EPC Space, LLC EPC7007BSH

EPC7007BSH Supplier & Distributor

EPC7007BSH is an electronic component from EPC Space, LLC. TomatoElec is an in-stock independent distributor supporting original component sourcing, inventory checks and BOM purchasing needs.

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  • Original component sourcing support
  • In-stock inventory checking
  • RFQ and availability confirmation
  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
EPC7007BSH
Hersteller:
EPC Space, LLC
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
4-SMD, No Lead
Datenblatt:
TomatoElecEPC7007BSH.pdf
Beschreibung:
GAN FET HEMT 200V 18A 4UB
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About EPC7007BSH

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EPC7007BSH Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
EPC Space, LLC
Serie:
eGaN®, FSMD-B
Verpackung/Gehäuse:
4-SMD, No Lead
Verpackung:
Bulk
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
200 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
28mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 3mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
7 nC @ 5 V
Vgs (Max):
+6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
900 pF @ 100 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
-
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
4-SMD
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. EPC7007BSH
Hersteller EPC Space, LLC
Serie eGaN®, FSMD-B
Verpackung/Gehäuse 4-SMD, No Lead
Verpackung Bulk
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 3mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 5 V
Vgs (Max) +6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Leistungsverlust (Max) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 4-SMD

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