TomatoElecBestellverfolgung TomatoElecMein Konto
    Beliebte Suche CMPA601C025F CGHV96100F2 CGHV96130F AP3012KTR-E1 SMBJ43A-13-F DMN4034SSS-13 FMMT495QTA BZX84-B36-QR SD103AW-7-F DFLU1200-7
    TomatoElec

    Verfügbar 24/7 unter

    0755-82798135
    TomatoElec TomatoElec
    Alle Kategorien
    Startseite > Produkte  > Diskrete Halbleiterprodukte > Transistoren > FETs, MOSFETs > FETs, MOSFETs

    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

    Alles zurücksetzen
    Alle anwenden
    Ergebnis

    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    ISL9N306AD3ST

    ISL9N306AD3ST

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 8,371 -
    RFQ
    		ISL9N306AD3ST

    Datenblatt

         		UltraFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 50A, 10V 3V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±20V 3400 pF @ 15 V - 125W (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    SFW9510TM

    SFW9510TM

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 6,259 -
    RFQ
    		SFW9510TM

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 3.6A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 1.8A, 10V 4V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±30V 335 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 32W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    SSF6092G1

    SSF6092G1

    MOSFET, N-CH, SINGLE, 2.7A, 60V,

    Good-Ark Semiconductor

    		 6,000 -
    RFQ
    		SSF6092G1

    Datenblatt

         		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 2.7A 10V 92mOhm @ 2.7A, 10V 2.5V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 641 pF @ 25 V - 1.25W -55°C ~ 150°C - - Surface Mount SOT-23
    GSFR0308

    GSFR0308

    MOSFET, N-CH, SINGLE, 7A, 30V, S

    Good-Ark Semiconductor

    		 5,973 -
    RFQ
    		GSFR0308

    Datenblatt

         		- SOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7A (Ta) 4.5V, 10V 26mOhm @ 4A, 10V 2V @ 250µA 6.4 nC @ 10 V ±20V 460 pF @ 15 V - 2W (Ta) -50°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-6L
    G3035

    G3035

    P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75

    Goford Semiconductor

    		 5,959 -
    RFQ
    		G3035

    Datenblatt

         		TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.6A (Tc) 4.5V, 10V 55mOhm @ 4A, 10V 2V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±20V 607 pF @ 15 V - 1.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    HS54095-01-E

    HS54095-01-E

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 5,500 -
    RFQ
    		HS54095-01-E

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SSF3051G7

    SSF3051G7

    MOSFET, P-CH, SINGLE, -4A, -30V,

    Good-Ark Semiconductor

    		 5,198 -
    RFQ
    		SSF3051G7

    Datenblatt

         		- SOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.4A 4.5V, 10V 48mOhm @ 4.4A, 10V 3V @ 250µA 7.1 nC @ 5 V ±25V 520 pF @ 15 V - 1.7W -55°C ~ 150°C - - Surface Mount SOT-23-6L
    FSS248-TL-E

    FSS248-TL-E

    MOSFET N-CH

    onsemi

    		 5,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FQPF5P10

    FQPF5P10

    MOSFET P-CH 100V 2.9A TO220F

    Fairchild Semiconductor

    		 4,443 -
    RFQ
    		FQPF5P10

    Datenblatt

         		QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 2.9A (Tc) 10V 1.05Ohm @ 1.45A, 10V 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V ±30V 250 pF @ 25 V - 23W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    FQP630

    FQP630

    MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3

    Fairchild Semiconductor

    		 4,361 -
    RFQ
    		FQP630

    Datenblatt

         		QFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9A (Tc) 10V 400mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±25V 550 pF @ 25 V - 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    2SK681A-AZ

    2SK681A-AZ

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 4,181 -
    RFQ
    		2SK681A-AZ

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FQPF5N20L

    FQPF5N20L

    MOSFET N-CH 200V 3.5A TO220F

    Fairchild Semiconductor

    		 3,834 -
    RFQ
    		FQPF5N20L

    Datenblatt

         		QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3.5A (Tc) 5V, 10V 1.2Ohm @ 1.75A, 10V 2V @ 250µA 6.2 nC @ 5 V ±20V 325 pF @ 25 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    RJK03M6DNS-WS#J5

    RJK03M6DNS-WS#J5

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 3,610 -
    RFQ
    		RJK03M6DNS-WS#J5

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    03N06

    03N06

    N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12

    Goford Semiconductor

    		 3,332 -
    RFQ
    		03N06

    Datenblatt

         		TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 3A (Tc) 4.5V, 10V 80mOhm @ 2A, 10V 1.2V @ 250µA 14.6 nC @ 10 V ±20V 458 pF @ 30 V - 1.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    FDN340P-EV

    FDN340P-EV

    MOSFET P-CH 20V 2A SOT-23

    EVVO

    		 3,000 -
    RFQ
    		FDN340P-EV

    Datenblatt

         		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2A (Ta) 1.8V, 4.5V 70mOhm @ 2A, 4.5V 1.5V @ 250µA 8 nC @ 4.5 V ±8V 600 pF @ 10 V - 1.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    FDN339AN

    FDN339AN

    MOSFET N-CH 20V 3A SOT23

    UMW

    		 2,995 -
    RFQ
    		FDN339AN

    Datenblatt

         		* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SI2333CDS

    SI2333CDS

    MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23

    UMW

    		 2,994 -
    RFQ
    		SI2333CDS

    Datenblatt

         		* TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 7.1A (Tc) 1.8V, 4.5V 35mOhm @ 5.1A, 4.5V 1V @ 250µA - ±8V - - 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
    FDV304P

    FDV304P

    MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23

    UMW

    		 2,987 -
    RFQ
    		FDV304P

    Datenblatt

         		* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FQPF17N08

    FQPF17N08

    MOSFET N-CH 80V 11.2A TO220F

    Fairchild Semiconductor

    		 2,970 -
    RFQ
    		FQPF17N08

    Datenblatt

         		QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 11.2A (Tc) 10V 115mOhm @ 5.6A, 10V 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±25V 450 pF @ 25 V - 30W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    NTD4855N-35G

    NTD4855N-35G

    MOSFET N-CH 25V 14A/98A IPAK

    onsemi

    		 2,925 -
    RFQ
    		NTD4855N-35G

    Datenblatt

         		- TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 14A (Ta), 98A (Tc) 4.5V, 10V 4.3mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 32.7 nC @ 4.5 V ±20V 2950 pF @ 12 V - 1.35W (Ta), 66.7W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    Total 36284 Record«Prev1... 399400401402403404405406...1815Next»
    TomatoElec

    Suche

     TomatoElec

    Produkte

     TomatoElec

    Telefon

     TomatoElec

    Benutzer
    TomatoElec
    [email protected]
    0755-82798135