Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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Einzelne Dioden

TomatoElec liefert einzelne Dioden für Industrie, Automotive, Kommunikation, Stromversorgung und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst häufig verwendete einzelne Diodenprodukte für Gleichrichtungs-, Schalt-, Signalsteuerungs- und Schutzschaltungen.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung einzelner Dioden und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung einzelner Dioden, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht
IDW30G65C5XKSA1

IDW30G65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3

Infineon Technologies

931 -
RFQ
IDW30G65C5XKSA1

Datenblatt

CoolSiC™+ TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 220 µA @ 650 V 860pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-3 -55°C ~ 175°C
STPSC20H12G2Y-TR

STPSC20H12G2Y-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A D2PAK

STMicroelectronics

2,769 -
RFQ
STPSC20H12G2Y-TR

Datenblatt

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 120 µA @ 1200 V 1650pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK HV -40°C ~ 175°C
JANTXV1N5809US

JANTXV1N5809US

DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

166 -
RFQ
JANTXV1N5809US

Datenblatt

- SQ-MELF, B Bulk Active Standard 100 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 100 V 60pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
JANTXV1N5811US

JANTXV1N5811US

DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

148 -
RFQ
JANTXV1N5811US

Datenblatt

- SQ-MELF, B Bulk Active Standard 150 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 150 V 60pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
DSDI60-16A

DSDI60-16A

DIODE GEN PURP 1.6KV 63A TO247AD

IXYS

328 -
RFQ
DSDI60-16A

Datenblatt

- TO-247-2 Tube Active Standard 1600 V 63A 4.1 V @ 70 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 2 mA @ 1600 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
UJ3D06560KSD

UJ3D06560KSD

DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3

Qorvo

6,369 -
RFQ
UJ3D06560KSD

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 740 µA @ 650 V 1980pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
VS-70HFL100S05

VS-70HFL100S05

DIODE GEN PURP 1KV 70A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

244 -
RFQ
VS-70HFL100S05

Datenblatt

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1000 V 70A 1.85 V @ 219.8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 100 µA @ 1000 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -40°C ~ 125°C
VS-85HFR60

VS-85HFR60

DIODE GEN PURP 600V 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

120 -
RFQ
VS-85HFR60

Datenblatt

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 9 mA @ 600 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
JANS1N6642

JANS1N6642

DIODE GEN PURP 75V 300MA DO204AH

Microchip Technology

434 -
RFQ
JANS1N6642

Datenblatt

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 75 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5 ns 500 nA @ 75 V 5pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/578 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
E4D10120A

E4D10120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

386 -
RFQ
E4D10120A

Datenblatt

E-Series TO-220-2 Tube Last Time Buy SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 33A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 200 µA @ 1200 V 777pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
GD50MPS12H

GD50MPS12H

DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

124 -
RFQ
GD50MPS12H

Datenblatt

SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 92A 1.8 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 15 µA @ 1200 V 1835pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
C4D20120H

C4D20120H

DIODE SIL CARB 1.2KV 54A TO247-2

Wolfspeed, Inc.

410 -
RFQ
C4D20120H

Datenblatt

Z-Rec® TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 54A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1500pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
E4D20120G

E4D20120G

DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

2,376 -
RFQ
E4D20120G

Datenblatt

E-Series TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Last Time Buy SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 56A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1474pF @ 0V, 1MHz Automotive - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
C4D30120H

C4D30120H

DIODE SIL CARB 1.2KV 94A TO247-2

Wolfspeed, Inc.

780 -
RFQ
C4D30120H

Datenblatt

- TO-247-2 Bulk Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 94A 1.8 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 250 µA @ 1200 V 2177pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
C6D50065H

C6D50065H

SIC, SCHOTTKY DIODE, 136A, 650V,

Wolfspeed, Inc.

1,383 -
RFQ
C6D50065H

Datenblatt

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 136A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 100 µA @ 650 V 2819pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
C4D20120A

C4D20120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 54.5A TO220

Wolfspeed, Inc.

5,493 -
RFQ
C4D20120A

Datenblatt

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 54.5A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1500pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
LSIC2SD120D20A

LSIC2SD120D20A

SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A TO2

Littelfuse Inc.

750 -
RFQ
LSIC2SD120D20A

Datenblatt

Gen2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 55A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 1310pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-2L -55°C ~ 175°C
UJ3D1250K

UJ3D1250K

DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-3

Qorvo

6,427 -
RFQ
UJ3D1250K

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 50A 1.7 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 1200 V 2340pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
VS-T40HF60

VS-T40HF60

DIODE GEN PURP 600V 40A D-55

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

124 -
RFQ
VS-T40HF60

Datenblatt

- D-55 T-Module Bulk Active Standard 600 V 40A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 15 mA @ 600 V - - - Chassis Mount D-55 -
VS-HFA135NH40PBF

VS-HFA135NH40PBF

DIODE GEN PURP 400V 275A D-67

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

136 -
RFQ
VS-HFA135NH40PBF

Datenblatt

HEXFRED® D-67 HALF-PAK Bulk Active Standard 400 V 275A 2 V @ 270 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 120 ns 3 mA @ 400 V - - - Chassis Mount D-67 HALF-PAK -
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