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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    US5U38TR

    US5U38TR

    MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5

    Rohm Semiconductor

    		 2,706 -
    RFQ

    -

    		 * - Tape & Reel (TR) Not For New Designs - - - - - - - - - - - - - - - - -
    AO3413A

    AO3413A

    SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS

    UMW

    		 2,560 -
    RFQ
    		AO3413A

    Datenblatt

         		UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3A (Ta) 2.5V, 4.5V 66mOhm @ 3A, 4.5V 1V @ 250µA 11 nC @ 4.5 V ±8V 745 pF @ 10 V - 1.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    RJK0368DPA-WS#J0

    RJK0368DPA-WS#J0

    POWER TRANSISTOR, MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 2,085 -
    RFQ
    		RJK0368DPA-WS#J0

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    RJK0362DSP-WS#J0

    RJK0362DSP-WS#J0

    POWER TRANSISTOR, MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 1,830 -
    RFQ
    		RJK0362DSP-WS#J0

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IRF6721STRPBF

    IRF6721STRPBF

    MOSFET N-CH 30V 14A/60A DIRECTFT

    International Rectifier

    		 1,600 -
    RFQ
    		IRF6721STRPBF

    Datenblatt

         		DirectFET™ DirectFET™ Isometric SQ Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta), 60A (Tc) - 7.3mOhm @ 14A, 10V 2.4V @ 25µA 17 nC @ 4.5 V ±20V 1430 pF @ 15 V - 2.2W (Ta), 42W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DirectFET™ Isometric SQ
    G2K3N10H

    G2K3N10H

    MOSFET, N-CH,100V, 2A,SOT-223

    Goford Semiconductor

    		 1,585 -
    RFQ
    		G2K3N10H

    Datenblatt

         		TrenchFET® TO-261-4, TO-261AA Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 2A (Tc) 4.5V, 10V 220mOhm @ 2A, 10V 2V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±20V 434 pF @ 50 V - 2.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
    NTMFS4834NT1G

    NTMFS4834NT1G

    MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN

    onsemi

    		 9,209 -
    RFQ
    		NTMFS4834NT1G

    Datenblatt

         		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta), 130A (Tc) 4.5V, 11.5V 3mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 48 nC @ 4.5 V ±20V 4500 pF @ 12 V - 900mW (Ta), 86.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    FQPF3N25

    FQPF3N25

    MOSFET N-CH 250V 2.3A TO220F

    onsemi

    		 6,399 -
    RFQ
    		FQPF3N25

    Datenblatt

         		QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 2.3A (Tc) 10V 2.2Ohm @ 1.15A, 10V 5V @ 250µA 5.2 nC @ 10 V ±30V 170 pF @ 25 V - 27W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    FQD7N30TM

    FQD7N30TM

    MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK

    onsemi

    		 2,500 -
    RFQ
    		FQD7N30TM

    Datenblatt

         		QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 5.5A (Tc) 10V 700mOhm @ 2.75A, 10V 5V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±30V 610 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    FQD12N20LTM-F085

    FQD12N20LTM-F085

    MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

    onsemi

    		 55,000 -
    RFQ
    		FQD12N20LTM-F085

    Datenblatt

         		QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9A (Tc) 5V, 10V 280mOhm @ 4.5A, 10V 2V @ 250µA 21 nC @ 5 V ±20V 1080 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 55W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
    NTTFSC4937NTAG

    NTTFSC4937NTAG

    MOSFET N-CH 30V 50A U8FL

    onsemi

    		 2,369 -
    RFQ

    -

    		 * - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPD06N03LAG

    IPD06N03LAG

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Infineon Technologies

    		 25,570 -
    RFQ
    		IPD06N03LAG

    Datenblatt

         		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 5.7mOhm @ 30A, 10V 2V @ 40µA 22 nC @ 5 V ±20V 2653 pF @ 15 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
    AS6004

    AS6004

    P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

    ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

    		 14,691 -
    RFQ
    		AS6004

    Datenblatt

         		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 4A (Ta) 4.5V, 10V 120mOhm @ 4A, 10V 3V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V 930 pF @ 30 V - 1.5W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3L
    GSFL2004

    GSFL2004

    MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.00A, 200

    Good-Ark Semiconductor

    		 14,403 -
    RFQ
    		GSFL2004

    Datenblatt

         		- TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 4A (Ta) 4.5V, 10V 700mOhm @ 3A, 10V 2.9V @ 250µA 12.6 nC @ 10 V ±20V 775 pF @ 30 V - 30W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
    NTNS3A67PZT5G

    NTNS3A67PZT5G

    MOSFET P-CH 20V SOT883

    onsemi

    		 7,247 -
    RFQ

    -

    		 - 3-XFDFN Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - Surface Mount SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
    IRFR3711TRLPBF

    IRFR3711TRLPBF

    MOSFET N-CH 20V 100A DPAK

    Infineon Technologies

    		 6,650 -
    RFQ
    		IRFR3711TRLPBF

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 6.5mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 44 nC @ 4.5 V ±20V 2980 pF @ 10 V - 2.5W (Ta), 120W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IPB136N08N3GATMA1

    IPB136N08N3GATMA1

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Infineon Technologies

    		 4,000 -
    RFQ
    		IPB136N08N3GATMA1

    Datenblatt

         		OptiMOS™ 3 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 45A (Tc) 6V, 10V 13.9mOhm @ 45A, 10V 3.5V @ 33µA 25 nC @ 10 V ±20V 1730 pF @ 40 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    IRFH5255TRPBF

    IRFH5255TRPBF

    MOSFET N-CH 25V 15A/51A PQFN

    International Rectifier

    		 4,000 -
    RFQ
    		IRFH5255TRPBF

    Datenblatt

         		HEXFET® 8-PowerVDFN Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 15A (Ta), 51A (Tc) - 6mOhm @ 15A, 10V 2.35V @ 25µA 14.5 nC @ 10 V ±20V 988 pF @ 13 V - 3.6W (Ta), 26W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    IRFR3711TRPBF

    IRFR3711TRPBF

    MOSFET N-CH 20V 100A DPAK

    Infineon Technologies

    		 8,144 -
    RFQ
    		IRFR3711TRPBF

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 6.5mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 44 nC @ 4.5 V ±20V 2980 pF @ 10 V - 2.5W (Ta), 120W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    FDS6685

    FDS6685

    MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC

    UMW

    		 3,000 -
    RFQ
    		FDS6685

    Datenblatt

         		* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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