Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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Einzelne Dioden

TomatoElec liefert einzelne Dioden für Industrie, Automotive, Kommunikation, Stromversorgung und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst häufig verwendete einzelne Diodenprodukte für Gleichrichtungs-, Schalt-, Signalsteuerungs- und Schutzschaltungen.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung einzelner Dioden und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung einzelner Dioden, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht
STTH30R04W

STTH30R04W

DIODE GEN PURP 400V 30A DO247

STMicroelectronics

398 -
RFQ
STTH30R04W

Datenblatt

- DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 400 V 30A 1.45 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 ns 15 µA @ 400 V - - - Through Hole DO-247 -40°C ~ 175°C
VS-20ETF06-M3

VS-20ETF06-M3

DIODE GEN PURP 600V 20A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,918 -
RFQ
VS-20ETF06-M3

Datenblatt

- TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 20A 1.3 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 160 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
STBR3012G2-TR

STBR3012G2-TR

DIODE GP 1.2KV 30A D2PAK HV

STMicroelectronics

1,403 -
RFQ
STBR3012G2-TR

Datenblatt

ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 30A 1.3 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 2 µA @ 1200 V - - - Surface Mount D2PAK HV 175°C (Max)
STPSC10H065BY-TR

STPSC10H065BY-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK

STMicroelectronics

6,652 -
RFQ
STPSC10H065BY-TR

Datenblatt

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 480pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK -40°C ~ 175°C
VS-20ETF10-M3

VS-20ETF10-M3

DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,377 -
RFQ
VS-20ETF10-M3

Datenblatt

- TO-220-2 Tube Active Standard 1000 V 20A 1.3 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 95 ns 100 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
VS-8EWF04S-M3

VS-8EWF04S-M3

DIODE GEN PURP 400V 8A DPAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,765 -
RFQ
VS-8EWF04S-M3

Datenblatt

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active Standard 400 V 8A 1.2 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 100 µA @ 400 V - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK) -40°C ~ 150°C
STBR3012G2Y-TR

STBR3012G2Y-TR

DIODE GP 1.2KV 30A D2PAK HV

STMicroelectronics

364 -
RFQ
STBR3012G2Y-TR

Datenblatt

ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 30A 1.3 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 2 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK HV -40°C ~ 175°C
STTH3010PI

STTH3010PI

DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I

STMicroelectronics

2,860 -
RFQ
STTH3010PI

Datenblatt

- DOP3I-2 Insulated (Straight Leads) Tube Active Standard 1000 V 30A 2 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 ns 15 µA @ 1000 V - - - Through Hole DOP3I 175°C (Max)
1N5618

1N5618

DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Microchip Technology

267 -
RFQ
1N5618

Datenblatt

- A, Axial Bulk Active Standard 600 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 600 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 200°C
BY16

BY16

DIODE GEN PURP 16000V 0.3A AXIAL

Diotec Semiconductor

263 -
RFQ
BY16

Datenblatt

- Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 16000 V 300mA 15 V @ 300 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 1 µA @ 16000 V - - - Through Hole Axial -50°C ~ 150°C
C3D06060G

C3D06060G

DIODE SIL CARB 600V 19A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

7,066 -
RFQ
C3D06060G

Datenblatt

Z-Rec® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 19A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 295pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
IDD06SG60CXTMA2

IDD06SG60CXTMA2

DIODE SIL CARB 600V 6A TO252-3

Infineon Technologies

9,208 -
RFQ
IDD06SG60CXTMA2

Datenblatt

CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 6A 2.3 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 130pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-3 -55°C ~ 175°C
IDL08G65C5XUMA2

IDL08G65C5XUMA2

DIODE SIL CARBIDE 650V 8A VSON-4

Infineon Technologies

7,147 -
RFQ
IDL08G65C5XUMA2

Datenblatt

CoolSiC™+ 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 140 µA @ 650 V 250pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-VSON-4 -55°C ~ 150°C
STTH3010W

STTH3010W

DIODE GEN PURP 1KV 30A DO247

STMicroelectronics

1,194 -
RFQ
STTH3010W

Datenblatt

- DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 1000 V 30A 2 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 ns 15 µA @ 1000 V - - - Through Hole DO-247 175°C (Max)
DSEP40-03AS-TRL

DSEP40-03AS-TRL

DIODE GEN PURP 300V 40A TO263AA

IXYS

3,638 -
RFQ
DSEP40-03AS-TRL

Datenblatt

HiPerFRED™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 300 V 40A 1.44 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 5 µA @ 300 V 50pF @ 150V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AA -55°C ~ 175°C
DSI30-16AS-TUB

DSI30-16AS-TUB

DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263AA

IXYS

2,458 -
RFQ
DSI30-16AS-TUB

Datenblatt

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 1600 V 30A 1.29 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 1600 V 10pF @ 400V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AA -40°C ~ 175°C
STTH6004W

STTH6004W

DIODE GEN PURP 400V 60A DO247

STMicroelectronics

6,790 -
RFQ
STTH6004W

Datenblatt

- DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 400 V 60A 1.2 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 90 ns 50 µA @ 400 V - - - Through Hole DO-247 175°C (Max)
JAN1N5617

JAN1N5617

DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Microchip Technology

177 -
RFQ
JAN1N5617

Datenblatt

- A, Axial Bulk Active Standard 400 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 500 nA @ 400 V - Military MIL-PRF-19500/429 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
DSEP30-06A

DSEP30-06A

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD

IXYS

990 -
RFQ
DSEP30-06A

Datenblatt

HiPerFRED™ TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 30A 1.6 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 250 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
IDM08G120C5XTMA1

IDM08G120C5XTMA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO252-2

Infineon Technologies

1,688 -
RFQ
IDM08G120C5XTMA1

Datenblatt

CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 8A 1.95 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 1200 V 365pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-2 -55°C ~ 175°C
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