TomatoElecBestellverfolgung TomatoElecMein Konto
    Beliebte Suche CMPA601C025F CGHV96100F2 CGHV96130F AP3012KTR-E1 SMBJ43A-13-F DMN4034SSS-13 FMMT495QTA BZX84-B36-QR SD103AW-7-F DFLU1200-7
    TomatoElec

    Verfügbar 24/7 unter

    0755-82798135
    TomatoElec TomatoElec
    Alle Kategorien
    Startseite > Produkte  > Diskrete Halbleiterprodukte > Transistoren > FETs, MOSFETs > FETs, MOSFETs

    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

    Alles zurücksetzen
    Alle anwenden
    Ergebnis

    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    G3F65MT12K

    G3F65MT12K

    1200V 65M TO-247-4 G3F SIC MOSFE

    GeneSiC Semiconductor

    		 600 -
    RFQ

    -

    		 - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 35A (Tc) 18V 86mOhm @ 15A, 18V 4.3V @ 10mA 55 nC @ 18 V +22V, -10V 1298 pF @ 800 V - 153W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4
    C3M0060075K1

    C3M0060075K1

    SICFET N-CH 750V 35A TO247

    Wolfspeed, Inc.

    		 389 -
    RFQ
    		C3M0060075K1

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 35A (Tc) 15V 78mOhm @ 13.4A, 15V 3.8V @ 3.67mA 52 nC @ 15 V -8V, +19V 1203 pF @ 500 V - 126W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    C3M0160120J-TR

    C3M0160120J-TR

    SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-263

    Wolfspeed, Inc.

    		 300 -
    RFQ
    		C3M0160120J-TR

    Datenblatt

         		C3M™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 17A (Tc) 15V 208mOhm @ 8.5A, 15V 3.6V @ 2.33mA 24 nC @ 15 V +15V, -4V 632 pF @ 1000 V - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    C3M0160120K1

    C3M0160120K1

    MOSFET N-CH 1200V 17.9A TO247-4L

    Wolfspeed, Inc.

    		 229 -
    RFQ
    		C3M0160120K1

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 17.9A (Tc) 15V 208mOhm @ 8.5A, 15V 3.8V @ 2.33mA 32 nC @ 15 V +19V, -8V 730 pF @ 1000 V - 103W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    IPQC60T022S7XTMA1

    IPQC60T022S7XTMA1

    HIGH POWER_NEW

    Infineon Technologies

    		 750 -
    RFQ
    		IPQC60T022S7XTMA1

    Datenblatt

         		CoolMOS™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 90A (Tc) 12V 22mOhm @ 23A, 12V 4.5V @ 1.43mA 150 nC @ 12 V ±20V 5640 pF @ 300 V - 416W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-22-1
    NVHL075N065SC1

    NVHL075N065SC1

    SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET, NC

    onsemi

    		 446 -
    RFQ
    		NVHL075N065SC1

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 38A (Tc) 15V, 18V 85mOhm @ 15A, 18V 4.3V @ 5mA 61 nC @ 18 V +22V, -8V 1196 pF @ 325 V - 148W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
    STL57N65M5

    STL57N65M5

    MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT

    STMicroelectronics

    		 5,445 -
    RFQ
    		STL57N65M5

    Datenblatt

         		MDmesh™ V 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 4.3A (Ta), 22.5A (Tc) 10V 69mOhm @ 20A, 10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±25V 4200 pF @ 100 V - 2.8W (Ta), 189W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
    NSF080120D7A0J

    NSF080120D7A0J

    NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L

    Nexperia USA Inc.

    		 797 -
    RFQ

    -

    		 - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SICW040N120H-BP

    SICW040N120H-BP

    SIC MOSFET,TO-247AB

    Micro Commercial Co

    		 360 -
    RFQ
    		SICW040N120H-BP

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 62A (Tc) 20V 52mOhm @ 30A, 20V 4.5V @ 40mA 229 nC @ 20 V +25V, -10V 3619 pF @ 800 V - 326W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AB
    E4M0060075J2-TR

    E4M0060075J2-TR

    MOSFETS 1205 PF 131W 3.8V 50 NC

    Wolfspeed, Inc.

