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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    NSF060120L4A0Q

    NSF060120L4A0Q

    NSF060120L4A0/SOT8071/TO247-4L

    Nexperia USA Inc.

    		 450 -
    RFQ
    		NSF060120L4A0Q

    Datenblatt

         		- - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPDQ60R017S7AXTMA1

    IPDQ60R017S7AXTMA1

    MOSFET

    Infineon Technologies

    		 750 -
    RFQ
    		IPDQ60R017S7AXTMA1

    Datenblatt

         		CoolMOS™ S7 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 12V 17mOhm @ 29A, 12V 4.5V @ 1.89mA 196 nC @ 12 V ±20V 7370 pF @ 300 V - 500W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-22-1
    IMZC120R026M2HXKSA1

    IMZC120R026M2HXKSA1

    IMZC120R026M2HXKSA1

    Infineon Technologies

    		 215 -
    RFQ
    		IMZC120R026M2HXKSA1

    Datenblatt

         		CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 69A (Tc) 15V, 18V 25mOhm @ 27A, 18V 5.1V @ 8.6mA 60 nC @ 18 V +23V, -7V 1990 pF @ 800 V - 289W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4-17
    IMZA75R027M1HXKSA1

    IMZA75R027M1HXKSA1

    SILICON CARBIDE MOSFET

    Infineon Technologies

    		 239 -
    RFQ
    		IMZA75R027M1HXKSA1

    Datenblatt

         		CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 60A (Tj) 15V, 20V 25mOhm @ 24.5A, 20V 5.6V @ 8.8mA 49 nC @ 18 V +23V, -5V 1668 pF @ 500 V - 234W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4
    AOK065V120X2

    AOK065V120X2

    SILICON CARBIDE MOSFET, ENHANCEM

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 118 -
    RFQ
    		AOK065V120X2

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 40.3A (Tc) 15V 85mOhm @ 20A, 15V 3.5V @ 250µA 62.3 nC @ 15 V +18V, -8V 1716 pF @ 800 V - 187.5W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    SCT060HU75G3AG

    SCT060HU75G3AG

    AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

    STMicroelectronics

    		 582 -
    RFQ
    		SCT060HU75G3AG

    Datenblatt

         		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 30A (Tc) 15V, 18V 78mOhm @ 15A, 18V 4.2V @ 1mA 29 nC @ 18 V 4.2V @ 1mA 680 pF @ 400 V - 185W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount HU3PAK
    IPZA60R016CM8XKSA1

    IPZA60R016CM8XKSA1

    IPZA60R016CM8XKSA1

    Infineon Technologies

    		 391 -
    RFQ

    -

    		 CoolMOS™ TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 123A (Tc) 10V 16mOhm @ 62.5A, 10V 4.7V @ 1.48mA 171 nC @ 10 V ±20V 7545 pF @ 400 V - 521W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4-U02
    NVBG023N065M3S

    NVBG023N065M3S

    SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S

    onsemi

    		 1,600 -
    RFQ

    -

    		 - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 70A (Tc) 15V, 18V 33mOhm @ 20A, 18V 4V @ 10mA 69 nC @ 18 V +22V, -8V 1951 pF @ 400 V - 263W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK-7
    G3F33MT06K

    G3F33MT06K

    650V 27M TO-247-4 G3F SIC MOSFET

    GeneSiC Semiconductor

    		 600 -
    RFQ

    -

    		 - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 74A (Tc) 15V, 18V 38mOhm @ 26A, 18V 4.3V @ 12mA 81 nC @ 18 V +22V, -10V 2394 pF @ 400 V - 227W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4
    NVHL060N065SC1

    NVHL060N065SC1

    SIC MOS TO247-3L 650V

    onsemi

    		 450 -
    RFQ
    		NVHL060N065SC1

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 47A (Tc) 15V, 18V 70mOhm @ 20A, 18V 4.3V @ 6.5mA 74 nC @ 18 V +22V, -8V 1473 pF @ 325 V - 176W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
    GS66502B-MR

    GS66502B-MR

    GS66502B-MR

    Infineon Technologies Canada Inc.

