FETs, MOSFETs

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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FETs und MOSFETs

TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
SMBF1026LT1G

SMBF1026LT1G

NFET SOT23 SPCL 60V TR

onsemi

38,200 -
RFQ

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
SVC6H890N

SVC6H890N

SVC6H890N

onsemi

8,141 -
RFQ

-

- Die Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 620A (Ta) 10V 0.53mOhm @ 50A, 10V 3.7V @ 1.4mA 485 nC @ 10 V ±20V 31000 pF @ 48 V - - -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount Die
2N7002K

2N7002K

MOSFET SOT-23 N Channel 60V

MDD

777,000 -
RFQ
2N7002K

Datenblatt

SOT-23 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 500mA (Ta) 4.5V, 10V 900mOhm @ 300mA, 10V 2.5V @ 250µA 0.31 nC @ 10 V ±20V 23.8 pF @ 10 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C - - Surface Mount SOT-23
PMT760EN,115

PMT760EN,115

MOSFET N-CH 100V 900MA SOT223

NXP USA Inc.

3,410 -
RFQ

-

- TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 900mA (Ta) 4.5V, 10V 950mOhm @ 800mA, 10V 2.5V @ 250µA 3 nC @ 10 V ±20V 160 pF @ 80 V - 800mW (Ta), 6.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-73
MMBF2202PT1

MMBF2202PT1

MOSFET P-CH 20V 0.3A SOT-323

onsemi

6,628 -
RFQ
MMBF2202PT1

Datenblatt

- SC-70, SOT-323 Cut Tape (CT) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 300mA (Ta) - 2.2Ohm @ 200mA, 10V 2.4V @ 250µA 2.7 nC @ 10 V - 50 pF @ 5 V - - - - - Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
BSH111,215

BSH111,215

MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23

NXP USA Inc.

357,331 -
RFQ

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
5HN02M-TL-E

5HN02M-TL-E

N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET

onsemi

144,000 -
RFQ

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
5HP02M-TL-E

5HP02M-TL-E

P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET

onsemi

108,000 -
RFQ

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PMF780SN,115

PMF780SN,115

MOSFET N-CH 60V 570MA SOT323-3

NXP USA Inc.

4,911 -
RFQ
PMF780SN,115

Datenblatt

TrenchMOS™ SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 570mA (Ta) 10V 920mOhm @ 300mA, 10V 2V @ 250µA 1.05 nC @ 10 V ±20V 23 pF @ 30 V - 560mW (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-70
3LN01SP-AC

3LN01SP-AC

NCH 1.5V DRIVE SERIES

onsemi

80,000 -
RFQ
3LN01SP-AC

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
3LN02C-TB-E

3LN02C-TB-E

NCH 1.5V DRIVE SERIES

onsemi

72,000 -
RFQ

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PMN70XPE,115

PMN70XPE,115

NOW NEXPERIA PMN70XPE - SC-74

NXP USA Inc.

41,368 -
RFQ
PMN70XPE,115

Datenblatt

- SC-74, SOT-457 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3.2A (Ta) 2.5V, 4.5V 85mOhm @ 2A, 4.5V 1.25V @ 250µA 7.8 nC @ 4.5 V ±12V 602 pF @ 10 V - 500mW (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-TSOP
EC4303C-TL

EC4303C-TL

PCH 4V DRIVE SERIES

onsemi

30,000 -
RFQ

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK1839-TL-E

2SK1839-TL-E

NCH 0.1A 30V MOSFET

onsemi

24,000 -
RFQ
2SK1839-TL-E

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
BSD214SNL6327

BSD214SNL6327

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Infineon Technologies

22,000 -
RFQ
BSD214SNL6327

Datenblatt

OptiMOS™ 2 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 1.5A (Ta) 2.5V, 4.5V 140mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.2V @ 3.7µA 0.8 nC @ 5 V ±12V 143 pF @ 10 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT363-6-6
PMT760EN,135

PMT760EN,135

MOSFET N-CH 100V 900MA SOT223

NXP USA Inc.

2,671 -
RFQ
PMT760EN,135

Datenblatt

- TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 900mA (Ta) 4.5V, 10V 950mOhm @ 800mA, 10V 2.5V @ 250µA 3 nC @ 10 V ±20V 160 pF @ 80 V - 800mW (Ta), 6.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-73
06N06L

06N06L

MOSFET N-CH 60V 5.5A SOT-23-3L

Goford Semiconductor

39,000 -
RFQ
06N06L

Datenblatt

TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) - 5.5A - 42mOhm @ 3A, 10V 2.5V @ 250µA - ±20V 765 pF @ 30 V - 960mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
2N7002K-EVL-CT

2N7002K-EVL-CT

MOSFET Single,SOT-23,60V,300mA,N

Venkel

20,515 -
RFQ

-

MST - Strip Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 300mA (Ta) 4.5V, 10V 3Ohm @ 500mA, 10V - 0.8 nC @ 5 V ±20V 35 pF @ 25 V - 350mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MCH5809-TL-E

MCH5809-TL-E

NCH+SBD 2.5V DRIVE SERIES

onsemi

666,000 -
RFQ

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PMXB350UPEZ

PMXB350UPEZ

NEXPERIA PMXB350UPE - 20 V, P-CH

NXP Semiconductors

665,986 -
RFQ
PMXB350UPEZ

Datenblatt

- 3-XDFN Exposed Pad Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 1.2A (Ta) 1.2V, 4.5V 447mOhm @ 1.2A, 4.5V 950mV @ 250µA 2.3 nC @ 4.5 V ±8V 116 pF @ 10 V - 360mW (Ta), 5.68W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN1010D-3
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