Rohm Semiconductor RTQ035N03HZGTR

RTQ035N03HZGTR Supplier & Distributor

RTQ035N03HZGTR is an electronic component manufactured by Rohm Semiconductor. We are a professional electronic components supplier providing original parts with large stock available in Shenzhen Huaqiangbei.

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RTQ035N03HZGTR
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt:
TomatoElecRTQ035N03HZGTR.pdf
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
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RTQ035N03HZGTR Spezifikationen

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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Rohm Semiconductor
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
30 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
3.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
54mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
6.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max):
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
285 pF @ 10 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
950mW (Ta)
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Klasse:
Automotive
Qualifizierung:
AEC-Q101
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
TSMT6 (SC-95)
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. RTQ035N03HZGTR
Hersteller Rohm Semiconductor
Serie -
Verpackung/Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 3.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 54mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 6.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 285 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Leistungsverlust (Max) 950mW (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Klasse Automotive
Qualifizierung AEC-Q101
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket TSMT6 (SC-95)

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