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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    R6047ENZ4C13

    R6047ENZ4C13

    MOSFET N-CH 600V 47A TO247

    Rohm Semiconductor

    		 594 -
    RFQ
    		R6047ENZ4C13

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 72mOhm @ 25.8A, 10V 4V @ 1mA 145 nC @ 10 V ±20V 3850 pF @ 25 V - 481W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    SCT4062KEC11

    SCT4062KEC11

    1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST

    Rohm Semiconductor

    		 4,717 -
    RFQ
    		SCT4062KEC11

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 26A (Tc) 18V 81mOhm @ 12A, 18V 4.8V @ 6.45mA 64 nC @ 18 V +21V, -4V 1498 pF @ 800 V - 115W 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
    NVBG080N120SC1

    NVBG080N120SC1

    SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7

    onsemi

    		 580 -
    RFQ
    		NVBG080N120SC1

    Datenblatt

         		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 30A (Tc) 20V 110mOhm @ 20A, 20V 4.3V @ 5mA 56 nC @ 20 V +25V, -15V 1154 pF @ 800 V - 179W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK-7
    IXFH32N100X

    IXFH32N100X

    MOSFET N-CH 1000V 32A TO247

    Littelfuse Inc.

    		 274 -
    RFQ
    		IXFH32N100X

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Ultra X TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 32A (Tc) 10V 220mOhm @ 16A, 10V 6V @ 4mA 130 nC @ 10 V ±30V 4075 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    SCT4036KW7TL

    SCT4036KW7TL

    1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

    Rohm Semiconductor

    		 413 -
    RFQ
    		SCT4036KW7TL

    Datenblatt

         		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 40A (Tj) 18V 47mOhm @ 21A, 18V 4.8V @ 11.1mA 91 nC @ 18 V +21V, -4V 2335 pF @ 800 V - 150W 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7L
    IXFX64N60P

    IXFX64N60P

    MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3

    Littelfuse Inc.

    		 787 -
    RFQ
    		IXFX64N60P

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Polar TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 64A (Tc) 10V 96mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 200 nC @ 10 V ±30V 12000 pF @ 25 V - 1040W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    IXTP64N10L2

    IXTP64N10L2

    MOSFET N-CH 100V 64A TO220AB

    Littelfuse Inc.

    		 678 -
    RFQ
    		IXTP64N10L2

    Datenblatt

         		Linear L2™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 64A (Tc) 10V 32mOhm @ 32A, 10V 4.5V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V 3620 pF @ 25 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IXTH68P20T

    IXTH68P20T

    MOSFET P-CH 200V 68A TO247

    Littelfuse Inc.

    		 291 -
    RFQ
    		IXTH68P20T

    Datenblatt

         		TrenchP™ TO-247-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 68A (Tc) 10V 55mOhm @ 34A, 10V 4V @ 250µA 380 nC @ 10 V ±15V 33400 pF @ 25 V - 568W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    UJ3C065030B3

    UJ3C065030B3

    MOSFET N-CH 650V 65A TO263

    Qorvo

    		 4,289 -
    RFQ
    		UJ3C065030B3

    Datenblatt

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel - 650 V 65A (Tc) 12V 35mOhm @ 50A, 12V 6V @ 10mA 51 nC @ 15 V ±25V 1500 pF @ 100 V - 242W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IXTH220N20X4

    IXTH220N20X4

    MOSFET N-CH 200V 220A X4 TO-247

    Littelfuse Inc.

    		 245 -
    RFQ
    		IXTH220N20X4

    Datenblatt

         		Ultra X4 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 220A (Tc) 10V 5.5mOhm @ 110A, 10V 4.5V @ 250µA 157 nC @ 10 V ±20V 12300 pF @ 25 V - 800W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole ISO TO-247-3
    IXTH16N50D2

    IXTH16N50D2

    MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3

    Littelfuse Inc.

    		 300 -
    RFQ
    		IXTH16N50D2

    Datenblatt

         		Depletion TO-247-3 Tube Active N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 500 V 16A (Tc) 0V 240mOhm @ 8A, 0V - 199 nC @ 5 V ±20V 5250 pF @ 25 V - 695W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    IXTQ40N50L2

    IXTQ40N50L2

    MOSFET N-CH 500V 40A TO3P

    Littelfuse Inc.

    		 390 -
    RFQ
    		IXTQ40N50L2

    Datenblatt

         		Linear L2™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 40A (Tc) 10V 170mOhm @ 20A, 10V 4.5V @ 250µA 320 nC @ 10 V ±20V 10400 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
    IXTQ60N20L2

    IXTQ60N20L2

    MOSFET N-CH 200V 60A TO3P

    IXYS

    		 149 -
    RFQ
    		IXTQ60N20L2

    Datenblatt

         		Linear L2™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 60A (Tc) 10V 45mOhm @ 30A, 10V 4.5V @ 250µA 255 nC @ 10 V ±20V 10500 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
    IXFT50N85XHV

    IXFT50N85XHV

    MOSFET N-CH 850V 50A TO268

    Littelfuse Inc.

    		 1,081 -
    RFQ
    		IXFT50N85XHV

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Ultra X TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 850 V 50A (Tc) 10V 105mOhm @ 500mA, 10V 5.5V @ 4mA 152 nC @ 10 V ±30V 4480 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268HV (IXFT)
    E3M0060065K

    E3M0060065K

    60M 650V SIC AUTOMOTIVE MOSFET

    Wolfspeed, Inc.

    		 450 -
    RFQ
    		E3M0060065K

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Tube Last Time Buy N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 37A (Tc) 15V 79mOhm @ 13.2A, 15V 3.6V @ 3.6mA 49 nC @ 15 V +19V, -8V 1170 pF @ 600 V - 131W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    UF3C065030K3S

    UF3C065030K3S

    SICFET N-CH 650V 85A TO247-3

    Qorvo

    		 927 -
    RFQ
    		UF3C065030K3S

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 650 V 85A (Tc) 12V 35mOhm @ 50A, 12V 6V @ 10mA 51 nC @ 15 V ±25V 1500 pF @ 100 V - 441W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IXFT15N100Q3

    IXFT15N100Q3

    MOSFET N-CH 1000V 15A TO268

    IXYS

    		 145 -
    RFQ
    		IXFT15N100Q3

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Q3 Class TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 15A (Tc) 10V 1.05Ohm @ 7.5A, 10V 6.5V @ 4mA 64 nC @ 10 V ±30V 3250 pF @ 25 V - 690W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
    VP2206N2

    VP2206N2

    MOSFET P-CH 60V 750MA TO39

    Microchip Technology

    		 919 -
    RFQ
    		VP2206N2

    Datenblatt

         		- TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Bag Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 750mA (Tj) 5V, 10V 900mOhm @ 3.5A, 10V 3.5V @ 10mA - ±20V 450 pF @ 25 V - 360mW (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-39
    IXFK80N60P3

    IXFK80N60P3

    MOSFET N-CH 600V 80A TO264AA

    Littelfuse Inc.

    		 651 -
    RFQ
    		IXFK80N60P3

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Polar3™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 80A (Tc) 10V 70mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 190 nC @ 10 V ±30V 13100 pF @ 25 V - 1300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    IXTK102N65X2

    IXTK102N65X2

    MOSFET N-CH 650V 102A TO264

    Littelfuse Inc.

    		 352 -
    RFQ
    		IXTK102N65X2

    Datenblatt

         		Ultra X2 TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 102A (Tc) 10V 30mOhm @ 51A, 10V 5V @ 250µA 152 nC @ 10 V ±30V 10900 pF @ 25 V - 1040W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXTK)
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