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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    FCH040N65S3-F155

    FCH040N65S3-F155

    MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3

    onsemi

    		 1,010 -
    RFQ
    		FCH040N65S3-F155

    Datenblatt

         		SuperFET® III TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 65A (Tc) 10V 40mOhm @ 32.5A, 10V 4.5V @ 6.5mA 136 nC @ 10 V ±30V 4740 pF @ 400 V - 417W (Tc) -55°C ~ 150°C - - Through Hole TO-247-3
    SCT4062KEHRC11

    SCT4062KEHRC11

    1200V, 26A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

    Rohm Semiconductor

    		 166 -
    RFQ
    		SCT4062KEHRC11

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 26A (Tc) 18V 81mOhm @ 12A, 18V 4.8V @ 6.45mA 64 nC @ 18 V +21V, -4V 1498 pF @ 800 V - 115W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    STW45NM50

    STW45NM50

    MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3

    STMicroelectronics

    		 491 -
    RFQ
    		STW45NM50

    Datenblatt

         		MDmesh™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 45A (Tc) 10V 100mOhm @ 22.5A, 10V 5V @ 250µA 117 nC @ 10 V ±30V 3700 pF @ 25 V - 417W (Tc) -65°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    FCH041N60E

    FCH041N60E

    MOSFET N-CH 600V 77A TO247-3

    onsemi

    		 430 -
    RFQ
    		FCH041N60E

    Datenblatt

         		SuperFET® II TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 77A (Tc) 10V 41mOhm @ 39A, 10V 3.5V @ 250µA 380 nC @ 10 V ±20V 13700 pF @ 100 V - 592W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    SIHG73N60E-GE3

    SIHG73N60E-GE3

    MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC

    Vishay Siliconix

    		 114 -
    RFQ
    		SIHG73N60E-GE3

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 73A (Tc) 10V 39mOhm @ 36A, 10V 4V @ 250µA 362 nC @ 10 V ±30V 7700 pF @ 100 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    IMBG65R030M1HXTMA1

    IMBG65R030M1HXTMA1

    SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

    Infineon Technologies

    		 924 -
    RFQ
    		IMBG65R030M1HXTMA1

    Datenblatt

         		CoolSiC™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 63A (Tc) 18V 42mOhm @ 29.5A, 18V 5.7V @ 8.8mA 49 nC @ 18 V +23V, -5V 1643 pF @ 400 V - 234W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-12
    STW88N65M5-4

    STW88N65M5-4

    MOSFET N-CH 650V 84A TO247-4L

    STMicroelectronics

    		 183 -
    RFQ
    		STW88N65M5-4

    Datenblatt

         		MDmesh™ M5 TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 84A (Tc) 10V 29mOhm @ 42A, 10V 5V @ 250µA 204 nC @ 10 V ±25V 8825 pF @ 100 V - 450W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    C3M0120100K

    C3M0120100K

    SICFET N-CH 1000V 22A TO247-4L

    Wolfspeed, Inc.

    		 2,476 -
    RFQ
    		C3M0120100K

    Datenblatt

         		C3M™ TO-247-4 Tube Last Time Buy N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1000 V 22A (Tc) 15V 155mOhm @ 15A, 15V 3.5V @ 3mA 21.5 nC @ 15 V ±15V 350 pF @ 600 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    C3M0120090J-TR

    C3M0120090J-TR

    SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7

    Wolfspeed, Inc.

    		 1,756 -
    RFQ
    		C3M0120090J-TR

    Datenblatt

         		C3M™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Last Time Buy N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 900 V 22A (Tc) 15V 155mOhm @ 15A, 15V 3.5V @ 3mA 17.3 nC @ 15 V +18V, -8V 350 pF @ 600 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    TP65H070LDG-TR

    TP65H070LDG-TR

    650 V 25 A GAN FET

    Transphorm

    		 662 -
    RFQ
    		TP65H070LDG-TR

    Datenblatt

         		TP65H070L 3-PowerDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 25A (Tc) 10V 85mOhm @ 16A, 10V 4.8V @ 700µA 9.3 nC @ 10 V ±20V 600 pF @ 400 V - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 3-PQFN (8x8)
    SCT3060ALGC11

