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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    NVH4L025N065SC1

    NVH4L025N065SC1

    SIC MOS TO247-4L 650V

    onsemi

    		 882 -
    RFQ
    		NVH4L025N065SC1

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 99A (Tc) 15V, 18V 28.5mOhm @ 45A, 18V 4.3V @ 15.5mA 164 nC @ 18 V +22V, -8V 3480 pF @ 325 V - 348W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    IPQC60R010S7XTMA1

    IPQC60R010S7XTMA1

    MOSFET

    Infineon Technologies

    		 750 -
    RFQ
    		IPQC60R010S7XTMA1

    Datenblatt

         		CoolMOS™ S7 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 50A (Tc) 12V 10mOhm @ 50A, 12V 4.5V @ 3.08mA 318 nC @ 12 V ±20V - - 694W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-22
    NTHL019N60S5F

    NTHL019N60S5F

    SUPERFET5 FRFET, 19MOHM, TO-247-

    onsemi

    		 442 -
    RFQ
    		NTHL019N60S5F

    Datenblatt

         		SuperFET® V, FRFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 75A (Tc) 10V 19mOhm @ 37.5A,10V 4.8V @ 15.7mA 252 nC @ 10 V ±30V 13400 pF @ 400 V - 568W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    E3M0040120J2-TR

    E3M0040120J2-TR

    40m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL

    Wolfspeed, Inc.

    		 736 -
    RFQ
    		E3M0040120J2-TR

    Datenblatt

         		E TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 63A (Tc) 15V 53mOhm @ 31.9A, 15V 3.8V @ 8.77mA 91 nC @ 15 V +19V, -8V 2726 pF @ 1000 V - 294W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
    AOM020V120X2

    AOM020V120X2

    1200V SILICON CARBIDE MOSFET

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 230 -
    RFQ
    		AOM020V120X2

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 89A (Tc) 15V 28mOhm @ 27A, 15V 2.8V @ 27mA 166 nC @ 15 V +18V, -8V 5180 pF @ 800 V - 348W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    S2M0016120D-1

    S2M0016120D-1

    MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

    SMC Diode Solutions

    		 300 -
    RFQ
    		S2M0016120D-1

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 140A (Tc) 18V, 20V 23mOhm @ 75A, 20V 3.6V @ 23mA 285 nC @ 20 V +20V, -5V 4540 pF @ 1000 V - 517W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    NVH4L030N120M3S

    NVH4L030N120M3S

    SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI

    onsemi

    		 393 -
    RFQ
    		NVH4L030N120M3S

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 73A (Tc) 18V 39mOhm @ 30A, 18V 4.4V @ 15mA 107 nC @ 18 V +22V, -10V 2430 pF @ 800 V - 313W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    S2M0016120K-1

    S2M0016120K-1

    MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

    SMC Diode Solutions

    		 147 -
    RFQ
    		S2M0016120K-1

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 140A (Tc) 18V, 20V 23mOhm @ 75A, 20V 3.6V @ 23mA 285 nC @ 20 V +20V, -5V 4540 pF @ 1000 V - 517W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    TSG65N068CE RVG

    TSG65N068CE RVG

    650V, 30A, PDFN88, E-MODE GAN TR

    Taiwan Semiconductor Corporation

    		 2,962 -
    RFQ
    		TSG65N068CE RVG

    Datenblatt

         		* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    C3M0065100J-TR

    C3M0065100J-TR

    SICFET N-CH 1000V 35A TO263-7

    Wolfspeed, Inc.

