Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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Einzelne Dioden

TomatoElec liefert einzelne Dioden für Industrie, Automotive, Kommunikation, Stromversorgung und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst häufig verwendete einzelne Diodenprodukte für Gleichrichtungs-, Schalt-, Signalsteuerungs- und Schutzschaltungen.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung einzelner Dioden und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung einzelner Dioden, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht
1N5615US

1N5615US

DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Microchip Technology

630 -
RFQ
1N5615US

Datenblatt

- SQ-MELF, A Bulk Active Standard 200 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 500 nA @ 200 V 45pF @ 12V, 1MHz - - Surface Mount D-5A -65°C ~ 175°C
VS-60EPU02-N3

VS-60EPU02-N3

DIODE GP 200V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

554 -
RFQ
VS-60EPU02-N3

Datenblatt

FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 200 V 60A 1.08 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 28 ns 50 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -55°C ~ 175°C
JANTX1N6642

JANTX1N6642

DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35

Microchip Technology

6,996 -
RFQ
JANTX1N6642

Datenblatt

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 75 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20 ns 500 nA @ 75 V 5pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/578 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
1N3881

1N3881

DIODE GEN PURP 200V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

414 -
RFQ
1N3881

Datenblatt

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 200 V 6A 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 15 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
GD20MPS12H

GD20MPS12H

DIODE SIL CARB 1.2KV 39A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

2,961 -
RFQ
GD20MPS12H

Datenblatt

SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 39A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 1200 V 737pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
S4D15120H

S4D15120H

DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO247AC

SMC Diode Solutions

634 -
RFQ
S4D15120H

Datenblatt

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 15A 1.8 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 35 µA @ 1200 V 1200pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
STPSC20065WY

STPSC20065WY

DIODE SIL CARBIDE 650V 20A DO247

STMicroelectronics

258 -
RFQ
STPSC20065WY

Datenblatt

ECOPACK®2 DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.45 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 300 µA @ 650 V 1250pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-247 -40°C ~ 175°C
FFSB3065B

FFSB3065B

DIODE SIL CARB 650V 73A D2PAK-2

onsemi

3,732 -
RFQ
FFSB3065B

Datenblatt

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 73A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 1280pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
IDDD20G65C6XTMA1

IDDD20G65C6XTMA1

DIODE SIL CARB 650V 51A HDSOP-10

Infineon Technologies

606 -
RFQ
IDDD20G65C6XTMA1

Datenblatt

CoolSiC™+ 10-PowerSOP Module Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 51A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 67 µA @ 420 V 970pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-HDSOP-10-1 -55°C ~ 175°C
VS-12FR120

VS-12FR120

DIODE GEN PURP 1.2KV 12A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

475 -
RFQ
VS-12FR120

Datenblatt

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1200 V 12A 1.26 V @ 38 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 12 mA @ 1200 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 175°C
VS-40HF40

VS-40HF40

DIODE GEN PURP 400V 40A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

221 -
RFQ
VS-40HF40

Datenblatt

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 400 V 40A 1.3 V @ 125 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 9 mA @ 400 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 190°C
JANTX1N5554

JANTX1N5554

DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

Microchip Technology

118 -
RFQ
JANTX1N5554

Datenblatt

- B, Axial Bulk Active Standard 1000 V 5A 1.3 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 2 µA @ 1000 V - Military MIL-PRF-19500/420 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
DSEI60-12A

DSEI60-12A

DIODE GEN PURP 1.2KV 52A TO247AD

IXYS

561 -
RFQ
DSEI60-12A

Datenblatt

- TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 52A 2.55 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 2.2 mA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
PCDD08120G1_L2_00001

PCDD08120G1_L2_00001

1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

Panjit International Inc.

2,137 -
RFQ
PCDD08120G1_L2_00001

Datenblatt

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 8A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 418pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252AA -55°C ~ 175°C
JANTX1N5712-1

JANTX1N5712-1

DIODE SCHOTTKY 20V 750MA DO35

Microchip Technology

154 -
RFQ
JANTX1N5712-1

Datenblatt

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Schottky 20 V 750mA 1 V @ 35 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 150 nA @ 16 V 2pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/444 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
C3D16065D1

C3D16065D1

DIODE SIL CARBIDE 650V TO247-3

Wolfspeed, Inc.

651 -
RFQ
C3D16065D1

Datenblatt

Z-Rec® TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 43A 1.8 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 95 µA @ 650 V 740pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
VS-40HF60

VS-40HF60

DIODE GEN PURP 600V 40A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

139 -
RFQ
VS-40HF60

Datenblatt

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 600 V 40A 1.3 V @ 125 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 9 mA @ 600 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 190°C
FFSH10120A-F085

FFSH10120A-F085

DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO247-2

onsemi

895 -
RFQ
FFSH10120A-F085

Datenblatt

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 17A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 612pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
FFSB3065B-F085

FFSB3065B-F085

DIODE SIL CARBIDE 650V 73A D2PAK

onsemi

4,032 -
RFQ
FFSB3065B-F085

Datenblatt

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 73A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 1280pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
FFSB10120A-F085

FFSB10120A-F085

DIODE SIL CARB 1.2KV 21A D2PAK

onsemi

197 -
RFQ
FFSB10120A-F085

Datenblatt

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 21A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 612pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
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