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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    GSFN0988

    GSFN0988

    MOSFET, N-CH, SINGLE, 16A, 100V,

    Good-Ark Semiconductor

    		 3,665 -
    RFQ
    		GSFN0988

    Datenblatt

         		- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 16A (Tc) 4.5V, 10V 38mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 12 nC @ 10 V +20V, -12V 740 pF @ 20 V - 32.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PPAK (3.05x3.08)
    NTNS2K1P021ZTCG

    NTNS2K1P021ZTCG

    MOSFET P-CH 20V 127MA 3XDFN

    onsemi

    		 3,128 -
    RFQ
    		NTNS2K1P021ZTCG

    Datenblatt

         		- 3-XFDFN Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 127mA (Ta) 1.5V, 4.5V 5Ohm @ 100mA, 4.5V 1V @ 250µA - ±8V 12800 pF @ 15 V - 125mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 3-XDFN (0.42x0.62)
    AUIRLZ24NS

    AUIRLZ24NS

    AUTOMOTIVE HEXFET POWER MOSFET

    International Rectifier

    		 2,902 -
    RFQ
    		AUIRLZ24NS

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 18A (Tc) 4V, 10V 60mOhm @ 11A, 10V 2V @ 250µA 15 nC @ 5 V ±16V 480 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AO4405

    AO4405

    SOP-8 MOSFETS ROHS

    UMW

    		 2,758 -
    RFQ
    		AO4405

    Datenblatt

         		UMW 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6A (Ta) 4.5V, 10V 45mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 520 pF @ 15 V - 3.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    NTD4858NT4G

    NTD4858NT4G

    MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK

    UMW

    		 2,500 -
    RFQ
    		NTD4858NT4G

    Datenblatt

         		* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    15N10

    15N10

    100V 15A 50W 80MR@10V,10A 2.5V@2

    UMW

    		 1,904 -
    RFQ
    		15N10

    Datenblatt

         		UMW TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 15A (Tc) 4.5V, 10V 110mOhm @ 10A, 10V 3V @ 250µA 19.2 nC @ 10 V ±20V 632 pF @ 50 V - 55W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    NTP6N60

    NTP6N60

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    onsemi

    		 79,150 -
    RFQ
    		NTP6N60

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    ATP404-H-TL-H

    ATP404-H-TL-H

    MOSFET N-CH 60V 95A ATPAK

    onsemi

    		 2,925 -
    RFQ

    -

    		 - ATPAK (2 Leads+Tab) Tape & Reel (TR) Obsolete - - - 95A (Tj) - - - - - - - - 150°C (TJ) - - Surface Mount ATPAK
    FDS7096N3

    FDS7096N3

    MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    		 47,500 -
    RFQ
    		FDS7096N3

    Datenblatt

         		PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta) 4.5V, 10V 9mOhm @ 14A, 10V 3V @ 250µA 22 nC @ 5 V ±20V 1587 pF @ 15 V - 3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    RJK03K0DPA-00#J5A

    RJK03K0DPA-00#J5A

    N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 39,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDB6021P

    FDB6021P

    MOSFET P-CH 20V 28A TO263AB

    Fairchild Semiconductor

    		 21,255 -
    RFQ
    		FDB6021P

    Datenblatt

         		PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 28A (Ta) 1.8V, 4.5V 30mOhm @ 14A, 4.5V 1.5V @ 250µA 28 nC @ 4.5 V ±8V 1890 pF @ 10 V - 37W (Tc) -65°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    FSS134A-TL-E

    FSS134A-TL-E

    PCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    		 20,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IRF630

    IRF630

    MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB

    Harris Corporation

    		 11,535 -
    RFQ
    		IRF630

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9A (Tc) - 400mOhm @ 5.4A, 10V 4V @ 250µA 43 nC @ 10 V - 800 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-220AB
    RFD20N03SM9A

    RFD20N03SM9A

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    		 4,911 -
    RFQ
    		RFD20N03SM9A

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 20A (Tc) 10V 25mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 75 nC @ 20 V ±20V 1150 pF @ 25 V - 90W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    2SK3484-S16-AY

    2SK3484-S16-AY

    SMALL SIGNAL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 3,395 -
    RFQ
    		2SK3484-S16-AY

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    UPA1810GR-9JG-E2-A

    UPA1810GR-9JG-E2-A

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 3,000 -
    RFQ
    		UPA1810GR-9JG-E2-A

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    G400P06S

    G400P06S

    MOSFET, P-CH, 60V,6A,SOP-8

    Goford Semiconductor

    		 2,843 -
    RFQ
    		G400P06S

    Datenblatt

         		TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 6A (Tc) 10V 40mOhm @ 12A, 10V 3V @ 250µA 46 nC @ 10 V ±20V 2506 pF @ 30 V - 1.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    FK6K02010L

    FK6K02010L

    MOSFET N-CH 20V 4.5A WSMINI6

    Panasonic Electronic Components

    		 2,794 -
    RFQ
    		FK6K02010L

    Datenblatt

         		- 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.5A (Ta) 2.5V, 4V 17.5mOhm @ 2A, 4.5V 1.3V @ 1mA - ±10V 1730 pF @ 10 V - 700mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount WSMini6-F1-B
    BUZ111SLE3045A

    BUZ111SLE3045A

    MOSFET N-CH 50V 80A TO263

    Siemens

    		 2,000 -
    RFQ
    		BUZ111SLE3045A

    Datenblatt

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 80A - - - - - - - 300W 175°C - - Surface Mount TO-263
    BUZ111SL-E3045A

    BUZ111SL-E3045A

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Infineon Technologies

    		 1,830 -
    RFQ
    		BUZ111SL-E3045A

    Datenblatt

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 80A - - - - - - - 300W 175°C - - Surface Mount TO-263
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