Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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Einzelne Dioden

TomatoElec liefert einzelne Dioden für Industrie, Automotive, Kommunikation, Stromversorgung und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst häufig verwendete einzelne Diodenprodukte für Gleichrichtungs-, Schalt-, Signalsteuerungs- und Schutzschaltungen.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung einzelner Dioden und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung einzelner Dioden, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht
DNA30E2200PZ-TRL

DNA30E2200PZ-TRL

DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263

IXYS

3,257 -
RFQ
DNA30E2200PZ-TRL

Datenblatt

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 2200 V 30A 1.26 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 2200 V 7pF @ 700V, 1MHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 150°C
C3D08060G

C3D08060G

DIODE SIL CARB 600V 24A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

205 -
RFQ
C3D08060G

Datenblatt

Z-Rec® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 24A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 441pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
VS-80APS12-M3

VS-80APS12-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,977 -
RFQ
VS-80APS12-M3

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Standard 1200 V 80A 1.17 V @ 80 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
IDWD150E65E7XKSA1

IDWD150E65E7XKSA1

DIODE GEN PURP 650V 200A TO247-2

Infineon Technologies

328 -
RFQ
IDWD150E65E7XKSA1

Datenblatt

- TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 200A 2.1 V @ 150 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 97 ns 20 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
DPG60IM300PC-TRL

DPG60IM300PC-TRL

DIODE GEN PURP 300V 60A TO263AA

IXYS

1,956 -
RFQ
DPG60IM300PC-TRL

Datenblatt

HiPerFRED²™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 300 V 60A 1.43 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 1 µA @ 300 V - - - Surface Mount TO-263AA -55°C ~ 175°C
FFSM2065B

FFSM2065B

DIODE SIL CARB 650V 23.4A 4PQFN

onsemi

2,096 -
RFQ
FFSM2065B

Datenblatt

- 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 23.4A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 866pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount 4-PQFN (8x8) -55°C ~ 175°C
STPSC10H12G2-TR

STPSC10H12G2-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK

STMicroelectronics

570 -
RFQ
STPSC10H12G2-TR

Datenblatt

ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 725pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK HV -40°C ~ 175°C
VS-60EPS08-M3

VS-60EPS08-M3

DIODE GP 800V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,185 -
RFQ
VS-60EPS08-M3

Datenblatt

- TO-247-2 Tube Active Standard 800 V 60A 1.09 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 800 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-60EPS12-M3

VS-60EPS12-M3

DIODE GP 1.2KV 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

408 -
RFQ
VS-60EPS12-M3

Datenblatt

- TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 60A 1.09 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
FFSB2065BDN-F085

FFSB2065BDN-F085

DIODE SIC 650V 23.6A D2PAK-3

onsemi

659 -
RFQ
FFSB2065BDN-F085

Datenblatt

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 23.6A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 421pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
FFSD08120A

FFSD08120A

DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA

onsemi

2,010 -
RFQ
FFSD08120A

Datenblatt

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 22.5A 1.75 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 538pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-252AA -55°C ~ 175°C
STPSC10H12G2Y-TR

STPSC10H12G2Y-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK

STMicroelectronics

498 -
RFQ
STPSC10H12G2Y-TR

Datenblatt

ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 725pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK HV -40°C ~ 175°C
1N5802

1N5802

DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL

Microchip Technology

298 -
RFQ
1N5802

Datenblatt

- A, Axial Bulk Active Standard 50 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 50 V 25pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
VS-16F120

VS-16F120

DIODE GEN PURP 1.2KV 16A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

104 -
RFQ
VS-16F120

Datenblatt

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 1200 V 16A 1.23 V @ 50 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 12 mA @ 1200 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 175°C
1N5807

1N5807

DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Microchip Technology

198 -
RFQ
1N5807

Datenblatt

- B, Axial Bulk Active Standard 50 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 50 V 60pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
JANTX1N5417

JANTX1N5417

DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Microchip Technology

204 -
RFQ
JANTX1N5417

Datenblatt

- B, Axial Bulk Active Standard 200 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 200 V - Military MIL-PRF-19500/411 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
DH20-18A

DH20-18A

DIODE GEN PURP 1.8KV 20A TO247

IXYS

129 -
RFQ
DH20-18A

Datenblatt

- TO-247-2 Tube Active Standard 1800 V 20A 2.24 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 50 µA @ 1800 V - - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 150°C
1N5615US

1N5615US

DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Microchip Technology

630 -
RFQ
1N5615US

Datenblatt

- SQ-MELF, A Bulk Active Standard 200 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 500 nA @ 200 V 45pF @ 12V, 1MHz - - Surface Mount D-5A -65°C ~ 175°C
VS-60EPU02-N3

VS-60EPU02-N3

DIODE GP 200V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

554 -
RFQ
VS-60EPU02-N3

Datenblatt

FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 200 V 60A 1.08 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 28 ns 50 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -55°C ~ 175°C
JANTX1N6642

JANTX1N6642

DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35

Microchip Technology

6,996 -
RFQ
JANTX1N6642

Datenblatt

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 75 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20 ns 500 nA @ 75 V 5pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/578 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
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