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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    FDFS2P102

    FDFS2P102

    MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    		 14,802 -
    RFQ
    		FDFS2P102

    Datenblatt

         		- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3.3A (Ta) 4.5V, 10V 125mOhm @ 3.3A, 10V 2V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V 270 pF @ 10 V Schottky Diode (Isolated) 900mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    UPA2592T1H-T1-AT

    UPA2592T1H-T1-AT

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 12,000 -
    RFQ
    		UPA2592T1H-T1-AT

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SSF6912

    SSF6912

    MOSFET, N-CHANNEL, 60V, 5A, SOT-

    Good-Ark Semiconductor

    		 11,983 -
    RFQ
    		SSF6912

    Datenblatt

         		- SOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 2.9A (Ta) 4.5V, 10V 75mOhm @ 2A, 10V 2.5V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 725 pF @ 15 V - 1W (Ta) -50°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-6L
    FDFS2P103A

    FDFS2P103A

    MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    		 11,013 -
    RFQ
    		FDFS2P103A

    Datenblatt

         		PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.3A (Ta) 4.5V, 10V 59mOhm @ 5.3A, 10V 3V @ 250µA 8 nC @ 5 V ±25V 535 pF @ 15 V Schottky Diode (Isolated) 900mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    RJK03M7DPA-00#J5A

    RJK03M7DPA-00#J5A

    MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK

    Renesas Electronics Corporation

    		 9,000 -
    RFQ
    		RJK03M7DPA-00#J5A

    Datenblatt

         		- 8-WFDFN Exposed Pad Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Ta) - 9.6mOhm @ 15A, 10V - 6.6 nC @ 4.5 V - 1120 pF @ 10 V - 25W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-WPAK
    BSF110N06NT3GXUMA1

    BSF110N06NT3GXUMA1

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Infineon Technologies

    		 8,800 -
    RFQ
    		BSF110N06NT3GXUMA1

    Datenblatt

         		OptiMOS™ 3 DirectFET™ Isometric ST Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 47A (Tc) 10V 11mOhm @ 30A, 10V 4V @ 33µA 46 nC @ 10 V ±20V 3700 pF @ 30 V - 38W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount MG-WDSON-2
    MPF6659RLRA

    MPF6659RLRA

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    onsemi

    		 8,394 -
    RFQ
    		MPF6659RLRA

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPP80CN10NGXKSA1

    IPP80CN10NGXKSA1

    PFET, 13A I(D), 100V, 0.08OHM, 1

    Infineon Technologies

    		 5,891 -
    RFQ
    		IPP80CN10NGXKSA1

    Datenblatt

         		OptiMOS™ 2 TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 13A (Tc) 10V 80mOhm @ 13A, 10V 4V @ 12µA 11 nC @ 10 V ±20V 716 pF @ 50 V - 31W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-123
    FQU9N25TU

    FQU9N25TU

    MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK

    onsemi

    		 3,583 -
    RFQ
    		FQU9N25TU

    Datenblatt

         		QFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 7.4A (Tc) 10V 420mOhm @ 3.7A, 10V 5V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±30V 700 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 55W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    2SK2111-D-T1-AZ

    2SK2111-D-T1-AZ

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 5,000 -
    RFQ
    		2SK2111-D-T1-AZ

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTD4854N-35G

    NTD4854N-35G

    MOSFET N-CH 25V 15.7A/128A IPAK

    onsemi

    		 4,460 -
    RFQ
    		NTD4854N-35G

    Datenblatt

         		- TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 15.7A (Ta), 128A (Tc) 4.5V, 10V 3.6mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 49.2 nC @ 4.5 V ±20V 4600 pF @ 12 V - 1.43W (Ta), 93.75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    NVTP2955G

    NVTP2955G

    MOSFET 60V 12A 196

    onsemi

    		 9,553 -
    RFQ

    -

    		 - - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - Automotive AEC-Q101 - -
    MTB55N06Z

    MTB55N06Z

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    onsemi

    		 3,606 -
    RFQ
    		MTB55N06Z

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    MTD5N25E1

    MTD5N25E1

    NFET DPAK 250V 1.0R

    onsemi

    		 3,450 -
    RFQ
    		MTD5N25E1

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    AO3407A

    AO3407A

    30V 4.1A 52MR@10V,4.1A 1.4W 3V@2

    UMW

    		 3,421 -
    RFQ
    		AO3407A

    Datenblatt

         		UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.2A (Ta) 4.5V, 10V 52mOhm @ 4.1A, 10V 3V @ 250µA 14.3 nC @ 4.5 V ±20V 700 pF @ 15 V - 1.4W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    AO3415A

    AO3415A

    20V 4A [email protected],4A 350MW 1V@250

    UMW

    		 3,000 -
    RFQ
    		AO3415A

    Datenblatt

         		UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4A (Ta) 2.5V, 4.5V 36mOhm @ 4A, 4.5V 1V @ 250µA 17.2 nC @ 4.5 V ±8V 1450 pF @ 10 V - 350mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    FDN338P-EV

    FDN338P-EV

    MOSFET P-CH 20V 1.6A SOT-23

    EVVO

    		 3,000 -
    RFQ
    		FDN338P-EV

    Datenblatt

         		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.8A (Ta) 2.5V, 4.5V 112mOhm @ 2.8A, 4.5V 1V @ 250µA 10 nC @ 4.5 V ±8V 405 pF @ 10 V - 400mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    FQP17N08L

    FQP17N08L

    MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3

    Fairchild Semiconductor

    		 2,957 -
    RFQ
    		FQP17N08L

    Datenblatt

         		QFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 16.5A (Tc) 5V, 10V 100mOhm @ 8.25A, 10V 2V @ 250µA 11.5 nC @ 5 V ±20V 520 pF @ 25 V - 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    SI2328A

    SI2328A

    SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R

    UMW

    		 2,788 -
    RFQ
    		SI2328A

    Datenblatt

         		UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 1.15A (Ta) 4.5V, 10V 245mOhm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 4 nC @ 10 V ±20V - - 730mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    2SK2111-T1-AY

    2SK2111-T1-AY

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 2,500 -
    RFQ
    		2SK2111-T1-AY

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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