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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    SI2308BDS-T1-BE3

    SI2308BDS-T1-BE3

    N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

    Vishay Siliconix

    		 2,515 -
    RFQ

    -

    		 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 1.9A (Ta), 2.3A (Tc) 4.5V, 10V 156mOhm @ 1.9A, 10V 3V @ 250µA 6.8 nC @ 10 V ±20V 190 pF @ 30 V - 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
    G140P04K

    G140P04K

    MOSFET P-CH 40V 45A 60W TO-252

    Goford Semiconductor

    		 2,500 -
    RFQ
    		G140P04K

    Datenblatt

         		TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 45A (Tc) 10V 12mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±20V 2261 pF @ 20 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    IRFR7440TR

    IRFR7440TR

    MOSFET N-CH 40V 90A DPAK

    UMW

    		 2,500 -
    RFQ
    		IRFR7440TR

    Datenblatt

         		* TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 90A (Tc) 6V, 10V 2.4mOhm @ 90A, 10V 3.9V @ 100µA - ±20V - - 140W (Tc) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    IRFL9014TR

    IRFL9014TR

    MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223

    UMW

    		 2,500 -
    RFQ
    		IRFL9014TR

    Datenblatt

         		* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDD4243

    FDD4243

    MOSFET P-CH 40V 6.7A/14A DPAK

    UMW

    		 2,500 -
    RFQ
    		FDD4243

    Datenblatt

         		* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPD050N03LGATMA1

    IPD050N03LGATMA1

    MOSFET N-CH 30V 50A DPAK

    UMW

    		 2,500 -
    RFQ
    		IPD050N03LGATMA1

    Datenblatt

         		* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IRFR1205TR

    IRFR1205TR

    MOSFET N-CH 55V 44A DPAK

    UMW

    		 2,500 -
    RFQ
    		IRFR1205TR

    Datenblatt

         		* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IRLR8726TR

    IRLR8726TR

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK

    UMW

    		 2,490 -
    RFQ
    		IRLR8726TR

    Datenblatt

         		* TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 86A (Tc) 4.5V, 10V 5.8mOhm @ 25A, 10V 2.35V @ 50µA - ±20V - - 75W (Tc) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    FDD5680

    FDD5680

    MOSFET N-CH 60V 8.5A DPAK

    UMW

    		 2,490 -
    RFQ
    		FDD5680

    Datenblatt

         		* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    2SK2624LS-CD11

    2SK2624LS-CD11

    N-CHANNEL SILICON MOSFET

    onsemi

    		 2,470 -
    RFQ
    		2SK2624LS-CD11

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    2N60L

    2N60L

    MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

    UMW

    		 2,455 -
    RFQ
    		2N60L

    Datenblatt

         		* TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2A (Tc) 10V 4.5Ohm @ 1A, 10V 4V @ 250µA - ±30V - - 44W (Tc) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    ISL9N308AS3ST

    ISL9N308AS3ST

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 2,400 -
    RFQ
    		ISL9N308AS3ST

    Datenblatt

         		UltraFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 75A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 75A, 10V 3V @ 250µA 68 nC @ 10 V ±20V 2600 pF @ 15 V - 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AB
    NTMS4816NR2G

    NTMS4816NR2G

    MOSFET N-CH 30V 6.8A 8SOIC

    UMW

    		 2,335 -
    RFQ
    		NTMS4816NR2G

    Datenblatt

         		* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    PMPB14R0EPX

    PMPB14R0EPX

    MOSFET P-CH 30V 9A DFN2020M-6

    Nexperia USA Inc.

    		 2,193 -
    RFQ
    		PMPB14R0EPX

    Datenblatt

         		TrenchMOS™ 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9A (Ta) - 16mOhm @ 8.5A, 10V 2V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±20V 227 pF @ 15 V - 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN2020MD-6
    G12P04K

    G12P04K

    P40V,RD(MAX)<35M@-10V,RD(MAX)<45

    Goford Semiconductor

    		 1,147 -
    RFQ
    		G12P04K

    Datenblatt

         		TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 12A (Tc) 4.5V, 10V 35mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V 1163 pF @ 20 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    SI2308BDS-T1-GE3

    SI2308BDS-T1-GE3

    MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

    Vishay Siliconix

    		 1,118 -
    RFQ

    -

    		 TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 2.3A (Tc) 4.5V, 10V 156mOhm @ 1.9A, 10V 3V @ 250µA 6.8 nC @ 10 V ±20V 190 pF @ 30 V - 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
    BUK7108-40AIE,118

    BUK7108-40AIE,118

    PFET, 75A I(D), 40V, 0.008OHM, 1

    NXP USA Inc.

    		 1,115 -
    RFQ
    		BUK7108-40AIE,118

    Datenblatt

         		TrenchMOS™ TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Tc) 10V 8mOhm @ 50A, 10V 4V @ 1mA 84 nC @ 10 V ±20V 3140 pF @ 25 V Current Sensing 221W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount SOT-426
    HUF75333P3

    HUF75333P3

    MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3

    Fairchild Semiconductor

    		 97,924 -
    RFQ
    		HUF75333P3

    Datenblatt

         		UltraFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 66A (Tc) 10V 16mOhm @ 66A, 10V 4V @ 250µA 85 nC @ 20 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    RF1K4915796

    RF1K4915796

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 25,000 -
    RFQ
    		RF1K4915796

    Datenblatt

         		- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6.3A (Ta) 4.5V, 10V 30mOhm @ 6.3A, 10V 3V @ 250µA 88 nC @ 20 V ±20V 1575 pF @ 25 V - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    HUF76129P3

    HUF76129P3

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    		 23,975 -
    RFQ
    		HUF76129P3

    Datenblatt

         		UltraFET™ TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 56A (Tc) 4.5V, 10V 16mOhm @ 56A, 10V 3V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±20V 1350 pF @ 25 V - 105W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
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