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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    NTMFS4985NFT3G

    NTMFS4985NFT3G

    MOSFET N-CH 30V 17.5A/65A 5DFN

    onsemi

    		 7,808 -
    RFQ
    		NTMFS4985NFT3G

    Datenblatt

         		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 17.5A (Ta), 65A (Tc) 4.5V, 10V 3.4mOhm @ 30A, 10V 2.3V @ 1mA 30.5 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 15 V - 1.63W (Ta), 22.73W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    2SK1591(0)-T1B-A

    2SK1591(0)-T1B-A

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 271,583 -
    RFQ
    		2SK1591(0)-T1B-A

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SBSS84LT1G

    SBSS84LT1G

    MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3

    onsemi

    		 74,521 -
    RFQ
    		SBSS84LT1G

    Datenblatt

         		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 130mA (Ta) 5V 10Ohm @ 100mA, 5V 2V @ 250µA 2.2 nC @ 10 V ±20V 36 pF @ 5 V - 225mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
    FQPF6N90C

    FQPF6N90C

    MOSFET N-CH 900V 6A TO220F

    onsemi

    		 3,312 -
    RFQ
    		FQPF6N90C

    Datenblatt

         		QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 6A (Tc) 10V 2.3Ohm @ 3A, 10V 5V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±30V 1770 pF @ 25 V - 56W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    RJK03D0DNS-00#J5

    RJK03D0DNS-00#J5

    POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 55,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    2SK2570ZL-TL-E

    2SK2570ZL-TL-E

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 54,000 -
    RFQ
    		2SK2570ZL-TL-E

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IRFU220BTU-AM002

    IRFU220BTU-AM002

    MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK

    onsemi

    		 7,137 -
    RFQ
    		IRFU220BTU-AM002

    Datenblatt

         		- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 4.6A (Tc) 10V 800mOhm @ 2.3A, 10V 4V @ 250µA 16 nC @ 10 V ±30V 390 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    FDZ3N513ZT

    FDZ3N513ZT

    MOSFET N-CH 30V 1.1A 4WLCSP

    Fairchild Semiconductor

    		 25,469 -
    RFQ
    		FDZ3N513ZT

    Datenblatt

         		- 4-XFBGA, WLCSP Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1.1A - 462mOhm @ 300mA, 4.5V 1.5V @ 250µA 1 nC @ 4.5 V +5.5V, -300mV 85 pF @ 15 V Schottky Diode (Isolated) 1W (Ta) -55°C ~ 125°C (TJ) - - Surface Mount 4-WLCSP (1x1)
    SSF8309S

    SSF8309S

    MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.8A, -30

    Good-Ark Semiconductor

    		 14,626 -
    RFQ
    		SSF8309S

    Datenblatt

         		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3.8A (Ta) 4.5V, 10V 75mOhm @ 3A, 10V 2.2V @ 250µA 6 nC @ 4.5 V ±25V 665 pF @ 15 V - 1.56W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    IPU80R2K8CEAKMA1

    IPU80R2K8CEAKMA1

    MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3

    Infineon Technologies

    		 7,750 -
    RFQ
    		IPU80R2K8CEAKMA1

    Datenblatt

         		CoolMOS™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 1.9A (Tc) 10V 2.8Ohm @ 1.1A, 10V 3.9V @ 120µA 12 nC @ 10 V ±20V 290 pF @ 100 V - 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
    ATP201-TL-H

    ATP201-TL-H

    MOSFET N-CH 30V 35A ATPAK

    onsemi

    		 7,340 -
    RFQ

    -

    		 - ATPAK (2 Leads+Tab) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 35A (Ta) 4.5V, 10V 17mOhm @ 18A, 10V - 17 nC @ 10 V ±20V 985 pF @ 10 V - 30W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount ATPAK
    NVD5414NT4G-VF01

    NVD5414NT4G-VF01

    MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

    onsemi

    		 3,448 -
    RFQ
    		NVD5414NT4G-VF01

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 24A (Tc) 10V 37mOhm @ 24A, 10V 4V @ 250µA 48 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 55W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK-3
    IRFH8316TRPBF-IR

    IRFH8316TRPBF-IR

    IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET

    International Rectifier

    		 6,260 -
    RFQ
    		IRFH8316TRPBF-IR

    Datenblatt

         		HEXFET® 8-PowerTDFN Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 27A (Ta), 50A (Tc) 4.5V, 10V 2.95mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 50µA 59 nC @ 10 V ±20V 3610 pF @ 10 V - 3.6W (Ta), 59W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    SSF2314

    SSF2314

    MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.5A, 20V,

    Good-Ark Semiconductor

    		 6,000 -
    RFQ
    		SSF2314

    Datenblatt

         		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5.8A (Tc) 1.8V, 4.5V 25mOhm @ 4A, 4.5V - 11 nC @ 4.5 V ±10V 775 pF @ 10 V - 1.56W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    GSFC0301

    GSFC0301

    MOSFETS, P-CH, SINGLE, -30V, -4.

    Good-Ark Semiconductor

    		 6,000 -
    RFQ
    		GSFC0301

    Datenblatt

         		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.1A (Ta) 2.5V, 10V 65mOhm @ 4A, 10V - 11 nC @ 4.5 V ±12V 1175 pF @ 15 V - 1.56W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    GSFC0306

    GSFC0306

    MOSFETS, N-CH, SINGLE, 30V, 5.5A

    Good-Ark Semiconductor

    		 5,985 -
    RFQ
    		GSFC0306

    Datenblatt

         		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.5A (Tc) 4.5V, 10V 25mOhm @ 4A, 10V 2.5V @ 250µA 7 nC @ 4.5 V ±20V 520 pF @ 15 V - 1.56W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    SSF2341E

    SSF2341E

    MOSFET, P-CH, SINGLE, -4A, -20V,

    Good-Ark Semiconductor

    		 5,580 -
    RFQ
    		SSF2341E

    Datenblatt

         		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4A (Tc) 1.8V, 4.5V 43mOhm @ 4A, 4.5V 1V @ 250µA 10 nC @ 4.5 V ±8V 939 pF @ 10 V - 1.4W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    GSF2315

    GSF2315

    MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,

    Good-Ark Semiconductor

    		 4,507 -
    RFQ
    		GSF2315

    Datenblatt

         		- SC-70, SOT-323 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 1.5A (Tc) 1.8V, 4.5V 90mOhm @ 1A, 4.5V 1V @ 250µA 8 nC @ 4.5 V ±10V 510 pF @ 15 V - 312mW (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-323
    SSF7912

    SSF7912

    MOSFET, N-CH, SINGLE, 3.20A, 60V

    Good-Ark Semiconductor

    		 3,306 -
    RFQ
    		SSF7912

    Datenblatt

         		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 3.2A (Tc) 4.5V, 10V 75mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 725 pF @ 15 V - 1.56W (Tc) -50°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    G350P02LLE

    G350P02LLE

    P-20V,-8.2A,RD(MAX)<[email protected],V

    Goford Semiconductor

    		 2,985 -
    RFQ
    		G350P02LLE

    Datenblatt

         		TrenchFET® SOT-23-6 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.5A (Tc) 1.8V, 4.5V 35mOhm @ 4A, 4.5V 1V @ 250µA 17.2 nC @ 10 V ±10V 1126 pF @ 10 V - 1.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-6L
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