Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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Einzelne Dioden

TomatoElec liefert einzelne Dioden für Industrie, Automotive, Kommunikation, Stromversorgung und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst häufig verwendete einzelne Diodenprodukte für Gleichrichtungs-, Schalt-, Signalsteuerungs- und Schutzschaltungen.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung einzelner Dioden und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung einzelner Dioden, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht
IDL04G65C5XUMA2

IDL04G65C5XUMA2

DIODE SIL CARBIDE 650V 4A VSON-4

Infineon Technologies

3,064 -
RFQ
IDL04G65C5XUMA2

Datenblatt

CoolSiC™+ 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.7 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 70 µA @ 650 V 130pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-VSON-4 -55°C ~ 175°C
DSI30-08A

DSI30-08A

DIODE GEN PURP 800V 30A TO220AC

IXYS

2,518 -
RFQ
DSI30-08A

Datenblatt

- TO-220-2 Tube Active Standard 800 V 30A 1.29 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 800 V 10pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
APT30S20BG

APT30S20BG

DIODE SCHOTTKY 200V 45A TO247

Microchip Technology

228 -
RFQ
APT30S20BG

Datenblatt

- TO-247-2 Tube Active Schottky 200 V 45A 850 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 500 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 150°C
STTH1512G

STTH1512G

DIODE GEN PURP 1.2KV 15A D2PAK

STMicroelectronics

1,572 -
RFQ
STTH1512G

Datenblatt

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 1200 V 15A 2.1 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 105 ns 15 µA @ 1200 V - - - Surface Mount D2PAK 175°C (Max)
BY12

BY12

DIODE GEN PURP 12000V 0.5A AXIAL

Diotec Semiconductor

1,080 -
RFQ
BY12

Datenblatt

- Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 12000 V 500mA 10 V @ 500 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 1 µA @ 12000 V - - - Through Hole Axial -50°C ~ 150°C
STTH30R04G-TR

STTH30R04G-TR

DIODE GEN PURP 400V 30A D2PAK

STMicroelectronics

1,965 -
RFQ
STTH30R04G-TR

Datenblatt

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 30A 1.45 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 ns 15 µA @ 400 V - - - Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
BY8

BY8

DIODE GEN PURP 8000V 0.5A AXIAL

Diotec Semiconductor

1,792 -
RFQ
BY8

Datenblatt

- Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 8000 V 500mA 8 V @ 500 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 1 µA @ 8000 V - - - Through Hole Axial -50°C ~ 150°C
C4D02120A

C4D02120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

1,728 -
RFQ
C4D02120A

Datenblatt

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.8 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1200 V 167pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
VS-10ETF12FP-M3

VS-10ETF12FP-M3

DIODE GP 1.2KV 10A TO220-2FP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,069 -
RFQ
VS-10ETF12FP-M3

Datenblatt

- TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 1200 V 10A 1.33 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 310 ns 100 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-220-2 Full Pack -40°C ~ 150°C
D6015LTP

D6015LTP

DIODE GP 600V 9.5A TO220

Littelfuse Inc.

200 -
RFQ
D6015LTP

Datenblatt

- TO-220-3 Isolated Tab Tube Active Standard 600 V 9.5A 1.6 V @ 9.5 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 4 µs 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220 Isolated Tab -40°C ~ 125°C
VS-20ETS08FP-M3

VS-20ETS08FP-M3

DIODE GP 800V 20A TO220-2FP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

861 -
RFQ
VS-20ETS08FP-M3

Datenblatt

- TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 800 V 20A 1.1 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 800 V - - - Through Hole TO-220-2 Full Pack -40°C ~ 150°C
VS-CPU6006L-N3

VS-CPU6006L-N3

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

413 -
RFQ
VS-CPU6006L-N3

Datenblatt

FRED Pt® TO-247-3 Tube Active Standard 600 V 30A 1.75 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 42 ns 30 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
VS-60APH03L-N3

VS-60APH03L-N3

DIODE GEN PURP 300V 60A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

211 -
RFQ
VS-60APH03L-N3

Datenblatt

FRED Pt® TO-247-3 Tube Active Standard 300 V 60A 1.45 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 42 ns 10 µA @ 300 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
STTH30RQ06G-TR

STTH30RQ06G-TR

DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK

STMicroelectronics

5,351 -
RFQ
STTH30RQ06G-TR

Datenblatt

ECOPACK® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 30A 2.95 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 40 µA @ 600 V - - - Surface Mount D2PAK 175°C (Max)
RBQ30TB45BNZC9

RBQ30TB45BNZC9

DIODE SCHOTTKY 45V 30A TO220FN-2

Rohm Semiconductor

1,145 -
RFQ
RBQ30TB45BNZC9

Datenblatt

- TO-220-2 Full Pack Tube Active Schottky 45 V 30A 590 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 350 µA @ 45 V - - - Through Hole TO-220FN-2 150°C
D6020LTP

D6020LTP

DIODE GP 600V 12.7A TO220AB-L

Littelfuse Inc.

1,075 -
RFQ
D6020LTP

Datenblatt

- TO-220-3 Isolated Tab Tube Active Standard 600 V 12.7A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 4 µs 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AB-L -40°C ~ 125°C
C6D06065E

C6D06065E

DIODE SIL CARB 650V 23A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

1,775 -
RFQ
C6D06065E

Datenblatt

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 23A 1.5 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 394pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
APT30D20BG

APT30D20BG

DIODE GP 200V 30A TO247

Microchip Technology

141 -
RFQ
APT30D20BG

Datenblatt

- TO-247-2 Tube Active Standard 200 V 30A 1.3 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 24 ns 250 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 175°C
IDD04SG60CXTMA2

IDD04SG60CXTMA2

DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-3

Infineon Technologies

8,891 -
RFQ
IDD04SG60CXTMA2

Datenblatt

CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 4A 2.3 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 25 µA @ 600 V 80pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-3 -55°C ~ 175°C
STPS15L25D

STPS15L25D

DIODE SCHOTTKY 25V 15A TO220AC

STMicroelectronics

2,507 -
RFQ
STPS15L25D

Datenblatt

- TO-220-2 Tube Active Schottky 25 V 15A 460 mV @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1.3 mA @ 25 V - - - Through Hole TO-220AC 150°C (Max)
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