Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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Einzelne Dioden

TomatoElec liefert einzelne Dioden für Industrie, Automotive, Kommunikation, Stromversorgung und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst häufig verwendete einzelne Diodenprodukte für Gleichrichtungs-, Schalt-, Signalsteuerungs- und Schutzschaltungen.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung einzelner Dioden und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung einzelner Dioden, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht
VS-10ETS12FP-M3

VS-10ETS12FP-M3

DIODE GP 1.2KV 10A TO220-2FP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,692 -
RFQ
VS-10ETS12FP-M3

Datenblatt

- TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 1200 V 10A 1.1 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220-2 Full Pack -40°C ~ 150°C
VS-20ETS08S-M3

VS-20ETS08S-M3

DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,643 -
RFQ
VS-20ETS08S-M3

Datenblatt

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 800 V 20A 1.1 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 800 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -40°C ~ 150°C
VS-20ETS12S-M3

VS-20ETS12S-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,229 -
RFQ
VS-20ETS12S-M3

Datenblatt

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 1200 V 20A 1.1 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -40°C ~ 150°C
DURF840

DURF840

DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC

Littelfuse Inc.

6,385 -
RFQ
DURF840

Datenblatt

DUR TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 400 V 8A 1.3 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 10 µA @ 400 V - - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 150°C
VS-HFA08SD60STR-M3

VS-HFA08SD60STR-M3

DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,449 -
RFQ
VS-HFA08SD60STR-M3

Datenblatt

HEXFRED® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 8A 1.7 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 5 µA @ 600 V - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK) -55°C ~ 150°C
IDD03SG60CXTMA2

IDD03SG60CXTMA2

DIODE SIL CARB 600V 3A TO252-3

Infineon Technologies

2,539 -
RFQ
IDD03SG60CXTMA2

Datenblatt

CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 3A 2.3 V @ 3 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 15 µA @ 600 V 60pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-3 -55°C ~ 175°C
RFN20TJ6SGC9

RFN20TJ6SGC9

DIODE GP 600V 20A TO220ACFP

Rohm Semiconductor

316 -
RFQ
RFN20TJ6SGC9

Datenblatt

- TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 600 V 20A 1.55 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 140 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220ACFP 150°C (Max)
ACDBA1100LR-HF

ACDBA1100LR-HF

DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC

Comchip Technology

1,448 -
RFQ
ACDBA1100LR-HF

Datenblatt

- DO-214AC, SMA Tape & Reel (TR) Active Schottky 100 V 1A 750 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 500 µA @ 100 V 120pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount DO-214AC (SMA) -55°C ~ 150°C
S4D02120E

S4D02120E

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2A DPAK

SMC Diode Solutions

6,747 -
RFQ
S4D02120E

Datenblatt

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 2A 1.8 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 1200 V 116pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -55°C ~ 175°C
NRVTS30100MFST3G

NRVTS30100MFST3G

DIODE SCHOTTKY 100V 30A 5DFN

onsemi

3,043 -
RFQ
NRVTS30100MFST3G

Datenblatt

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active Schottky 100 V 30A 760 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 100 V 2540pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) -55°C ~ 175°C
IDH04G65C5XKSA2

IDH04G65C5XKSA2

DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2-1

Infineon Technologies

1,631 -
RFQ
IDH04G65C5XKSA2

Datenblatt

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.7 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 70 µA @ 650 V 130pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
APT30D120BG

APT30D120BG

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

Microchip Technology

180 -
RFQ
APT30D120BG

Datenblatt

- TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 30A 2.5 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 370 ns 250 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 175°C
C3D04060E

C3D04060E

DIODE SIL CARB 600V 13.5A TO252

Wolfspeed, Inc.

3,933 -
RFQ
C3D04060E

Datenblatt

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 13.5A 1.7 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 251pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
C3D04060F

C3D04060F

DIODE SIL CARB 600V 9A TO220-F2

Wolfspeed, Inc.

3,228 -
RFQ
C3D04060F

Datenblatt

Z-Rec® TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 9A 1.7 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 251pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-F2 -55°C ~ 175°C
C6D04065A

C6D04065A

DIODE SIL CARB 650V 18A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

870 -
RFQ
C6D04065A

Datenblatt

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 18A 1.27 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-220-2 -
VS-60APU06-N3

VS-60APU06-N3

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

282 -
RFQ
VS-60APU06-N3

Datenblatt

FRED Pt® TO-247-3 Tube Active Standard 600 V 60A 1.68 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 81 ns 50 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
BY6

BY6

DIODE GEN PURP 6000V 1A AXIAL

Diotec Semiconductor

808 -
RFQ
BY6

Datenblatt

- Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 6000 V 1A 6 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 1 µA @ 6000 V - - - Through Hole Axial -50°C ~ 150°C
STPSC406B-TR

STPSC406B-TR

DIODE SIL CARBIDE 600V 4A DPAK

STMicroelectronics

2,211 -
RFQ
STPSC406B-TR

Datenblatt

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 4A 1.9 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 200pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -40°C ~ 175°C
C3D04065E

C3D04065E

DIODE SIL CARB 650V 13.5A TO252

Wolfspeed, Inc.

1,624 -
RFQ
C3D04065E

Datenblatt

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 13.5A 1.8 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V 251pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
DSEI12-06A

DSEI12-06A

DIODE GEN PURP 600V 14A TO220AC

IXYS

110 -
RFQ
DSEI12-06A

Datenblatt

- TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 14A 1.7 V @ 16 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 50 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
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