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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    IRFR121

    IRFR121

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    		 2,880 -
    RFQ
    		IRFR121

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 8.4A - - - - - - - - - - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    SFS9Z34

    SFS9Z34

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 2,772 -
    RFQ
    		SFS9Z34

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Full Pack Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 12A (Tc) 10V 140mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±30V 1155 pF @ 25 V - 36W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
    FDN359BN

    FDN359BN

    MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23

    UMW

    		 2,753 -
    RFQ
    		FDN359BN

    Datenblatt

         		* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDN358P

    FDN358P

    MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23

    UMW

    		 2,528 -
    RFQ
    		FDN358P

    Datenblatt

         		* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    MTP4N40E

    MTP4N40E

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    onsemi

    		 2,516 -
    RFQ
    		MTP4N40E

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    UPA2762UGR-E1-AT

    UPA2762UGR-E1-AT

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 2,500 -
    RFQ
    		UPA2762UGR-E1-AT

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    RFD14N06LSM9A

    RFD14N06LSM9A

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    		 2,500 -
    RFQ
    		RFD14N06LSM9A

    Datenblatt

         		- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SI2307A

    SI2307A

    30V 3A 1.25W 80MR@10V,3A 3V@250A

    UMW

    		 2,192 -
    RFQ
    		SI2307A

    Datenblatt

         		UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3A (Ta) 4.5V, 10V 50mOhm @ 3A, 10V 3V @ 250µA 15 nC @ 15 V ±20V 565 pF @ 15 V - 1.25W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    AO3404A

    AO3404A

    30V 5.8A 28MR@10V,5.8A 1.4W 3V@2

    UMW

    		 2,139 -
    RFQ
    		AO3404A

    Datenblatt

         		UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.8A (Ta) 4.5V, 10V 25mOhm @ 5.8A, 10V 3V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V 820 pF @ 15 V - 1.4W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    FSS248-TL-E-SY

    FSS248-TL-E-SY

    MOSFET N-CH

    Sanyo

    		 2,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    RJK03M6DPA-WS#J5A

    RJK03M6DPA-WS#J5A

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 1,740 -
    RFQ
    		RJK03M6DPA-WS#J5A

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FQPF2N50

    FQPF2N50

    MOSFET N-CH 500V 1.3A TO220F

    Fairchild Semiconductor

    		 1,628 -
    RFQ
    		FQPF2N50

    Datenblatt

         		QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 1.3A (Tc) 10V 5.3Ohm @ 650mA, 10V 5V @ 250µA 8 nC @ 10 V ±30V 230 pF @ 25 V - 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    SFT1452-H

    SFT1452-H

    MOSFET N-CH 250V 3A IPAK/TP

    onsemi

    		 9,076 -
    RFQ
    		SFT1452-H

    Datenblatt

         		- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 3A (Ta) 10V 2.4Ohm @ 1.5A, 10V 4.5V @ 1mA 4.2 nC @ 10 V ±30V 210 pF @ 20 V - 1W (Ta), 26W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK/TP
    FDMA530PZ

    FDMA530PZ

    POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

    Fairchild Semiconductor

    		 1,382 -
    RFQ
    		FDMA530PZ

    Datenblatt

         		PowerTrench® 6-WDFN Exposed Pad Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6.8A (Ta) 4.5V, 10V 35mOhm @ 6.8A, 10V 3V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±25V 1070 pF @ 15 V - 2.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
    IRFD112

    IRFD112

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    Harris Corporation

    		 1,371 -
    RFQ
    		IRFD112

    Datenblatt

         		- 4-DIP (0.300", 7.62mm) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 800mA (Tc) 10V 800mOhm @ 800mA, 10V 4V @ 250µA 7 nC @ 10 V ±20V 135 pF @ 25 V - 1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 4-DIP, Hexdip
    G2312

    G2312

    N20V,RD(MAX)<18M@10V,RD(MAX)<20M

    Goford Semiconductor

    		 1,127 -
    RFQ
    		G2312

    Datenblatt

         		TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5A (Tc) 2.5V, 4.5V 17mOhm @ 3A, 4.5V 1V @ 250µA 10.5 nC @ 4.5 V ±12V 830 pF @ 10 V - 1.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    FQD2N50TF

    FQD2N50TF

    MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

    Fairchild Semiconductor

    		 1,015 -
    RFQ
    		FQD2N50TF

    Datenblatt

         		QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 1.6A (Tc) 10V 5.3Ohm @ 800mA, 10V 5V @ 250µA 8 nC @ 10 V ±30V 230 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    G65P06D5

    G65P06D5

    MOSFET P-CH 60V 65A DFN5*6-8L

    Goford Semiconductor

    		 5,000 -
    RFQ
    		G65P06D5

    Datenblatt

         		TrenchFET® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) - 65A (Tc) 10V 18mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA - ±20V - - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)
    CPH3457-TL-W

    CPH3457-TL-W

    MOSFET N-CH 30V 3A 3CPH

    onsemi

    		 8,948 -
    RFQ
    		CPH3457-TL-W

    Datenblatt

         		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3A (Ta) 1.8V, 4.5V 95mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.3V @ 1mA 3.5 nC @ 4.5 V ±12V 265 pF @ 10 V - 1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 3-CPH
    SPP03N60C3XKSA1

    SPP03N60C3XKSA1

    LOW POWER_LEGACY

    Infineon Technologies

    		 7,514 -
    RFQ
    		SPP03N60C3XKSA1

    Datenblatt

         		CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.2A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 2A, 10V 3.9V @ 135µA 17 nC @ 10 V ±20V 400 pF @ 25 V - 38W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
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