FETs, MOSFETs

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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FETs und MOSFETs

TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
NCV81342CBATXG

NCV81342CBATXG

MOSFET

onsemi

1,000 -
RFQ

-

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IPD030N03LF2SATMA1

IPD030N03LF2SATMA1

MOSFET N-CH 30V 160A DPAK

Infineon Technologies

2,000 -
RFQ
IPD030N03LF2SATMA1

Datenblatt

StrongIRFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 24A (Ta), 99A (Tc) 4.5V, 10V 3.05mOhm @ 60A, 10V 2.35V @ 40µA 50 nC @ 10 V ±20V 2200 pF @ 15 V - 3W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-34
APT60M75L2FLLG

APT60M75L2FLLG

MOSFET N-CH 600V 73A 264 MAX

Microchip Technology

82 -
RFQ
APT60M75L2FLLG

Datenblatt

POWER MOS 7® TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 73A (Tc) 10V 75mOhm @ 36.5A, 10V 5V @ 5mA 195 nC @ 10 V ±30V 8930 pF @ 25 V - 893W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 264 MAX™ [L2]
C3M0016120K1

C3M0016120K1

MOSFET N-CH 1200V 125A TO247-4L

Wolfspeed, Inc.

325 -
RFQ
C3M0016120K1

Datenblatt

- TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 125A (Tc) 15V 22mOhm @ 80.28A, 15V 3.8V @ 22.08mA 223 nC @ 15 V +19V, -8V 6922 pF @ 1000 V - 483W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
APL502B2G

APL502B2G

MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX

Microchip Technology

106 -
RFQ
APL502B2G

Datenblatt

- TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 58A (Tc) 15V 90mOhm @ 29A, 12V 4V @ 2.5mA - ±30V 9000 pF @ 25 V - 730W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™ [B2]
DIW120SIC022-AQ

DIW120SIC022-AQ

SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 120A,

Diotec Semiconductor

150 -
RFQ
DIW120SIC022-AQ

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 120A (Tc) 18V 22.3mOhm @ 75A, 18V 4V @ 23.5mA 269 nC @ 18 V +18V, -4V 4817 pF @ 1000 V - 340W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247
DIF120SIC022-AQ

DIF120SIC022-AQ

SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A,

Diotec Semiconductor

150 -
RFQ
DIF120SIC022-AQ

Datenblatt

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 120A (Tc) 18V 22.3mOhm @ 75A, 18V 4V @ 23.5mA 269 nC @ 18 V +18V, -4V 4817 pF @ 1000 V - 340W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4
TW015Z120C,S1F

TW015Z120C,S1F

G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1

Toshiba Semiconductor and Storage

68 -
RFQ
TW015Z120C,S1F

Datenblatt

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 100A (Tc) 18V 21mOhm @ 50A, 18V 5V @ 11.7mA 158 nC @ 18 V +25V, -10V 6000 pF @ 800 V - 431W (Tc) 175°C - - Through Hole TO-247-4L(X)
IXFN55N120SK

IXFN55N120SK

SIC AND MULTICHIP DISCRETE

IXYS

182 -
RFQ
IXFN55N120SK

Datenblatt

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 54A (Tc) 15V 42mOhm @ 40A, 15V 3.6V @ 12mA 107 nC @ 15 V +15V, -4V 3360 pF @ 1000 V - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
DIW120SIC023-AQ

DIW120SIC023-AQ

MOSFET TO-247-3L N 130A 1200V

Diotec Semiconductor

705 -
RFQ
DIW120SIC023-AQ

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 125A (Tc) 18V 23mOhm @ 75A, 18V 2.9V @ 250µA 45 nC @ 18 V - 6150 pF @ 1000 V - 600W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247
DF17MR12W1M1HFB68BPSA1

DF17MR12W1M1HFB68BPSA1

LOW POWER EASY

Infineon Technologies

33 -
RFQ
DF17MR12W1M1HFB68BPSA1

Datenblatt

EasyPACK™ Module Tray Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 45A (Tj) 15V, 18V 16.2mOhm @ 50A, 18V 5.15V @ 20mA 149 nC @ 18 V +20V, -7V 4400 pF @ 800 V - - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
CDA04N30X1C

CDA04N30X1C

GANFET 40V 30A .004 OHM 4DAPT

EPC Space, LLC

88 -
RFQ

-

- - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
CDA10N30X1C

CDA10N30X1C

GANFET 100V 30A .009 OHM 4DAPT

EPC Space, LLC

100 -
RFQ

-

- - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
CDA10N05X2C

CDA10N05X2C

GANFET 100V 5A .030 OHM 4DAPT

EPC Space, LLC

100 -
RFQ

-

- - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
CDA20N18X3C

CDA20N18X3C

GANFET 200V 18A .025 OHM 4DAPT

EPC Space, LLC

64 -
RFQ

-

- - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
EPC7004BC

EPC7004BC

GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B

EPC Space, LLC

41 -
RFQ
EPC7004BC

Datenblatt

- 4-SMD, No Lead Tray Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 100 V 30A (Tc) 5V 13mOhm @ 30A, 5V 2.5V @ 7mA 7 nC @ 5 V +6V, -4V 797 pF @ 50 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-SMD
EPC7001BC

EPC7001BC

GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B

EPC Space, LLC

146 -
RFQ

-

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
EPC7002AC

EPC7002AC

GAN FET HEMT 40V 8A COTS 4FSMD-A

EPC Space, LLC

89 -
RFQ

-

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
EPC7007BSH

EPC7007BSH

GAN FET HEMT 200V 18A 4UB

EPC Space, LLC

50 -
RFQ
EPC7007BSH

Datenblatt

eGaN®, FSMD-B 4-SMD, No Lead Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 18A (Tc) 5V 28mOhm @ 18A, 5V 2.5V @ 3mA 7 nC @ 5 V +6V, -4V 900 pF @ 100 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-SMD
EPC7001BSH

EPC7001BSH

GAN FET HEMT 40V 30A 4FSMD-B

EPC Space, LLC

50 -
RFQ

-

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
Total 36284 Record«Prev1... 327328329330331332333334...1815Next»
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