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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    NSF080120L3A0Q

    NSF080120L3A0Q

    SIC MOSFET / 80MOHM / 1200V / TO

    Nexperia USA Inc.

    		 420 -
    RFQ
    		NSF080120L3A0Q

    Datenblatt

         		- - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    G3F45MT06D

    G3F45MT06D

    650V 40M TO-247-3 G3F SIC MOSFET

    GeneSiC Semiconductor

    		 600 -
    RFQ

    -

    		 - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V - - - - - - - - - - - - Through Hole TO-247-3
    GS-065-030-6-LL-MR

    GS-065-030-6-LL-MR

    GAN POWER TRANSISTOR

    Infineon Technologies

    		 195 -
    RFQ
    		GS-065-030-6-LL-MR

    Datenblatt

         		- 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 700 V 40A (Tc) 6V 58mOhm @ 5.5A, 6V 2.6V @ 7.5mA 6.7 nC @ 6 V +7V, -10V 235 pF @ 400 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TOLL
    C3M0045075K1

    C3M0045075K1

    SICFET N-CH 750V 42A TO247

    Wolfspeed, Inc.

    		 167 -
    RFQ
    		C3M0045075K1

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 42A (Tc) 15V 60mOhm @ 17.6A, 15V 3.8V @ 4.84mA 65 nC @ 15 V -8V, +19V 1606 pF @ 500 V - 139W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    IPWS65R022CFD7AXKSA1

    IPWS65R022CFD7AXKSA1

    AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO247-3

    Infineon Technologies

    		 238 -
    RFQ
    		IPWS65R022CFD7AXKSA1

    Datenblatt

         		CoolMOS™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 96A (Tc) 10V 22mOhm @ 58.2A, 10V 4.5V @ 2.91mA 234 nC @ 10 V ±30V 11659 pF @ 400 V - 446W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-31
    S3M0040120D

    S3M0040120D

    MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

    SMC Diode Solutions

    		 300 -
    RFQ
    		S3M0040120D

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 65A (Tc) 18V 52mOhm @ 40A, 18V 4V @ 16mA 143 nC @ 18 V +20V, -8V 2844 pF @ 1000 V - 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    S2M0040120K-1

    S2M0040120K-1

    MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

    SMC Diode Solutions

    		 300 -
    RFQ
    		S2M0040120K-1

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 55A (Tj) 20V 52mOhm @ 40A, 20V 4V @ 10mA 92.1 nC @ 20 V +20V, -5V 1904 pF @ 1000 V - 348W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    IPDQ60R025CFD7XTMA1

    IPDQ60R025CFD7XTMA1

    HIGH POWER_NEW

    Infineon Technologies

    		 725 -
    RFQ
    		IPDQ60R025CFD7XTMA1

    Datenblatt

         		CoolMOS™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 90A (Tc) 10V 25mOhm @ 32.6A, 10V 4.5V @ 1.63mA 141 nC @ 10 V ±20V 5626 pF @ 400 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-22-1
    G3F33MT06J-TR

    G3F33MT06J-TR

    650V 27M TO-263-7 G3F SIC MOSFET

    GeneSiC Semiconductor

    		 800 -
    RFQ

    -

    		 - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 80A (Tc) 15V, 18V 38mOhm @ 26A, 18V 4.3V @ 12mA 81 nC @ 18 V +22V, -10V 2394 pF @ 400 V - 261W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
    G3F45MT06K

    G3F45MT06K

    650V 40M TO-247-4 G3F SIC MOSFET

    GeneSiC Semiconductor

    		 600 -
    RFQ

    -

    		 - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 52A (Tc) 15V, 18V 54mOhm @ 20A, 18V 4.3V @ 8mA 55 nC @ 18 V +22V, -10V 1640 pF @ 400 V - 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4
    AIMZHN120R080M1TXKSA1

    AIMZHN120R080M1TXKSA1

    SIC_DISCRETE

    Infineon Technologies

    		 233 -
    RFQ
    		AIMZHN120R080M1TXKSA1

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 31A (Tc) 18V, 20V 100mOhm @ 10A, 20V 5.1V @ 3.3mA 24 nC @ 20 V +23V, -5V 671 pF @ 800 V - 169W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO247-4-14
    SCT055HU65G3AG

    SCT055HU65G3AG

    AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

    STMicroelectronics

    		 523 -
    RFQ
    		SCT055HU65G3AG

    Datenblatt

         		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 30A (Tc) 15V, 18V 72mOhm @ 15A, 18V 4.2V @ 1mA 29 nC @ 18 V +22V, -10V 721 pF @ 400 V - 185W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount HU3PAK
    STY60NK30Z

    STY60NK30Z

    MOSFET N-CH 300V 60A MAX247

    STMicroelectronics

    		 490 -
    RFQ
    		STY60NK30Z

    Datenblatt

         		SuperMESH™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 60A (Tc) 10V 45mOhm @ 30A, 10V 4.5V @ 100µA 220 nC @ 10 V ±30V 7200 pF @ 25 V - 450W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole MAX247™
    NSF060120D7A0J

    NSF060120D7A0J

    NSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L

    Nexperia USA Inc.

    		 800 -
    RFQ

    -

    		 - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NSF060120L3A0Q

    NSF060120L3A0Q

    NSF060120L3A0/SOT429-2/TO247-3

    Nexperia USA Inc.

    		 450 -
    RFQ
    		NSF060120L3A0Q

    Datenblatt

         		- - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    AOM065V120X2Q

    AOM065V120X2Q

    1200V SILICON CARBIDE MOSFET

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 238 -
    RFQ
    		AOM065V120X2Q

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 40.3A (Tc) 15V 85mOhm @ 10A, 15V 3.5V @ 10mA 62.3 nC @ 15 V +15V, -5V 1716 pF @ 800 V - 187.5W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    S3M0040120K

    S3M0040120K

    MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

    SMC Diode Solutions

    		 300 -
    RFQ
    		S3M0040120K

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 65A (Tc) 18V 52mOhm @ 40A, 18V 4V @ 16mA 143 nC @ 18 V +22V, -8V 2844 pF @ 1000 V - 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    C3M0075120K1

    C3M0075120K1

    MOSFET N-CH 1200V 32A TO247-4L

    Wolfspeed, Inc.

    		 345 -
    RFQ
    		C3M0075120K1

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 32A (Tc) 15V 97.5mOhm @ 17.9A, 15V 3.8V @ 5mA 55 nC @ 15 V +19V, -8V 1480 pF @ 1000 V - 145W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    SICW080N120Y4-BP

    SICW080N120Y4-BP

    N-CHANNEL MOSFET,TO-247-4

    Micro Commercial Co

    		 338 -
    RFQ
    		SICW080N120Y4-BP

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 39A 18V 85mOhm @ 20A, 18V 3.6V @ 5mA 41 nC @ 18 V +22V, -8V 890 pF @ 1000 V - 223W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    NVH4L032N065M3S

    NVH4L032N065M3S

    SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S

    onsemi

    		 422 -
    RFQ

    -

    		 - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 50A (Tc) 15V, 18V 44mOhm @ 15A, 18V 4V @ 7.5mA 55 nC @ 18 V +22V, -8V 1410 pF @ 400 V - 187W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4
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