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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    IXFH90N65X3

    IXFH90N65X3

    MOSFET 90A 650V X3 TO247

    Littelfuse Inc.

    		 300 -
    RFQ
    		IXFH90N65X3

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Ultra X3 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 90A (Tc) 10V 33mOhm @ 45A, 10V 5.2V @ 4mA 95 nC @ 10 V ±20V 6080 pF @ 25 V - 960W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXFH)
    IXFH18N100Q3

    IXFH18N100Q3

    MOSFET N-CH 1000V 18A TO247AD

    Littelfuse Inc.

    		 691 -
    RFQ
    		IXFH18N100Q3

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Q3 Class TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 18A (Tc) 10V 660mOhm @ 9A, 10V 6.5V @ 4mA 90 nC @ 10 V ±30V 4890 pF @ 25 V - 830W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    NVH4L040N120SC1

    NVH4L040N120SC1

    SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4

    onsemi

    		 221 -
    RFQ
    		NVH4L040N120SC1

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 58A (Tc) 20V 56mOhm @ 35A, 20V 4.3V @ 10mA 106 nC @ 20 V +25V, -15V 1762 pF @ 800 V - 319W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    IXFK150N30X3

    IXFK150N30X3

    MOSFET N-CH 300V 150A TO264

    Littelfuse Inc.

    		 575 -
    RFQ
    		IXFK150N30X3

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Ultra X3 TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 150A (Tc) 10V 8.3mOhm @ 75A, 10V 4.5V @ 4mA 177 nC @ 10 V ±20V 13100 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264
    GAN063-650WSAQ

    GAN063-650WSAQ

    GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3

    Nexperia USA Inc.

    		 547 -
    RFQ
    		GAN063-650WSAQ

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) 650 V 34.5A (Tc) 10V 60mOhm @ 25A, 10V 4.5V @ 1mA 15 nC @ 10 V ±20V 1000 pF @ 400 V - 143W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IXFX320N17T2

    IXFX320N17T2

    MOSFET N-CH 170V 320A PLUS247-3

    Littelfuse Inc.

    		 152 -
    RFQ
    		IXFX320N17T2

    Datenblatt

         		HiPerFET™, TrenchT2™ TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 170 V 320A (Tc) 10V 5.2mOhm @ 60A, 10V 5V @ 8mA 640 nC @ 10 V ±20V 45000 pF @ 25 V - 1670W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    IXFK44N80P

    IXFK44N80P

    MOSFET N-CH 800V 44A TO264AA

    Littelfuse Inc.

    		 516 -
    RFQ
    		IXFK44N80P

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 44A (Tc) 10V 190mOhm @ 22A, 10V 5V @ 8mA 198 nC @ 10 V ±30V 12000 pF @ 25 V - 1040W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    IXTX90P20P

    IXTX90P20P

    MOSFET P-CH 200V 90A PLUS247-3

    Littelfuse Inc.

    		 496 -
    RFQ
    		IXTX90P20P

    Datenblatt

         		PolarP™ TO-247-3 Variant Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 90A (Tc) 10V 44mOhm @ 22A, 10V 4V @ 1mA 205 nC @ 10 V ±20V 12000 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    IXFN102N30P

    IXFN102N30P

    MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B

    Littelfuse Inc.

    		 285 -
    RFQ
    		IXFN102N30P

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Polar SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 88A (Tc) 10V 33mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 4mA 224 nC @ 10 V ±20V 7500 pF @ 25 V - 600W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    APT60N60BCSG

    APT60N60BCSG

    MOSFET N-CH 600V 60A TO247

    Microchip Technology

    		 132 -
    RFQ
    		APT60N60BCSG

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 60A (Tc) 10V 45mOhm @ 44A, 10V 3.9V @ 3mA 190 nC @ 10 V ±30V 7200 pF @ 25 V - 431W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
    IXTH7P50

    IXTH7P50

    MOSFET P-CH 500V 7A TO247

    Littelfuse Inc.

    		 204 -
    RFQ
    		IXTH7P50

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 7A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 500mA, 10V 5V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V 3400 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    C3M0045065D

    C3M0045065D

    GEN 3 650V 45 M SIC MOSFET

    Wolfspeed, Inc.

    		 454 -
    RFQ
    		C3M0045065D

    Datenblatt

         		C3M™ TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 49A (Tc) 15V 60mOhm @ 17.6A, 15V 3.6V @ 4.84mA 63 nC @ 15 V +19V, -8V 1621 pF @ 600 V - 176W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    C3M0075120K-A

    C3M0075120K-A

    75M 1200V 175C SIC FET

    Wolfspeed, Inc.

    		 299 -
    RFQ
    		C3M0075120K-A

    Datenblatt

         		C3M™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 32A (Tc) 15V 90mOhm @ 20A, 15V 3.6V @ 5mA 53 nC @ 15 V +15V, -4V 1390 pF @ 1000 V - 136W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    SCT3080KLHRC11

    SCT3080KLHRC11

    SICFET N-CH 1200V 31A TO247N

    Rohm Semiconductor

    		 816 -
    RFQ
    		SCT3080KLHRC11

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 31A (Tc) 18V 104mOhm @ 10A, 18V 5.6V @ 5mA 60 nC @ 18 V +22V, -4V 785 pF @ 800 V - 165W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    SCT4036KEHRC11

    SCT4036KEHRC11

    1200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

    Rohm Semiconductor

    		 368 -
    RFQ
    		SCT4036KEHRC11

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 43A (Tc) 18V 47mOhm @ 21A, 18V 4.8V @ 11.1mA 91 nC @ 18 V +21V, -4V 2335 pF @ 800 V - 176W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    NTBG025N065SC1

    NTBG025N065SC1

    SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

    onsemi

    		 2,245 -
    RFQ
    		NTBG025N065SC1

    Datenblatt

         		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 106A (Tc) 15V, 18V 28.5mOhm @ 45A, 18V 4.3V @ 15.5mA 164 nC @ 18 V +22V, -8V 3480 pF @ 325 V - 395W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK-7
    IXFX140N30P

    IXFX140N30P

    MOSFET N-CH 300V 140A PLUS247-3

    Littelfuse Inc.

    		 330 -
    RFQ
    		IXFX140N30P

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Polar TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 140A (Tc) 10V 24mOhm @ 70A, 10V 5V @ 8mA 185 nC @ 10 V ±20V 14800 pF @ 25 V - 1040W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    IXFR44N80P

    IXFR44N80P

    MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247

    Littelfuse Inc.

    		 240 -
    RFQ
    		IXFR44N80P

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 25A (Tc) 10V 200mOhm @ 22A, 10V 5V @ 8mA 200 nC @ 10 V ±30V 12000 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
    IPZ65R019C7XKSA1

    IPZ65R019C7XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4

    Infineon Technologies

    		 1,153 -
    RFQ
    		IPZ65R019C7XKSA1

    Datenblatt

         		CoolMOS™ C7 TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 75A (Tc) 10V 19mOhm @ 58.3A, 10V 4V @ 2.92mA 215 nC @ 10 V ±20V 9900 pF @ 400 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4
    IXFN44N80P

    IXFN44N80P

    MOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B

    Littelfuse Inc.

    		 244 -
    RFQ
    		IXFN44N80P

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Polar SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 39A (Tc) 10V 190mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 200 nC @ 10 V ±30V 12000 pF @ 25 V - 694W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
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