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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    RJK03K4DPA-00#J5A

    RJK03K4DPA-00#J5A

    N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 396,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDMS7578

    FDMS7578

    MOSFET N-CH 25V 17A/28A 8PQFN

    onsemi

    		 3,406 -
    RFQ
    		FDMS7578

    Datenblatt

         		PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 17A (Ta), 28A (Tc) 4.5V, 10V 5.8mOhm @ 17A, 10V 3V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V 1625 pF @ 13 V - 2.5W (Ta), 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    RJK0349DPA-01#J0B

    RJK0349DPA-01#J0B

    MOSFET N-CH 30V 45A 8WPAK

    Renesas Electronics Corporation

    		 112,500 -
    RFQ
    		RJK0349DPA-01#J0B

    Datenblatt

         		- 8-PowerWDFN Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 45A (Ta) - 3.1mOhm @ 22.5A, 10V - 25 nC @ 4.5 V - 3850 pF @ 10 V - 50W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-WPAK
    IPP80N06S4L07AKSA2

    IPP80N06S4L07AKSA2

    MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 4,950 -
    RFQ
    		IPP80N06S4L07AKSA2

    Datenblatt

         		OptiMOS™ TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 6.7mOhm @ 80A, 10V 2.2V @ 40µA 75 nC @ 10 V ±16V 5680 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO220-3-1
    FDB4030L

    FDB4030L

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 13,600 -
    RFQ
    		FDB4030L

    Datenblatt

         		PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 20A (Tc) 10V 55mOhm @ 4.5A, 10V 2V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 365 pF @ 15 V - 37.5W (Tc) -65°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AB
    HAT2019R-EL-E

    HAT2019R-EL-E

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 10,000 -
    RFQ
    		HAT2019R-EL-E

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    UPA1874GR-9JG-E1-A

    UPA1874GR-9JG-E1-A

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 9,000 -
    RFQ
    		UPA1874GR-9JG-E1-A

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDD6676

    FDD6676

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 8,182 -
    RFQ
    		FDD6676

    Datenblatt

         		PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 78A (Ta) 4.5V, 10V 7.5mOhm @ 16.8A, 10V 3V @ 250µA 63 nC @ 5 V ±16V 5103 pF @ 15 V - 1.6W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    2SK1896

    2SK1896

    NPN SILICON TRANSISTOR

    onsemi

    		 6,742 -
    RFQ
    		2SK1896

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDU8586

    FDU8586

    MOSFET N-CH 20V 35A IPAK

    Fairchild Semiconductor

    		 6,297 -
    RFQ
    		FDU8586

    Datenblatt

         		PowerTrench® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 35A (Tc) 4.5V, 10V 5.5mOhm @ 35A, 10V 2.5V @ 250µA 48 nC @ 10 V ±20V 2480 pF @ 10 V - 77W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    UPA2749UT1A-E2-AY

    UPA2749UT1A-E2-AY

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 6,000 -
    RFQ
    		UPA2749UT1A-E2-AY

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPS60R210PFD7SAKMA1

    IPS60R210PFD7SAKMA1

    MOSFET N-CH 650V 16A TO251-3

    Infineon Technologies

    		 4,534 -
    RFQ
    		IPS60R210PFD7SAKMA1

    Datenblatt

         		CoolMOS™PFD7 TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 16A (Tc) 10V 210mOhm @ 4.9A, 10V 4.5V @ 240µA 23 nC @ 10 V ±20V 1015 pF @ 400 V - 64W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
    HUFA76419S3S

    HUFA76419S3S

    MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK

    Fairchild Semiconductor

    		 4,000 -
    RFQ
    		HUFA76419S3S

    Datenblatt

         		UltraFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 29A (Tc) 4.5V, 10V 35mOhm @ 29A, 10V 3V @ 250µA 28 nC @ 10 V ±16V 900 pF @ 25 V - 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    UPA2749UT1A-E1-AY

    UPA2749UT1A-E1-AY

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 3,000 -
    RFQ
    		UPA2749UT1A-E1-AY

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    2SK3634-AZ

    2SK3634-AZ

    MOSFET N-CH 200V 6A TO251

    Renesas Electronics Corporation

    		 2,991 -
    RFQ
    		2SK3634-AZ

    Datenblatt

         		- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 6A (Tc) - 600mOhm @ 3A, 10V 4.5V @ 1mA 9 nC @ 10 V - 270 pF @ 10 V - - - - - Through Hole TO-251
    HUF75925P3

    HUF75925P3

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 2,400 -
    RFQ
    		HUF75925P3

    Datenblatt

         		UltraFET® TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 11A (Tc) 10V 275mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 20 V ±20V 1030 pF @ 25 V - 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    1N60G

    1N60G

    SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS

    UMW

    		 2,399 -
    RFQ
    		1N60G

    Datenblatt

         		UMW TO-261-4, TO-261AA Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 1A (Tj) 10V 11Ohm @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 4.8 nC @ 10 V ±30V 150 pF @ 25 V - - 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
    FDD2612

    FDD2612

    MOSFET N-CH 200V 4.9A TO252

    Fairchild Semiconductor

    		 2,261 -
    RFQ
    		FDD2612

    Datenblatt

         		PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 4.9A (Ta) 10V 720mOhm @ 1.5A, 10V 4.5V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 234 pF @ 100 V - 42W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    FQPF28N15

    FQPF28N15

    MOSFET N-CH 150V 16.7A TO220F

    Fairchild Semiconductor

    		 1,904 -
    RFQ
    		FQPF28N15

    Datenblatt

         		QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 16.7A (Tc) 10V 90mOhm @ 8.35A, 10V 4V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±25V 1600 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    MTB15N06V

    MTB15N06V

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    onsemi

    		 1,853 -
    RFQ
    		MTB15N06V

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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