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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    SCT4036KEC11

    SCT4036KEC11

    1200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-ST

    Rohm Semiconductor

    		 4,683 -
    RFQ
    		SCT4036KEC11

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 43A (Tc) 18V 47mOhm @ 21A, 18V 4.8V @ 11.1mA 91 nC @ 18 V +21V, -4V 2335 pF @ 800 V - 176W 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
    IXFX32N100P

    IXFX32N100P

    MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3

    Littelfuse Inc.

    		 328 -
    RFQ
    		IXFX32N100P

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Polar TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 32A (Tc) 10V 320mOhm @ 16A, 10V 6.5V @ 1mA 225 nC @ 10 V ±30V 14200 pF @ 25 V - 960W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    NTHL027N65S3HF

    NTHL027N65S3HF

    MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3

    onsemi

    		 703 -
    RFQ
    		NTHL027N65S3HF

    Datenblatt

         		FRFET®, SuperFET® III TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 75A (Tc) 10V 27.4mOhm @ 35A, 10V 5V @ 3mA 225 nC @ 10 V ±30V 7630 pF @ 400 V - 595W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IXTT16N50D2

    IXTT16N50D2

    MOSFET N-CH 500V 16A TO268

    Littelfuse Inc.

    		 595 -
    RFQ
    		IXTT16N50D2

    Datenblatt

         		Depletion TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 500 V 16A (Tc) 0V 240mOhm @ 8A, 0V - 199 nC @ 5 V ±20V 5250 pF @ 25 V - 695W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
    IXFK120N65X2

    IXFK120N65X2

    MOSFET N-CH 650V 120A TO264

    Littelfuse Inc.

    		 285 -
    RFQ
    		IXFK120N65X2

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Ultra X2 TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 120A (Tc) 10V 24mOhm @ 60A, 10V 5.5V @ 8mA 225 nC @ 10 V ±30V 15500 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA
    C3M0065100J

    C3M0065100J

    SICFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7

    Wolfspeed, Inc.

    		 1,780 -
    RFQ
    		C3M0065100J

    Datenblatt

         		C3M™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Last Time Buy N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1000 V 35A (Tc) 15V 78mOhm @ 20A, 15V 3.5V @ 5mA 35 nC @ 15 V +15V, -4V 660 pF @ 600 V - 113.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK-7
    IXFN220N20X3

    IXFN220N20X3

    MOSFET N-CH 200V 160A SOT227B

    Littelfuse Inc.

    		 280 -
    RFQ
    		IXFN220N20X3

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Ultra X3 SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 160A (Tc) 10V 6.2mOhm @ 110A, 10V 4.5V @ 4mA 204 nC @ 10 V ±20V 13600 pF @ 25 V - 390W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    IXTN90P20P

    IXTN90P20P

    MOSFET P-CH 200V 90A SOT227B

    Littelfuse Inc.

    		 279 -
    RFQ
    		IXTN90P20P

    Datenblatt

         		PolarP™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 90A (Tc) 10V 44mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 205 nC @ 10 V ±20V 12000 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    SCT30N120

    SCT30N120

    SICFET N-CH 1200V 40A HIP247

    STMicroelectronics

    		 439 -
    RFQ
    		SCT30N120

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 40A (Tc) 20V 100mOhm @ 20A, 20V 2.6V @ 1mA (Typ) 105 nC @ 20 V +25V, -10V 1700 pF @ 400 V - 270W (Tc) -55°C ~ 200°C (TJ) - - Through Hole HiP247™
    NTHL015N065SC1

    NTHL015N065SC1

    SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

    onsemi

    		 605 -
    RFQ
    		NTHL015N065SC1

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 163A (Tc) 15V, 18V 18mOhm @ 75A, 18V 4.3V @ 25mA 283 nC @ 18 V +22V, -8V 4790 pF @ 325 V - 643W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IXFX64N50Q3

    IXFX64N50Q3

    MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247-3

    IXYS

    		 320 -
    RFQ
    		IXFX64N50Q3

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Q3 Class TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 64A (Tc) 10V 85mOhm @ 32A, 10V 6.5V @ 4mA 145 nC @ 10 V ±30V 6950 pF @ 25 V - 1000W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    IXFK24N100Q3

    IXFK24N100Q3

    MOSFET N-CH 1000V 24A TO264AA

    Littelfuse Inc.

