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Vishay Siliconix SISA14BDN-T1-GE3
SISA14BDN-T1-GE3 Supplier & Distributor
SISA14BDN-T1-GE3 is an electronic component manufactured by Vishay Siliconix. We are a professional electronic components supplier providing original parts with large stock available in Shenzhen Huaqiangbei.
We supply SISA14BDN-T1-GE3 with competitive pricing, fast global delivery and reliable sourcing services for OEM, EMS and electronic trading companies.
- Original and genuine components
- Large stock inventory available
- Fast worldwide shipping
- Support for bulk orders
- Teilenr.:
- SISA14BDN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Kategorie:
- FETs, MOSFETs
- Gehäuse:
- PowerPAK® 1212-8
- Datenblatt:
-
SISA14BDN-T1-GE3.pdf
- Beschreibung:
- N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
- Menge:
Stückpreis:$0
Gesamtpreis:$0
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Inventar:13,005
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About SISA14BDN-T1-GE3
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SISA14BDN-T1-GE3 Spezifikationen
- Spezifikationen
- FAQ
- Beiträge
- Attribute
- Eigenschaftswert
- Hersteller
- Vishay Siliconix
- Serie:
- TrenchFET® Gen IV
- Verpackung/Gehäuse:
- PowerPAK® 1212-8
- Verpackung:
- Tape & Reel (TR)
- Produktstatus:
- Active
- FET-Typ:
- N-Channel
- Technologie:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (Vdss):
- 30 V
- Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
- 21A (Ta), 72A (Tc)
- Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
- 4.5V, 10V
- Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
- 5.38mOhm @ 10A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id:
- 2.2V @ 250µA
- Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
- 22 nC @ 10 V
- Vgs (Max):
- +20V, -16V
- Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
- 917 pF @ 15 V
- FET-Funktion:
- -
- Leistungsverlust (Max):
- 3.8W (Ta), 45W (Tc)
- Betriebstemperatur:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Klasse:
- -
- Qualifizierung:
- -
- Montageart:
- Surface Mount
- Lieferant Gerätepaket:
- PowerPAK® 1212-8
- Kategorie:
- FETs, MOSFETs
1. Wie kann ich SISA14BDN-T1-GE3 bei Hongkong Tomato Electronics Co., Ltd.， bestellen?
Sie können direkt über unsere Website eine RFQ-Anfrage für SISA14BDN-T1-GE3 senden. Nach Eingang Ihrer Anfrage wird sich unser Vertriebsteam mit Preis, Verfügbarkeit, Lieferzeit und Bestelldetails bei Ihnen melden. Sobald Sie das Angebot bestätigen, unterstützen wir Sie bei der Abwicklung des Auftrags.
2. Wie stellt Hongkong Tomato Electronics Co., Ltd.， sicher, dass SISA14BDN-T1-GE3 original und zuverlässig ist?
Hongkong Tomato Electronics Co., Ltd.， arbeitet mit qualifizierten Beschaffungskanälen und wendet strenge Qualitätskontrollverfahren für elektronische Bauteile einschließlich SISA14BDN-T1-GE3 an. Wir achten besonders auf Lieferantenauswahl, Produktprüfung und Lieferqualität, damit Kunden mit Vertrauen einkaufen können.
3. Sind Preis und Lagerbestand von SISA14BDN-T1-GE3 genau?
Preis und Lagerbestand von SISA14BDN-T1-GE3 können sich aufgrund von Marktsituation und Bestandsbewegungen ändern. Wir aktualisieren die Informationen so häufig wie möglich, jedoch sollten endgültiger Preis und Verfügbarkeit immer durch unser Vertriebsteam bestätigt werden. In den meisten Fällen ist ein Angebot 3 bis 5 Tage gültig.
4. Welche Zahlungsmethoden werden akzeptiert?
In der Regel akzeptieren wir Banküberweisung, PayPal, Alipay, WeChat Pay, Kreditkarte, Western Union sowie weitere vereinbarte Zahlungsmethoden, abhängig von Bestellung und Kundenstandort.
Bitte beachten Sie, dass bei einigen Zahlungsmethoden zusätzliche Bearbeitungsgebühren anfallen können.
5. Wie wird der Versand organisiert?
Kunden können große internationale Versanddienstleister wie DHL, UPS, FedEx sowie andere verfügbare Versandarten wählen. Die Versandoptionen hängen von Paketgröße, Zielort und Dringlichkeit ab.
Nach dem Versand sendet Ihnen unser Team den Versandstatus und die Sendungsnummer per E-Mail zu.
Bitte beachten Sie, dass Tracking-Informationen nach dem Versand erst nach einiger Zeit aktiv werden können.
6. Wie lautet die Rückgabe- oder Ersatzrichtlinie für SISA14BDN-T1-GE3?
Alle Sendungen werden vor dem Versand geprüft. Wenn es ein bestätigtes Problem mit dem gelieferten SISA14BDN-T1-GE3 gibt, zum Beispiel falsche Menge, falscher Artikel oder ein bestätigtes Produktproblem, kontaktieren Sie uns bitte so schnell wie möglich.
Rückgabe- oder Ersatzanfragen werden in der Regel nur akzeptiert, wenn das Teil unbenutzt ist, sich in der Originalverpackung befindet und das Problem innerhalb der vereinbarten Frist nach Lieferung gemeldet wird.
Bitte kontaktieren Sie unser Team, bevor Sie Ware zurücksenden, damit wir das Problem prüfen und Ihnen die Rücksendeanweisungen geben können.
7. Wie kann ich technischen Support erhalten, zum Beispiel ein Datenblatt oder Spezifikationen für SISA14BDN-T1-GE3?
Wenn Sie technischen Support für SISA14BDN-T1-GE3 benötigen, einschließlich Datenblättern, Spezifikationen oder allgemeiner Produktinformationen, kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsteam. Wir werden unser Bestes tun, um Ihnen die entsprechenden Informationen bereitzustellen.
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| Bilder |  |
| Teilenr. | SISA14BDN-T1-GE3 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| Verpackung/Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Produktstatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C | 21A (Ta), 72A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5.38mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 917 pF @ 15 V |
| FET-Funktion | - |
| Leistungsverlust (Max) | 3.8W (Ta), 45W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Klasse | - |
| Qualifizierung | - |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferant Gerätepaket | PowerPAK® 1212-8 |
SISA14BDN-T1-GE3 Relevante Informationen
- SISA14BDN-T1-GE3 Tags
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