    SCT3060ALGC11

    SICFET N-CH 650V 39A TO247N

    Rohm Semiconductor

    		 462 -
    RFQ
    		SCT3060ALGC11

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 39A (Tc) 18V 78mOhm @ 13A, 18V 5.6V @ 6.67mA 58 nC @ 18 V +22V, -4V 852 pF @ 500 V - 165W (Tc) 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
    IXFX520N075T2

    IXFX520N075T2

    MOSFET N-CH 75V 520A PLUS247-3

    Littelfuse Inc.

    		 310 -
    RFQ
    		IXFX520N075T2

    Datenblatt

         		HiPerFET™, TrenchT2™ TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 520A (Tc) 10V 2.2mOhm @ 100A, 10V 5V @ 8mA 545 nC @ 10 V ±20V 41000 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    IXFK520N075T2

    IXFK520N075T2

    MOSFET N-CH 75V 520A TO264AA

    Littelfuse Inc.

    		 315 -
    RFQ
    		IXFK520N075T2

    Datenblatt

         		HiPerFET™, TrenchT2™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 520A (Tc) 10V 2.2mOhm @ 100A, 10V 5V @ 8mA 545 nC @ 10 V ±20V 41000 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    NVHL040N65S3F

    NVHL040N65S3F

    MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3

    onsemi

    		 573 -
    RFQ
    		NVHL040N65S3F

    Datenblatt

         		SuperFET® III, FRFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 65A (Tc) 10V 40mOhm @ 32.5A, 10V 5V @ 2.1mA 153 nC @ 10 V ±30V 5875 pF @ 400 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
    FCH041N65F-F085

    FCH041N65F-F085

    MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3

    onsemi

    		 306 -
    RFQ
    		FCH041N65F-F085

    Datenblatt

         		SuperFET® II TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 76A (Tc) 10V 41mOhm @ 38A, 10V 5V @ 250µA 304 nC @ 10 V ±20V 13566 pF @ 25 V - 595W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
    IXFK360N10T

    IXFK360N10T

    MOSFET N-CH 100V 360A TO264AA

    Littelfuse Inc.

    		 242 -
    RFQ
    		IXFK360N10T

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Trench TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 360A (Tc) 10V 2.9mOhm @ 100A, 10V 5V @ 3mA 525 nC @ 10 V ±20V 33000 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    SCTH35N65G2V-7

    SCTH35N65G2V-7

    SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7

    STMicroelectronics

    		 1,694 -
    RFQ
    		SCTH35N65G2V-7

    Datenblatt

         		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 45A (Tc) 18V, 20V 67mOhm @ 20A, 20V 5V @ 1mA 73 nC @ 20 V +22V, -10V 1370 pF @ 400 V - 208W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount H2PAK-7
    SCT4045DRC15

    SCT4045DRC15

    750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

    Rohm Semiconductor

    		 3,459 -
    RFQ
    		SCT4045DRC15

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 34A (Tc) 18V 59mOhm @ 17A, 18V 4.8V @ 8.89mA 63 nC @ 18 V +21V, -4V 1460 pF @ 500 V - 115W 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    MSC035SMA070B4

    MSC035SMA070B4

    TRANS SJT N-CH 700V 77A TO247-4

    Microchip Technology

    		 136 -
    RFQ
    		MSC035SMA070B4

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 700 V 77A (Tc) 20V 44mOhm @ 30A, 20V 2.7V @ 2mA (Typ) 99 nC @ 20 V +23V, -10V 2010 pF @ 700 V - 283W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    IXTK120N65X2

    IXTK120N65X2

    MOSFET N-CH 650V 120A TO264

    Littelfuse Inc.

    		 221 -
    RFQ
    		IXTK120N65X2

    Datenblatt

         		Ultra X2 TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 120A (Tc) 10V 24mOhm @ 60A, 10V 4.5V @ 8mA 240 nC @ 10 V ±30V 13600 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXTK)
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