    		 788 -
    RFQ
    		C3M0065100J-TR

    Datenblatt

         		C3M™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Last Time Buy N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1000 V 35A (Tc) 15V 78mOhm @ 20A, 15V 3.5V @ 5mA 35 nC @ 15 V +15V, -4V 660 pF @ 600 V - 113.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    G3F20MT12J-TR

    G3F20MT12J-TR

    1200V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFE

    GeneSiC Semiconductor

    		 800 -
    RFQ

    -

    		 - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 108A (Tc) 18V 26.5mOhm @ 40A, 18V 4.3V @ 30mA 176 nC @ 18 V +22V, -10V 4317 pF @ 800 V - 448W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
    IMZA75R016M1HXKSA1

    IMZA75R016M1HXKSA1

    SILICON CARBIDE MOSFET

    Infineon Technologies

    		 210 -
    RFQ
    		IMZA75R016M1HXKSA1

    Datenblatt

         		CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 89A (Tj) 15V, 20V 15mOhm @ 41.5A, 20V 5.6V @ 14.9mA 81 nC @ 18 V +23V, -5V 2869 pF @ 500 V - 319W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4
    AIMZA75R016M1HXKSA1

    AIMZA75R016M1HXKSA1

    SICFET N-CH 750V 89A PG-TO247-4

    Infineon Technologies

    		 213 -
    RFQ
    		AIMZA75R016M1HXKSA1

    Datenblatt

         		CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 89A (Tc) 15V, 20V 22mOhm @ 41.5A, 18V 5.6V @ 14.9mA 81 nC @ 18 V +23V, -5V 2869 pF @ 500 V - 319W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO247-4
    DIF120SIC053-AQ

    DIF120SIC053-AQ

    MOSFET TO-247-4L N 65A 1200V

    Diotec Semiconductor

    		 433 -
    RFQ
    		DIF120SIC053-AQ

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 65A (Tc) 18V 53mOhm @ 33A, 18V 4V @ 9.5mA 121 nC @ 15 V - 2070 pF @ 1000 V - 278W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4
    DIW120SIC059-AQ

    DIW120SIC059-AQ

    MOSFET TO-247-3L N 65A 1200V

    Diotec Semiconductor

    		 430 -
    RFQ
    		DIW120SIC059-AQ

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 65A (Tc) 18V 53mOhm @ 33A, 18V 4V @ 9.5mA 121 nC @ 15 V - 2070 pF @ 1000 V - 278W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247
    AOK015V75X2Q

    AOK015V75X2Q

    750V SILICON CARBIDE MOSFET

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 226 -
    RFQ
    		AOK015V75X2Q

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 96A (Tc) 15V 22mOhm @ 24A, 15V 3.5V @ 24mA 152 nC @ 15 V +15V, -5V 4880 pF @ 400 V - 312W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247
    AOM015V75X2Q

    AOM015V75X2Q

    750V SILICON CARBIDE MOSFET

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 205 -
    RFQ
    		AOM015V75X2Q

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 96A (Tc) 15V 22mOhm @ 24A, 15V 3.5V @ 24mA 152 nC @ 15 V +15V, -5V 4880 pF @ 400 V - 312W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    IMW65R010M2HXKSA1

    IMW65R010M2HXKSA1

    IMW65R010M2HXKSA1

    Infineon Technologies

    		 396 -
    RFQ
    		IMW65R010M2HXKSA1

    Datenblatt

         		CoolSiC™ TO-247-3 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 130A (Tc) 15V, 20V 9.1mOhm @ 92.1A, 20V 5.6V @ 18.7mA 112 nC @ 18 V +23V, -7V 4001 pF @ 400 V - 440W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-40
    G3F20MT12K

    G3F20MT12K

    1200V 20M TO-247-4 G3F SIC MOSFE

    GeneSiC Semiconductor

    		 595 -
    RFQ

    -

    		 - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V - - - - - - - - - - - - Through Hole TO-247-4
    NVHL070N120M3S

    NVHL070N120M3S

    SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3

    onsemi

    		 410 -
    RFQ
    		NVHL070N120M3S

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 34A (Tc) 18V 87mOhm @ 15A, 18V 4.4V @ 7mA 57 nC @ 18 V +22V, -10V 1230 pF @ 800 V - 160W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
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