    		 208 -
    RFQ

    -

    		 - 3-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7.5A (Tc) 6V 260mOhm @ 2.25A, 6V 2.6V @ 1.75mA 1.6 nC @ 6 V +7V, -10V 60 pF @ 400 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount -
    TW048Z65C,S1F

    TW048Z65C,S1F

    G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 48

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 243 -
    RFQ
    		TW048Z65C,S1F

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 40A (Tc) 18V 69mOhm @ 20A, 18V 5V @ 1.6mA 41 nC @ 18 V +25V, -10V 1362 pF @ 400 V - 132W (Tc) 175°C - - Through Hole TO-247-4L(X)
    AIMBG120R060M1XTMA1

    AIMBG120R060M1XTMA1

    SIC_DISCRETE

    Infineon Technologies

    		 959 -
    RFQ
    		AIMBG120R060M1XTMA1

    Datenblatt

         		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 38A (Tc) 18V, 20V 75mOhm @ 13A, 20V 5.1V @ 4.3mA 32 nC @ 20 V +23V, -5V 880 pF @ 800 V - 202W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-7-12
    NVHL023N065M3S

    NVHL023N065M3S

    SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S

    onsemi

    		 440 -
    RFQ

    -

    		 - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 70A (Tc) 15V, 18V 33mOhm @ 20A, 18V 4V @ 10mA 69 nC @ 18 V +22V, -8V 1952 pF @ 400 V - 263W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
    SCTH35N65G2V-7AG

    SCTH35N65G2V-7AG

    SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7

    STMicroelectronics

    		 1,000 -
    RFQ
    		SCTH35N65G2V-7AG

    Datenblatt

         		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 45A (Tc) 18V, 20V 67mOhm @ 20A, 20V 5V @ 1mA 73 nC @ 20 V +22V, -10V 1370 pF @ 400 V - 208W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount H2PAK-7
    IMTA65R020M2HXTMA1

    IMTA65R020M2HXTMA1

    SILICON CARBIDE MOSFET

    Infineon Technologies

    		 371 -
    RFQ
    		IMTA65R020M2HXTMA1

    Datenblatt

         		- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SCT4026DWAHRTL

    SCT4026DWAHRTL

    750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

    Rohm Semiconductor

    		 980 -
    RFQ
    		SCT4026DWAHRTL

    Datenblatt

         		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 51A (Tc) 18V 34mOhm @ 29A, 18V 4.8V @ 15.4mA 94 nC @ 18 V +21V, -4V 2320 pF @ 500 V - - 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7LA
    C3M0040120K1

    C3M0040120K1

    MOSFET N-CH 1200V 57A TO247-4L

    Wolfspeed, Inc.

    		 283 -
    RFQ
    		C3M0040120K1

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 57A (Tc) 15V 53mOhm @ 31.9A, 15V 3.8V @ 8.377mA 94 nC @ 15 V +19V, -8V 2726 pF @ 1000 V - 242W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    FCH029N65S3-F155

    FCH029N65S3-F155

    MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3

    onsemi

    		 399 -
    RFQ
    		FCH029N65S3-F155

    Datenblatt

         		SuperFET® III TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 75A (Tc) - 29mOhm @ 37.5A, 10V 4.5V @ 7mA 201 nC @ 10 V ±30V 6340 pF @ 400 V - 463W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IMW65R020M2HXKSA1

    IMW65R020M2HXKSA1

    SILICON CARBIDE MOSFET

    Infineon Technologies

    		 163 -
    RFQ
    		IMW65R020M2HXKSA1

    Datenblatt

         		CoolSiC™ Gen 2 TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 83A (Tc) 15V, 20V 18mOhm @ 46.9A, 20V 5.6V @ 9.5mA 57 nC @ 18 V +23V, -7V 2038 pF @ 400 V - 273W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-40
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