Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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Einzelne Dioden

TomatoElec liefert einzelne Dioden für Industrie, Automotive, Kommunikation, Stromversorgung und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst häufig verwendete einzelne Diodenprodukte für Gleichrichtungs-, Schalt-, Signalsteuerungs- und Schutzschaltungen.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung einzelner Dioden und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung einzelner Dioden, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht
FFSB20120A

FFSB20120A

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 32A D2PAK-3

onsemi

503 -
RFQ
FFSB20120A

Datenblatt

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 32A 1.75 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 1200 V 1220pF @ 1V, 100KHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
NDSH10170A

NDSH10170A

DIODE SIL CARB 1.7KV 16A TO247-2

onsemi

374 -
RFQ
NDSH10170A

Datenblatt

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 16A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 1700 V 856pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
GP3D010A170B

GP3D010A170B

DIODE SIL CARB 1.7KV 39A TO247-2

SemiQ

360 -
RFQ
GP3D010A170B

Datenblatt

Amp+™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 39A 1.65 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 1700 V 699pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
1N5804US

1N5804US

DIODE GEN PURP 100V 1A D-5A

Microchip Technology

1,182 -
RFQ
1N5804US

Datenblatt

- SQ-MELF, A Bulk Active Standard 100 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 100 V 25pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount D-5A -65°C ~ 175°C
VS-60APF12-M3

VS-60APF12-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

627 -
RFQ
VS-60APF12-M3

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Standard 1200 V 60A 1.4 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 480 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
DSEP60-06A

DSEP60-06A

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD

IXYS

300 -
RFQ
DSEP60-06A

Datenblatt

HiPerFRED™ TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 60A 2.04 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 650 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
JANTX1N5551US

JANTX1N5551US

DIODE GEN PURP 400V 5A B SQ-MELF

Microchip Technology

155 -
RFQ
JANTX1N5551US

Datenblatt

- SQ-MELF, B Bulk Active Standard 400 V 5A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 400 V - Military MIL-PRF-19500/420 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
STPSC20H12D

STPSC20H12D

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO220AC

STMicroelectronics

806 -
RFQ
STPSC20H12D

Datenblatt

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 1200 V 1650pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
GD30MPS12H

GD30MPS12H

DIODE SIL CARB 1.2KV 55A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

503 -
RFQ
GD30MPS12H

Datenblatt

SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 55A 1.8 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 20 µA @ 1200 V 1101pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
1N1190AR

1N1190AR

DIODE GEN PURP REV 600V 40A DO5

GeneSiC Semiconductor

869 -
RFQ
1N1190AR

Datenblatt

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 40A 1.1 V @ 40 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
SCS220AJTLL

SCS220AJTLL

DIODE SIL CARB 650V 20A TO263AB

Rohm Semiconductor

1,713 -
RFQ
SCS220AJTLL

Datenblatt

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.55 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 600 V 730pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AB 175°C (Max)
GD30MPS12J-TR

GD30MPS12J-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 59A TO263-7

GeneSiC Semiconductor

2,036 -
RFQ
GD30MPS12J-TR

Datenblatt

SiC Schottky MPS™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 59A 1.8 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 1101pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-7 -55°C ~ 175°C
VS-1N2128A

VS-1N2128A

DIODE GEN PURP 50V 60A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

102 -
RFQ
VS-1N2128A

Datenblatt

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 50 V 60A 1.3 V @ 188 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 200°C
63SPB100A

63SPB100A

DIODE SCHOTTKY 100V 60A SPD-2A

SMC Diode Solutions

4,833 -
RFQ
63SPB100A

Datenblatt

- SPD-2A Bulk Active Schottky 100 V 60A 870 mV @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 100 V 1500pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount SPD-2A -55°C ~ 175°C
STPSC20H12WL

STPSC20H12WL

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A DO247

STMicroelectronics

142 -
RFQ
STPSC20H12WL

Datenblatt

ECOPACK®2 DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 1200 V 1650pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-247 -40°C ~ 175°C
DH60-16A

DH60-16A

DIODE GEN PURP 1.6KV 60A TO247AD

IXYS

892 -
RFQ
DH60-16A

Datenblatt

- TO-247-2 Tube Active Standard 1600 V 60A 2.04 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 230 ns 200 µA @ 1400 V 32pF @ 1200V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 150°C
VS-HFA30PB120-N3

VS-HFA30PB120-N3

DIODE GP 1.2KV 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

154 -
RFQ
VS-HFA30PB120-N3

Datenblatt

- TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 30A 4.1 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 170 ns 40 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AC Modified -55°C ~ 150°C
IDWD20G120C5XKSA1

IDWD20G120C5XKSA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 62A TO247-2

Infineon Technologies

240 -
RFQ
IDWD20G120C5XKSA1

Datenblatt

CoolSiC™+ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 62A 1.65 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 166 µA @ 1200 V 1368pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-2 -55°C ~ 175°C
C4D08120E

C4D08120E

DIODE SIL CARB 1.2KV 24.5A TO252

Wolfspeed, Inc.

863 -
RFQ
C4D08120E

Datenblatt

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 24.5A 3 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 1200 V 560pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
GD15MPS17H

GD15MPS17H

DIODE SIL CARB 1.7KV 36A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

1,214 -
RFQ
GD15MPS17H

Datenblatt

SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 36A 1.8 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1700 V 1082pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
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