    		 494 -
    RFQ
    		E4M0060075J2-TR

    Datenblatt

         		E TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 36A (Tc) 15V 78mOhm @ 13.4A, 15V 3.8V @ 3.67mA 50 nC @ 15 V +19V, -8V 1205 pF @ 500 V - 131W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
    NVH4L050N65S3F

    NVH4L050N65S3F

    SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247-4L

    onsemi

    		 405 -
    RFQ
    		NVH4L050N65S3F

    Datenblatt

         		SuperFET® III, FRFET® TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 58A (Tc) 10V 50mOhm @ 29A, 10V 5V @ 1.7mA 123.8 nC @ 10 V ±30V 4855 pF @ 400 V - 403W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    SICW040N120H4-BP

    SICW040N120H4-BP

    SIC MOSFET,TO-247-4

    Micro Commercial Co

    		 360 -
    RFQ
    		SICW040N120H4-BP

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 62A (Tc) 20V 52mOhm @ 30A, 20V 4.5V @ 40mA 229 nC @ 20 V +20V, -5V 3619 pF @ 800 V - 326W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    E3M0160120K

    E3M0160120K

    SICFET N-CH 1.2KV 17.9A TO-247-4

    Wolfspeed, Inc.

    		 287 -
    RFQ
    		E3M0160120K

    Datenblatt

         		E TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 17.9A (Tc) 15V 208mOhm @ 8.5A, 15V 3.6V @ 2.33mA 32 nC @ 15 V -8V, +19V 730 pF @ 1000 V - 103W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    APT5017BVRG

    APT5017BVRG

    MOSFET N-CH 500V 30A TO247

    Microchip Technology

    		 243 -
    RFQ
    		APT5017BVRG

    Datenblatt

         		POWER MOS V® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 30A (Tc) - 170mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 300 nC @ 10 V - 5280 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-247 [B]
    NVH4L075N065SC1

    NVH4L075N065SC1

    SIC MOS TO247-4L 650V

    onsemi

    		 240 -
    RFQ
    		NVH4L075N065SC1

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 38A (Tc) 15V, 18V 85mOhm @ 15A, 18V 4.3V @ 5mA 61 nC @ 18 V +22V, -8V 1196 pF @ 325 V - 148W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    SCTWA35N65G2V-4

    SCTWA35N65G2V-4

    DISCRETE

    STMicroelectronics

    		 600 -
    RFQ
    		SCTWA35N65G2V-4

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 45A (Tc) 18V, 20V 67mOhm @ 20A, 20V 5V @ 1mA 73 nC @ 20 V +18V, -5V 1370 pF @ 400 V - 240W (Tc) -55°C ~ 200°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    NTHL030N120M3S

    NTHL030N120M3S

    SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL

    onsemi

    		 351 -
    RFQ
    		NTHL030N120M3S

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 73A (Tc) 18V 39mOhm @ 30A, 18V 4.4V @ 15mA 107 nC @ 18 V +22V, -10V 2430 pF @ 800 V - 313W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IMW65R033M2HXKSA1

    IMW65R033M2HXKSA1

    IMW65R033M2HXKSA1

    Infineon Technologies

    		 369 -
    RFQ
    		IMW65R033M2HXKSA1

    Datenblatt

         		CoolSiC™ TO-247-3 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 53A (Tc) 15V, 20V 30mOhm @ 27.9A, 20V 5.6V @ 5.7mA 34 nC @ 18 V +23V, -7V 1214 pF @ 400 V - 194W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-40
    TSM60NE048PW C0G

    TSM60NE048PW C0G

    MOSFET

    Taiwan Semiconductor Corporation

    		 300 -
    RFQ

    -

    		 - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 61A (Tc) 10V, 12V 44mOhm @ 20A, 12V 6V @ 4.6mA 114 nC @ 10 V ±30V 5023 pF @ 300 V - 431W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    AOM065V120X2

    AOM065V120X2

    1200V SILICON CARBIDE MOSFET

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 238 -
    RFQ
    		AOM065V120X2

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 40.3A (Tc) 15V 85mOhm @ 10A, 15V 3.5V @ 10mA 62.3 nC @ 15 V +18V, -8V 1716 pF @ 800 V - 187.5W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    Total 36284 Record«Prev1... 317318319320321322323324...1815Next»
    TomatoElec

    Suche

     TomatoElec

    Produkte

     TomatoElec

    Telefon

     TomatoElec

    Benutzer
    TomatoElec
    [email protected]
    0755-82798135