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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    IPP60R1K4C6XKSA1

    IPP60R1K4C6XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 9,914 -
    RFQ
    		IPP60R1K4C6XKSA1

    Datenblatt

         		CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.2A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 1.1A, 10V 3.5V @ 90µA 1.1 nC @ 10 V ±20V 200 pF @ 100 V - 28.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    2SK2631-E

    2SK2631-E

    MOSFET

    Sanyo

    		 7,000 -
    RFQ
    		2SK2631-E

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    PSMN085-150K,518

    PSMN085-150K,518

    NEXPERIA PSMN085-150K - 3.5A, 15

    NXP Semiconductors

    		 6,398 -
    RFQ
    		PSMN085-150K,518

    Datenblatt

         		TrenchMOS™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 3.5A (Tc) 10V 85mOhm @ 3.5A, 10V 4V @ 1mA 40 nC @ 10 V ±20V 1310 pF @ 25 V - 3.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    NTLJS3A18PZTWG

    NTLJS3A18PZTWG

    MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN

    onsemi

    		 9,567 -
    RFQ
    		NTLJS3A18PZTWG

    Datenblatt

         		- 6-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5A (Ta) 1.5V, 4.5V 18mOhm @ 7A, 4.5V 1V @ 250µA 28 nC @ 4.5 V ±8V 2240 pF @ 15 V - 700mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-WDFN (2x2)
    NVMFS5885NLT1G

    NVMFS5885NLT1G

    MOSFET N-CH 60V 10.2A 5DFN

    onsemi

    		 8,091 -
    RFQ
    		NVMFS5885NLT1G

    Datenblatt

         		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 10.2A (Ta) 4.5V, 10V 15mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 21 nC @ 10 V ±20V 1340 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 54W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    SFP2955

    SFP2955

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 5,794 -
    RFQ
    		SFP2955

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 9.4A (Tc) 10V 300mOhm @ 4.7A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 600 pF @ 25 V - 49W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    NTMFS4744NT3G

    NTMFS4744NT3G

    MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN

    onsemi

    		 9,754 -
    RFQ
    		NTMFS4744NT3G

    Datenblatt

         		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7A (Ta) 4.5V, 11.5V 7.6mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 17 nC @ 4.5 V ±20V 1300 pF @ 12 V - 880mW (Ta), 47.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    IRFH7936TRPBF

    IRFH7936TRPBF

    IRFH7936 - N-CHANNEL

    International Rectifier

    		 4,530 -
    RFQ
    		IRFH7936TRPBF

    Datenblatt

         		HEXFET® 8-PowerTDFN Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 20A (Ta), 54A (Tc) 4.5V, 10V 4.8mOhm @ 20A, 10V 2.35V @ 50µA 26 nC @ 4.5 V ±20V 2360 pF @ 15 V - 3.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    SFS9614

    SFS9614

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 4,236 -
    RFQ
    		SFS9614

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Full Pack Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 1.27A (Tc) 10V 4Ohm @ 600mA, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±30V 295 pF @ 25 V - 13W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
    BUK7575-55A,127

    BUK7575-55A,127

    NEXPERIA BUK7575 - N-CHANNEL MO

    NXP Semiconductors

    		 4,013 -
    RFQ
    		BUK7575-55A,127

    Datenblatt

         		TrenchMOS™ TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 20.3A (Tc) 10V 75mOhm @ 10A, 10V 4V @ 1mA - ±20V 483 pF @ 25 V - 62W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    NTQD4154ZR2G

    NTQD4154ZR2G

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    onsemi

    		 4,000 -
    RFQ
    		NTQD4154ZR2G

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    2302

    2302

    MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23

    Goford Semiconductor

    		 3,197 -
    RFQ
    		2302

    Datenblatt

         		TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.3A (Tc) 2.5V, 4.5V 27mOhm @ 2.2A, 4.5V 1.1V @ 250µA 4 nC @ 4.5 V ±10V 356 pF @ 10 V - 1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    FQD4N50TM

    FQD4N50TM

    MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK

    Fairchild Semiconductor

    		 3,035 -
    RFQ
    		FQD4N50TM

    Datenblatt

         		QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 2.6A (Tc) 10V 2.7Ohm @ 1.3A, 10V 5V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±30V 460 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    IRLML0060TR

    IRLML0060TR

    MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23

    UMW

    		 3,000 -
    RFQ
    		IRLML0060TR

    Datenblatt

         		* TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 2.7A (Ta) 4.5V, 10V 92mOhm @ 2.7A, 10V 2.5V @ 25µA - ±16V - - 1.25W (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
    FDN360P

    FDN360P

    MOSFET P-CH 30V 2A SOT23

    UMW

    		 3,000 -
    RFQ
    		FDN360P

    Datenblatt

         		* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IRLML5103TR

    IRLML5103TR

    MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23

    UMW

    		 2,990 -
    RFQ
    		IRLML5103TR

    Datenblatt

         		* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    G3035L

    G3035L

    P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75

    Goford Semiconductor

    		 2,755 -
    RFQ
    		G3035L

    Datenblatt

         		TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.1A (Ta) 4.5V, 10V 59mOhm @ 2.1A, 10V 2V @ 250µA 12.5 nC @ 10 V ±20V 650 pF @ 15 V - 1.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    IRF523

    IRF523

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    		 2,608 -
    RFQ
    		IRF523

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 8A (Tc) 10V 360mOhm @ 5.6A, 10V 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    NTD95N02RT4G

    NTD95N02RT4G

    MOSFET N-CH 24V 12A/32A DPAK

    onsemi

    		 6,496 -
    RFQ
    		NTD95N02RT4G

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24 V 12A (Ta), 32A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 21 nC @ 4.5 V ±20V 2400 pF @ 20 V - 1.25W (Ta), 86W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    RFD3N08LSM9A

    RFD3N08LSM9A

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    		 2,425 -
    RFQ
    		RFD3N08LSM9A

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 3A (Tc) 5V 800mOhm @ 3A, 5V 2.5V @ 250µA 8.5 nC @ 10 V ±10V 125 pF @ 25 V - 30W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
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