FETs, MOSFETs

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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FETs und MOSFETs

TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
BUK9510-100B,127

BUK9510-100B,127

MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB

NXP USA Inc.

5,087 -
RFQ
BUK9510-100B,127

Datenblatt

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FDD6770A

FDD6770A

24A, 25V, 0.004OHM, N-CHANNEL ,

Fairchild Semiconductor

4,705 -
RFQ
FDD6770A

Datenblatt

PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 24A (Ta), 50A (Tc) 4.5V, 10V 4mOhm @ 24A, 10V 3V @ 250µA 47 nC @ 10 V ±20V 2405 pF @ 13 V - 3.7W (Ta), 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
BUK7515-100A,127

BUK7515-100A,127

MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB

NXP USA Inc.

4,668 -
RFQ

-

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NVMFS5C450NLT1G

NVMFS5C450NLT1G

MOSFET N-CH 40V 5DFN

onsemi

8,265 -
RFQ
NVMFS5C450NLT1G

Datenblatt

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 110A (Tc) 4.5V, 10V 2.8mOhm @ 40A, 10V 2V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 20 V - 3.7W (Ta), 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
MTP9N25E

MTP9N25E

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

4,398 -
RFQ
MTP9N25E

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRF6892STRPBF

IRF6892STRPBF

25V 999A DIRECTFET-LV

International Rectifier

3,790 -
RFQ
IRF6892STRPBF

Datenblatt

HEXFET® DirectFET™ Isometric S3C Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 28A (Ta), 125A (Tc) 4.5V, 10V 1.7mOhm @ 28A, 10V 2.1V @ 50µA 25 nC @ 4.5 V ±16V 2510 pF @ 13 V - 2.1W (Ta), 42W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ S3C
IRF60B217

IRF60B217

TRENCH 40<-<100V

International Rectifier

3,490 -
RFQ
IRF60B217

Datenblatt

HEXFET® TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 60A (Tc) 6V, 10V 9mOhm @ 36A, 10V 3.7V @ 50µA 66 nC @ 10 V ±20V 2230 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
IRF7416TR

IRF7416TR

MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC

UMW

3,000 -
RFQ
IRF7416TR

Datenblatt

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRF7469TR

IRF7469TR

MOSFET N-CH 40V 9A 8SOIC

UMW

3,000 -
RFQ
IRF7469TR

Datenblatt

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FDPF7N50F

FDPF7N50F

MOSFET N-CH 500V 6A TO220F

Fairchild Semiconductor

2,875 -
RFQ
FDPF7N50F

Datenblatt

UniFET™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 6A (Tc) 10V 1.15Ohm @ 3A, 10V 5V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±30V 960 pF @ 25 V - 38.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
RFD14N05LSM

RFD14N05LSM

MOSFET N-CH 50V 14A DPAK

UMW

2,500 -
RFQ
RFD14N05LSM

Datenblatt

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FDD1600N10ALZ

FDD1600N10ALZ

MOSFET N-CH 100V 6.8A DPAK

UMW

2,500 -
RFQ
FDD1600N10ALZ

Datenblatt

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FDD8870

FDD8870

MOSFET N-CH 30V 160A DPAK

UMW

2,500 -
RFQ
FDD8870

Datenblatt

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FQD13N06LTM

FQD13N06LTM

MOSFET N-CH 60V 11A DPAK

UMW

2,500 -
RFQ
FQD13N06LTM

Datenblatt

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FDD068AN03L

FDD068AN03L

MOSFET N-CH 30V 35A DPAK

UMW

2,500 -
RFQ
FDD068AN03L

Datenblatt

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FDD4141

FDD4141

MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK

UMW

2,500 -
RFQ
FDD4141

Datenblatt

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FDD6676AS

FDD6676AS

MOSFET N-CH 30V 90A DPAK

UMW

2,500 -
RFQ
FDD6676AS

Datenblatt

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FDD6670A

FDD6670A

MOSFET N-CH 30V 66A DPAK

UMW

2,500 -
RFQ
FDD6670A

Datenblatt

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RFD16N05LSM9A

RFD16N05LSM9A

MOSFET N-CH 50V 16A DPAK

UMW

2,500 -
RFQ
RFD16N05LSM9A

Datenblatt

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NTD4805NT4G

NTD4805NT4G

MOSFET N-CH 30V 12.7A/95A DPAK

UMW

2,500 -
RFQ
NTD4805NT4G

Datenblatt

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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