Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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Einzelne Dioden

TomatoElec liefert einzelne Dioden für Industrie, Automotive, Kommunikation, Stromversorgung und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst häufig verwendete einzelne Diodenprodukte für Gleichrichtungs-, Schalt-, Signalsteuerungs- und Schutzschaltungen.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung einzelner Dioden und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung einzelner Dioden, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht
STTH6010W

STTH6010W

DIODE GEN PURP 1KV 60A DO247

STMicroelectronics

787 -
RFQ
STTH6010W

Datenblatt

- DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 1000 V 60A 2 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 115 ns 20 µA @ 1000 V - - - Through Hole DO-247 175°C (Max)
STPSC12065G2-TR

STPSC12065G2-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK

STMicroelectronics

1,155 -
RFQ
STPSC12065G2-TR

Datenblatt

ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.45 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 150 µA @ 650 V 750pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
DSEI30-06A

DSEI30-06A

DIODE GEN PURP 600V 37A TO247AD

IXYS

821 -
RFQ
DSEI30-06A

Datenblatt

- TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 37A 1.6 V @ 37 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
JANTX1N5806

JANTX1N5806

DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL

Microchip Technology

149 -
RFQ
JANTX1N5806

Datenblatt

- A, Axial Bulk Active Standard 150 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 150 V 25pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
GD30MPS06A

GD30MPS06A

DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2

GeneSiC Semiconductor

1,744 -
RFQ
GD30MPS06A

Datenblatt

SiC Schottky MPS™ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-220-2 175°C
DNA30EM2200PZ-TRL

DNA30EM2200PZ-TRL

DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263AA

IXYS

1,151 -
RFQ
DNA30EM2200PZ-TRL

Datenblatt

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 2200 V 30A 1.26 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 2200 V 7pF @ 700V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AA -55°C ~ 150°C
STPSC10H12G-TR

STPSC10H12G-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK

STMicroelectronics

1,955 -
RFQ
STPSC10H12G-TR

Datenblatt

ECOPACK® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 725pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
1N5804

1N5804

DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Microchip Technology

299 -
RFQ
1N5804

Datenblatt

- A, Axial Bulk Active Standard 100 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 100 V 25pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
C3D10065E

C3D10065E

DIODE SIL CARB 650V 32A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

7,911 -
RFQ
C3D10065E

Datenblatt

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 32A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 460.5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
C6D10065Q-TR

C6D10065Q-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 39A 4QFN

Wolfspeed, Inc.

1,573 -
RFQ
C6D10065Q-TR

Datenblatt

- 4-PowerVQFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 39A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 50 µA @ 650 V 611pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount 4-QFN (8x8) -55°C ~ 175°C
C6D10065E

C6D10065E

DIODE SIL CARB 650V 35A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

3,633 -
RFQ
C6D10065E

Datenblatt

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 35A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 611pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
APT60S20SG

APT60S20SG

DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3

Microchip Technology

187 -
RFQ
APT60S20SG

Datenblatt

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active Schottky 200 V 75A 900 mV @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 1 mA @ 200 V - - - Surface Mount D3PAK -55°C ~ 150°C
VS-HFA15PB60-N3

VS-HFA15PB60-N3

DIODE GP 600V 15A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

194 -
RFQ
VS-HFA15PB60-N3

Datenblatt

HEXFRED® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 15A 1.7 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -55°C ~ 150°C
STTH30RQ06L2Y-TR

STTH30RQ06L2Y-TR

DIODE GEN PURP 600V 30A HU3PAK

STMicroelectronics

823 -
RFQ
STTH30RQ06L2Y-TR

Datenblatt

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 30A 2.95 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 40 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount HU3PAK -40°C ~ 175°C
IDK12G65C5XTMA2

IDK12G65C5XTMA2

DIODE SIL CARB 650V 12A TO263-2

Infineon Technologies

1,257 -
RFQ
IDK12G65C5XTMA2

Datenblatt

CoolSiC™+ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.8 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - 360pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO263-2 -55°C ~ 175°C
1N5614US

1N5614US

DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Microchip Technology

250 -
RFQ
1N5614US

Datenblatt

- SQ-MELF, A Bulk Active Standard 200 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 200 V - - - Surface Mount D-5A -65°C ~ 200°C
IDL12G65C5XUMA2

IDL12G65C5XUMA2

DIODE SIL CARB 650V 12A VSON-4

Infineon Technologies

6,146 -
RFQ
IDL12G65C5XUMA2

Datenblatt

CoolSiC™+ 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.7 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 190 µA @ 650 V 360pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-VSON-4 -55°C ~ 150°C
DSEI36-06AS-TUB

DSEI36-06AS-TUB

DIODE GEN PURP 600V 37A TO263AA

IXYS

1,403 -
RFQ
DSEI36-06AS-TUB

Datenblatt

FRED TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 600 V 37A 1.6 V @ 37 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 100 µA @ 600 V - - - Surface Mount TO-263AA -40°C ~ 150°C
C4D05120E-TR

C4D05120E-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 19A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

1,520 -
RFQ
C4D05120E-TR

Datenblatt

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 19A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 150 µA @ 1200 V 390pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
1N5550

1N5550

DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Microchip Technology

262 -
RFQ
1N5550

Datenblatt

- B, Axial Bulk Active Standard 200 V 3A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 200 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
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