Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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Ergebnis

Einzelne Dioden

TomatoElec liefert einzelne Dioden für Industrie, Automotive, Kommunikation, Stromversorgung und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst häufig verwendete einzelne Diodenprodukte für Gleichrichtungs-, Schalt-, Signalsteuerungs- und Schutzschaltungen.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung einzelner Dioden und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung einzelner Dioden, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht
DNA30E2200PA

DNA30E2200PA

DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO220AC

IXYS

219 -
RFQ
DNA30E2200PA

Datenblatt

- TO-220-2 Tube Active Standard 2200 V 30A 1.26 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 2200 V 7pF @ 700V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
1N5620

1N5620

DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Microchip Technology

300 -
RFQ
1N5620

Datenblatt

- A, Axial Bulk Active Standard 800 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 800 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 200°C
STPSC10H065DI

STPSC10H065DI

DIODE SIC 650V 10A TO220AC INS

STMicroelectronics

999 -
RFQ
STPSC10H065DI

Datenblatt

- TO-220-2 Insulated, TO-220AC Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.75 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 650 V - - - Through Hole TO-220AC ins -40°C ~ 175°C
IDW100E60FKSA1

IDW100E60FKSA1

DIODE GP 600V 150A TO247-3-1

Infineon Technologies

388 -
RFQ
IDW100E60FKSA1

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Standard 600 V 150A 2 V @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 120 ns 40 µA @ 600 V - - - Through Hole PG-TO247-3-1 -55°C ~ 175°C
C3D06065I

C3D06065I

DIODE SIL CARB 650V 13A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

970 -
RFQ
C3D06065I

Datenblatt

Z-Rec® TO-220-2 Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 13A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 295pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 Isolated Tab -55°C ~ 175°C
C3D08060A

C3D08060A

DIODE SIL CARB 600V 24A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

357 -
RFQ
C3D08060A

Datenblatt

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 24A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 441pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
1N3611

1N3611

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Microchip Technology

341 -
RFQ
1N3611

Datenblatt

- A, Axial Bulk Active Standard 200 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 1 µA @ 200 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
VS-30EPH06-N3

VS-30EPH06-N3

DIODE GP 600V 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,744 -
RFQ
VS-30EPH06-N3

Datenblatt

FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 30A 2.6 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 31 ns 50 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -65°C ~ 175°C
STPSC12065DY

STPSC12065DY

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC

STMicroelectronics

7,548 -
RFQ
STPSC12065DY

Datenblatt

ECOPACK®2 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.45 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 750pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
ISL9R3060G2-F085

ISL9R3060G2-F085

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2

onsemi

418 -
RFQ
ISL9R3060G2-F085

Datenblatt

Stealth™ TO-247-2 Tube Active Avalanche 600 V 30A 2.4 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 100 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
UJ3D1210TS

UJ3D1210TS

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2

Qorvo

8,990 -
RFQ
UJ3D1210TS

Datenblatt

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 110 µA @ 1200 V 510pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
DLA40IM800PC-TRL

DLA40IM800PC-TRL

DIODE GEN PURP 800V 40A TO263AA

IXYS

1,266 -
RFQ
DLA40IM800PC-TRL

Datenblatt

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 800 V 40A 1.3 V @ 40 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 800 V 10pF @ 400V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AA -55°C ~ 175°C
IDK08G120C5XTMA1

IDK08G120C5XTMA1

DIODE SIC 1.2KV 22.8A TO263-1

Infineon Technologies

373 -
RFQ
IDK08G120C5XTMA1

Datenblatt

CoolSiC™+ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 22.8A 1.95 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 40 µA @ 1200 V 365pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO263-2-1 -55°C ~ 175°C
DSI30-16AS-TRL

DSI30-16AS-TRL

DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263AA

IXYS

2,638 -
RFQ
DSI30-16AS-TRL

Datenblatt

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 1600 V 30A 1.29 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 1600 V 10pF @ 400V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AA -40°C ~ 175°C
DSEP29-12A

DSEP29-12A

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC

IXYS

774 -
RFQ
DSEP29-12A

Datenblatt

HiPerFRED™ TO-220-2 Tube Active Standard 1200 V 30A 2.75 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 40 ns 250 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
JANTX1N3611

JANTX1N3611

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Microchip Technology

356 -
RFQ
JANTX1N3611

Datenblatt

- A, Axial Bulk Active Standard 200 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 1 µA @ 200 V - Military MIL-PRF-19500/228 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
DSEI30-10A

DSEI30-10A

DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247AD

IXYS

445 -
RFQ
DSEI30-10A

Datenblatt

- TO-247-2 Tube Active Standard 1000 V 30A 2.4 V @ 36 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 750 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
C3D08065E

C3D08065E

DIODE SIL CARB 650V 25.5A TO252

Wolfspeed, Inc.

2,740 -
RFQ
C3D08065E

Datenblatt

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 25.5A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 395pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
IDK10G65C5XTMA2

IDK10G65C5XTMA2

DIODE SIL CARB 650V 10A TO263-2

Infineon Technologies

1,857 -
RFQ
IDK10G65C5XTMA2

Datenblatt

CoolSiC™+ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - 300pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO263-2 -55°C ~ 175°C
STPSC10H12GY-TR

STPSC10H12GY-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK

STMicroelectronics

1,893 -
RFQ
STPSC10H12GY-TR

Datenblatt

ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 725pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
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