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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    IMZC120R017M2HXKSA1

    IMZC120R017M2HXKSA1

    IMZC120R017M2HXKSA1

    Infineon Technologies

    		 240 -
    RFQ
    		IMZC120R017M2HXKSA1

    Datenblatt

         		CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 97A (Tc) 15V, 18V 17mOhm @ 40A, 18V 5.1V @ 12.7mA 89 nC @ 18 V +23V, -7V 2910 pF @ 800 V - 382W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4-17
    NVH4L027N65S3F

    NVH4L027N65S3F

    SF3 FRFET AUTO 27MOHM TO-247-4L

    onsemi

    		 799 -
    RFQ
    		NVH4L027N65S3F

    Datenblatt

         		SuperFET® III, FRFET® TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 75A (Tc) 10V 27.4mOhm @ 35A, 10V 5V @ 3mA 227 nC @ 10 V ±30V 7780 pF @ 400 V - 595W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    C3M0045065J1-TR

    C3M0045065J1-TR

    SIC, MOSFET 45M, 650V TO-263-7XL

    Wolfspeed, Inc.

    		 730 -
    RFQ
    		C3M0045065J1-TR

    Datenblatt

         		C3M™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 47A (Tc) 15V 60mOhm @ 17.6A, 15V 3.6V @ 4.84mA 61 nC @ 15 V +19V, -8V 1621 pF @ 400 V - 147W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    G3F25MT12K

    G3F25MT12K

    1200V 25M TO-247-4 G3F SIC MOSFE

    GeneSiC Semiconductor

    		 595 -
    RFQ

    -

    		 - - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SCT3030ARHRC15

    SCT3030ARHRC15

    650V, 70A, 4-PIN THD, TRENCH-STR

    Rohm Semiconductor

    		 448 -
    RFQ
    		SCT3030ARHRC15

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 70A (Tc) 18V 39mOhm @ 27A, 18V 5.6V @ 13.3mA 104 nC @ 18 V +22V, -4V 1526 pF @ 500 V - 262W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    AIMBG120R030M1XTMA1

    AIMBG120R030M1XTMA1

    SIC_DISCRETE

    Infineon Technologies

    		 1,708 -
    RFQ
    		AIMBG120R030M1XTMA1

    Datenblatt

         		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 70A (Tc) 18V, 20V 38mOhm @ 27A, 20V 5.1V @ 8.6mA 57 nC @ 20 V +23V, -5V 1738 pF @ 800 V - 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-7-12
    SCT3040KRC15

    SCT3040KRC15

    1200V, 55A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

    Rohm Semiconductor

    		 370 -
    RFQ
    		SCT3040KRC15

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 55A (Tj) 18V 52mOhm @ 20A, 18V 5.6V @ 10mA 107 nC @ 18 V +22V, -4V 1337 pF @ 800 V - 262W 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    AIMZA75R020M1HXKSA1

    AIMZA75R020M1HXKSA1

    AUTOMOTIVE_SICMOS

    Infineon Technologies

    		 190 -
    RFQ
    		AIMZA75R020M1HXKSA1

    Datenblatt

         		CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 75A (Tj) 15V, 20V 18mOhm @ 32.5A, 20V 5.6V @ 11.7mA 67 nC @ 18 V +23V, -5V 2217 pF @ 500 V - 278W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO247-4
    NSF030120D7A0J

    NSF030120D7A0J

    NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L

    Nexperia USA Inc.

    		 800 -
    RFQ

    -

    		 - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NSF030120L3A0Q

    NSF030120L3A0Q

    NSF030120L3A0/SOT429-2/TO247-3

    Nexperia USA Inc.

    		 450 -
    RFQ
    		NSF030120L3A0Q

    Datenblatt

         		- - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IMBG65R015M2HXTMA1

    IMBG65R015M2HXTMA1

    SILICON CARBIDE MOSFET

    Infineon Technologies

    		 1,000 -
    RFQ
    		IMBG65R015M2HXTMA1

    Datenblatt

         		CoolSiC™ Gen 2 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 115A (Tc) 15V, 20V 18mOhm @ 64.2A, 18V 5.6V @ 13mA 79 nC @ 18 V +23V, -7V 2792 pF @ 400 V - 416W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-12
    SCT3040KRHRC15

    SCT3040KRHRC15

    1200V, 55A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

    Rohm Semiconductor

    		 395 -
    RFQ
    		SCT3040KRHRC15

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 55A (Tc) 18V 52mOhm @ 20A, 18V 5.6V @ 10mA 107 nC @ 18 V +22V, -4V 1337 pF @ 800 V - 262W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    NSF030120L4A0Q

    NSF030120L4A0Q

    NSF030120L4A0/SOT8071/TO247-4L

    Nexperia USA Inc.

    		 450 -
    RFQ

    -

    		 - - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NSF040120L3A0Q

    NSF040120L3A0Q

    SIC MOSFET / 40MOHM / 1200V / TO

    Nexperia USA Inc.

    		 412 -
    RFQ
    		NSF040120L3A0Q

    Datenblatt

         		- - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    AOK033V120X2Q

    AOK033V120X2Q

    1200V SILICON CARBIDE MOSFET

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 209 -
    RFQ
    		AOK033V120X2Q

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 68A (Tc) 15V 43mOhm @ 20A, 15V 2.8V @ 17.5mA 104 nC @ 15 V +15V, -5V 2908 pF @ 800 V - 300W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247
    AOM015V65X2

    AOM015V65X2

    650V SILICON CARBIDE MOSFET

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 238 -
    RFQ
    		AOM015V65X2

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 96A (Tc) 15V 22mOhm @ 24A, 15V 3.5V @ 24mA 152 nC @ 15 V +15V, -5V 4880 pF @ 400 V - 312W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    AOK015V65X2

    AOK015V65X2

    650V SILICON CARBIDE MOSFET

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 238 -
    RFQ
    		AOK015V65X2

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 96A (Tc) 15V 22mOhm @ 24A, 15V 3.5V @ 24mA 152 nC @ 15 V +15V, -5V 4880 pF @ 400 V - 312W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    C3M0025075K1

    C3M0025075K1

    SICFET N-CH 750V 80A TO247

    Wolfspeed, Inc.

    		 184 -
    RFQ
    		C3M0025075K1

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 80A (Ta) 15V 34mOhm @ 33.5A, 15V 3.8V @ 9.22mA 119 nC @ 15 V -8V, +19V 3055 pF @ 500 V - 262W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    NVHL025N065SC1

    NVHL025N065SC1

    SIC MOS TO247-3L 650V

    onsemi

    		 450 -
    RFQ
    		NVHL025N065SC1

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 99A (Tc) 15V, 18V 28.5mOhm @ 45A, 18V 4.3V @ 15.5mA 164 nC @ 18 V +22V, -8V 3480 pF @ 325 V - 348W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
    NSF040120L4A0Q

    NSF040120L4A0Q

    NSF040120L4A0/SOT8071/TO247-4L

    Nexperia USA Inc.

    		 432 -
    RFQ
    		NSF040120L4A0Q

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 65A (Tj) 15V, 18V 60mOhm @ 40A, 15V 2.9V @ 4mA 95 nC @ 15 V +22V, -10V 2600 pF @ 800 V - 306W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247
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