Microchip Technology APT60M75L2FLLG

APT60M75L2FLLG Supplier & Distributor

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  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
APT60M75L2FLLG
Hersteller:
Microchip Technology
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt:
TomatoElecAPT60M75L2FLLG.pdf
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 73A 264 MAX
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About APT60M75L2FLLG

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APT60M75L2FLLG Spezifikationen

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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Microchip Technology
Serie:
POWER MOS 7®
Verpackung/Gehäuse:
TO-264-3, TO-264AA
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
600 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
73A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
75mOhm @ 36.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
195 nC @ 10 V
Vgs (Max):
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
8930 pF @ 25 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
893W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Through Hole
Lieferant Gerätepaket:
264 MAX™ [L2]
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. APT60M75L2FLLG
Hersteller Microchip Technology
Serie POWER MOS 7®
Verpackung/Gehäuse TO-264-3, TO-264AA
Verpackung Tube
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 73A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 36.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 195 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8930 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Leistungsverlust (Max) 893W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Through Hole
Lieferant Gerätepaket 264 MAX™ [L2]

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