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    CPH6339-TL-E

    CPH6339-TL-E

    MOSFET P-CH

    Sanyo

    		 3,014 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    ECH8607-TL-E

    ECH8607-TL-E

    N-CHANNEL SILICON MOSFET

    onsemi

    		 3,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    CPH6328-TL-E

    CPH6328-TL-E

    MOSFET P-CH

    Sanyo

    		 2,996 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IRLML6344TR

    IRLML6344TR

    MOSFET N-CH 30V 5A SOT23

    UMW

    		 2,955 -
    RFQ
    		IRLML6344TR

    Datenblatt

         		* TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5A (Ta) 2.5V, 4.5V 29mOhm @ 5A, 4.5V 1.1V @ 10µA - ±12V - - 1.3W (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
    FQB3N30TM

    FQB3N30TM

    MOSFET N-CH 300V 3.2A D2PAK

    Fairchild Semiconductor

    		 2,934 -
    RFQ
    		FQB3N30TM

    Datenblatt

         		QFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 3.2A (Tc) 10V 2.2Ohm @ 1.6A, 10V 5V @ 250µA 7 nC @ 10 V ±30V 230 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 55W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    AO3423A

    AO3423A

    SOT-23 POWER MOSFETS ROHS

    UMW

    		 2,905 -
    RFQ
    		AO3423A

    Datenblatt

         		UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2A (Ta) 2.5V, 4.5V 120mOhm @ 2.5A, 4.5V 1V @ 250µA 3.2 nC @ 4.5 V ±12V 325 pF @ 4.5 V - 1.4W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3L
    IRLML0040TR

    IRLML0040TR

    MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23

    UMW

    		 2,900 -
    RFQ
    		IRLML0040TR

    Datenblatt

         		* TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 3.6A (Ta) 4.5V, 10V 56mOhm @ 3.6A, 10V 2.5V @ 25µA - ±16V - - 1.3W (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
    HUF75332S3S

    HUF75332S3S

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    		 2,788 -
    RFQ
    		HUF75332S3S

    Datenblatt

         		UltraFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 52A (Tc) 10V 19mOhm @ 52A, 10V 4V @ 250µA 85 nC @ 20 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    SI2323DS

    SI2323DS

    MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

    UMW

    		 2,787 -
    RFQ
    		SI2323DS

    Datenblatt

         		* TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3.7A (Ta) 1.8V, 4.5V 39mOhm @ 4.7A, 4.5V 1V @ 250µA - ±8V - - 750mW (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
    FQP5N30

    FQP5N30

    MOSFET N-CH 300V 5.4A TO220-3

    Fairchild Semiconductor

    		 2,635 -
    RFQ
    		FQP5N30

    Datenblatt

         		QFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 5.4A (Tc) 10V 900mOhm @ 2.7A, 10V 5V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±30V 430 pF @ 25 V - 70W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    HAT1142R02-EL-E

    HAT1142R02-EL-E

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 2,500 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SI2319A

    SI2319A

    MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3

    UMW

    		 2,500 -
    RFQ
    		SI2319A

    Datenblatt

         		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 4.4A (Ta) 4.5V, 10V 70mOhm @ 4.4A, 10V 3V @ 250µA - ±20V - - 1.25W (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
    G02P06

    G02P06

    P60V,RD(MAX)<190M@-10V,RD(MAX)<2

    Goford Semiconductor

    		 2,412 -
    RFQ
    		G02P06

    Datenblatt

         		TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 1.6A (Tc) 4.5V, 10V 190mOhm @ 1A, 10V 2.5V @ 250µA 11.3 nC @ 10 V ±20V 566 pF @ 30 V - 1.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    IRF823

    IRF823

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    		 2,284 -
    RFQ
    		IRF823

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 450 V 2.2A (Tc) 10V 4Ohm @ 1.4A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 360 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    BUK9614-55A,118

    BUK9614-55A,118

    MOSFET N-CH 55V 73A D2PAK

    NXP USA Inc.

    		 2,273 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FQD4N50TF

    FQD4N50TF

    MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK

    Fairchild Semiconductor

    		 2,257 -
    RFQ
    		FQD4N50TF

    Datenblatt

         		QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 2.6A (Tc) 10V 2.7Ohm @ 1.3A, 10V 5V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±30V 460 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    FQI7P06TU

    FQI7P06TU

    MOSFET P-CH 60V 7A I2PAK

    Fairchild Semiconductor

    		 2,199 -
    RFQ
    		FQI7P06TU

    Datenblatt

         		QFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 7A (Tc) 10V 410mOhm @ 3.5A, 10V 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V ±25V 295 pF @ 25 V - 3.75W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
    SFT1305-TL-E

    SFT1305-TL-E

    P-CHANNEL SILICON MOSFET

    Sanyo

    		 2,100 -
    RFQ
    		SFT1305-TL-E

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTDV20N06LT4G

    NTDV20N06LT4G

    MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

    onsemi

    		 7,057 -
    RFQ

    -

    		 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 20A (Ta) 5V 48mOhm @ 10A, 5V 2V @ 250µA 32 nC @ 5 V ±15V 990 pF @ 25 V - 1.36W (Ta), 60W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
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