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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    IPP120N06S403AKSA1

    IPP120N06S403AKSA1

    MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 8,899 -
    RFQ
    		IPP120N06S403AKSA1

    Datenblatt

         		OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 10V 3.2mOhm @ 100A, 10V 4V @ 120µA 160 nC @ 10 V ±20V 13150 pF @ 25 V - 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    2SK2631-TL-E-ON

    2SK2631-TL-E-ON

    MOSFET

    onsemi

    		 16,100 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    STT5N2VH5

    STT5N2VH5

    MOSFET N-CH 20V SOT23-6

    STMicroelectronics

    		 11,726 -
    RFQ
    		STT5N2VH5

    Datenblatt

         		STripFET™ V SOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5A (Tj) 2.5V, 4.5V 30mOhm @ 2A, 4.5V 700mV @ 250µA (Min) 4.6 nC @ 4.5 V ±8V 367 pF @ 16 V - 1.6W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-6
    2SK2010-CTV-YA14

    2SK2010-CTV-YA14

    NCH 10V DRIVE SERIES

    onsemi

    		 10,850 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    AUIRLZ44ZL

    AUIRLZ44ZL

    MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB

    International Rectifier

    		 9,400 -
    RFQ
    		AUIRLZ44ZL

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 51A (Tc) - 13.5mOhm @ 31A, 10V 3V @ 250µA 36 nC @ 5 V ±16V 1620 pF @ 25 V - 80W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AB
    BUK7509-75A,127

    BUK7509-75A,127

    MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB

    NXP USA Inc.

    		 7,296 -
    RFQ

    -

    		 * - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    2SJ266-DL-E

    2SJ266-DL-E

    PCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    		 6,000 -
    RFQ
    		2SJ266-DL-E

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDU8874

    FDU8874

    MOSFET N-CH 30V 18A/116A IPAK

    Fairchild Semiconductor

    		 5,400 -
    RFQ
    		FDU8874

    Datenblatt

         		PowerTrench® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 18A (Ta), 116A (Tc) 4.5V, 10V 5.1mOhm @ 35A, 10V 2.5V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V 2990 pF @ 15 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    G200P04D3

    G200P04D3

    P-40V,-20A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-

    Goford Semiconductor

    		 5,000 -
    RFQ
    		G200P04D3

    Datenblatt

         		TrenchFET® 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 20A (Tc) 4.5V, 10V 16mOhm @ -5A, -10V 2.5V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±20V 2662 pF @ 20 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)
    G075P02D5

    G075P02D5

    MOSFET P-CH 20V 45A DFN5*6-8L

    Goford Semiconductor

    		 5,000 -
    RFQ
    		G075P02D5

    Datenblatt

         		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active - MOSFET (Metal Oxide) - 45A (Tc) 2.5V, 4.5V 7.5mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±12V 4775 pF @ 10 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)
    PH1730AL,115

    PH1730AL,115

    MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    		 2,766 -
    RFQ

    -

    		 TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100A (Tc) - 1.7mOhm @ 15A, 10V 2.15V @ 1mA 77.9 nC @ 10 V - 5057 pF @ 12 V - - - - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    BUK9504-40A,127

    BUK9504-40A,127

    MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

    NXP USA Inc.

    		 4,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    RF1K4915696

    RF1K4915696

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 2,500 -
    RFQ
    		RF1K4915696

    Datenblatt

         		- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6.3A (Ta) 5V 30mOhm @ 6.3A, 5V 2V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±10V 2030 pF @ 25 V - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    RTR025N03TL

    RTR025N03TL

    MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3

    Rohm Semiconductor

    		 2,470 -
    RFQ
    		RTR025N03TL

    Datenblatt

         		- SC-96 Tape & Reel (TR) Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 2.5A (Ta) 2.5V, 4.5V 92mOhm @ 2.5A, 4.5V 1.5V @ 1mA 4.6 nC @ 4.5 V 12V 220 pF @ 10 V - 1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT3
    HUF75333P3

    HUF75333P3

    MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3

    Harris Corporation

    		 2,197 -
    RFQ
    		HUF75333P3

    Datenblatt

         		UltraFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 66A (Tc) - 16mOhm @ 66A, 10V 4V @ 250µA 85 nC @ 20 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    2SJ195-TL-E

    2SJ195-TL-E

    PCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    		 2,100 -
    RFQ
    		2SJ195-TL-E

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPA126N10N3GXKSA1

    IPA126N10N3GXKSA1

    MOSFET N-CH 100V 35A TO220-FP

    Infineon Technologies

    		 9,131 -
    RFQ
    		IPA126N10N3GXKSA1

    Datenblatt

         		OptiMOS™ TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 35A (Tc) 6V, 10V 12.6mOhm @ 35A, 10V 3.5V @ 45µA 35 nC @ 10 V ±20V 2500 pF @ 50 V - 33W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220 Full Pack
    IRF9522

    IRF9522

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    		 1,768 -
    RFQ
    		IRF9522

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 5A (Tc) 10V 800mOhm @ 3.5A, 10V 4V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±20V 300 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    30N03A

    30N03A

    TO-252 MOSFETS ROHS

    UMW

    		 1,628 -
    RFQ
    		30N03A

    Datenblatt

         		UMW TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V 1963 pF @ 15 V - 105W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    FQPF9P25YDTU

    FQPF9P25YDTU

    MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3

    onsemi

    		 3,360 -
    RFQ
    		FQPF9P25YDTU

    Datenblatt

         		QFET® TO-220-3 Full Pack, Formed Leads Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 6A (Tc) 10V 620mOhm @ 3A, 10V 5V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±30V 1180 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
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