    		 1,810 -
    RFQ
    		IXFK24N100Q3

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Q3 Class TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 24A (Tc) 10V 440mOhm @ 12A, 10V 6.5V @ 4mA 140 nC @ 10 V ±30V 7200 pF @ 25 V - 1000W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    NVBG022N120M3S

    NVBG022N120M3S

    SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V

    onsemi

    		 250 -
    RFQ
    		NVBG022N120M3S

    Datenblatt

         		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 58A (Tc) 18V 30mOhm @ 40A, 18V 4.4V @ 20mA 148 nC @ 18 V - 3200 pF @ 800 V - 234W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK-7
    IXTX120P20T

    IXTX120P20T

    MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247-3

    Littelfuse Inc.

    		 164 -
    RFQ
    		IXTX120P20T

    Datenblatt

         		TrenchP™ TO-247-3 Variant Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 120A (Tc) - 30mOhm @ 60A, 10V 4.5V @ 250µA 740 nC @ 10 V - 73000 pF @ 25 V - - - - - Through Hole PLUS247™-3
    C3M0032120D

    C3M0032120D

    SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3

    Wolfspeed, Inc.

    		 224 -
    RFQ
    		C3M0032120D

    Datenblatt

         		C3M™ TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 63A (Tc) 15V 43mOhm @ 40A, 15V 3.6V @ 11.5mA 114 nC @ 15 V +15V, -4V 3357 pF @ 1000 V - 283W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    NTBG020N090SC1

    NTBG020N090SC1

    SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK

    onsemi

    		 1,024 -
    RFQ
    		NTBG020N090SC1

    Datenblatt

         		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 900 V 9.8A (Ta), 112A (Tc) 15V 28mOhm @ 60A, 15V 4.3V @ 20mA 200 nC @ 15 V +19V, -10V 4415 pF @ 450 V - 3.7W (Ta), 477W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK-7
    IXFX32N100Q3

    IXFX32N100Q3

    MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3

    IXYS

    		 186 -
    RFQ
    		IXFX32N100Q3

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Q3 Class TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 32A (Tc) 10V 320mOhm @ 16A, 10V 6.5V @ 8mA 195 nC @ 10 V ±30V 9940 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    IXFN100N65X2

    IXFN100N65X2

    MOSFET N-CH 650V 78A SOT227B

    Littelfuse Inc.

    		 298 -
    RFQ
    		IXFN100N65X2

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Ultra X2 SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 78A (Tc) 10V 30mOhm @ 50A, 10V 5V @ 4mA 183 nC @ 10 V ±30V 10800 pF @ 25 V - 595W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    IXTN102N65X2

    IXTN102N65X2

    MOSFET N-CH 650V 76A SOT227

    Littelfuse Inc.

    		 327 -
    RFQ
    		IXTN102N65X2

    Datenblatt

         		Ultra X2 SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 76A (Tc) 10V 30mOhm @ 51A, 10V 5V @ 250µA 152 nC @ 10 V ±30V 10900 pF @ 25 V - 595AW (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227
    IXTX60N50L2

    IXTX60N50L2

    MOSFET N-CH 500V 60A PLUS247-3

    Littelfuse Inc.

    		 292 -
    RFQ
    		IXTX60N50L2

    Datenblatt

         		Linear L2™ TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 60A (Tc) 10V 100mOhm @ 30A, 10V 4.5V @ 250µA 610 nC @ 10 V ±30V 24000 pF @ 25 V - 960W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
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