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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    G50N03J

    G50N03J

    N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@

    Goford Semiconductor

    		 3,296 -
    RFQ
    		G50N03J

    Datenblatt

         		TrenchFET® TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 65A (Tc) 4.5V, 10V 7mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 16.6 nC @ 10 V ±20V 1255 pF @ 15 V - 48W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-251
    UPA2451TL-E1-A

    UPA2451TL-E1-A

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 3,000 -
    RFQ
    		UPA2451TL-E1-A

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDS4435BZ

    FDS4435BZ

    MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC

    UMW

    		 2,985 -
    RFQ
    		FDS4435BZ

    Datenblatt

         		* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPS80R600P7AKMA1

    IPS80R600P7AKMA1

    MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3

    Infineon Technologies

    		 6,839 -
    RFQ
    		IPS80R600P7AKMA1

    Datenblatt

         		CoolMOS™ P7 TO-251-3 Stub Leads, IPAK Bulk Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 8A (Tc) 10V 600mOhm @ 3.4A, 10V 3.5V @ 170µA 20 nC @ 10 V ±20V 570 pF @ 500 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3-342
    G12P06K

    G12P06K

    P-60V,-12A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-

    Goford Semiconductor

    		 2,500 -
    RFQ
    		G12P06K

    Datenblatt

         		TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 12A (Tc) 4.5V, 10V 70mOhm @ 6A, 10V 3V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V 1322 pF @ 30 V - 27W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    G36N03K

    G36N03K

    N30V,36A,RD<8.5M@10V,VTH1.0V~2.2

    Goford Semiconductor

    		 2,486 -
    RFQ
    		G36N03K

    Datenblatt

         		TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 36A (Tc) 4.5V, 10V 8.5mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 1040 pF @ 15 V - 31W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    BUK7608-40B,118

    BUK7608-40B,118

    MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

    NXP USA Inc.

    		 1,732 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    CSD23201W10

    CSD23201W10

    MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

    Texas Instruments

    		 8,268 -
    RFQ
    		CSD23201W10

    Datenblatt

         		NexFET™ 4-UFBGA, DSBGA Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 2.2A (Tc) 1.5V, 4.5V 82mOhm @ 500mA, 4.5V 1V @ 250µA 2.4 nC @ 4.5 V -6V 325 pF @ 6 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
    SI4463DY

    SI4463DY

    P-CHANNEL MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 187,340 -
    RFQ
    		SI4463DY

    Datenblatt

         		PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 11.5A (Ta) 2.5V, 4.5V 12mOhm @ 11.5A, 4.5V 1.5V @ 250µA 60 nC @ 4.5 V ±12V 4481 pF @ 10 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    FCPF380N60-F152

    FCPF380N60-F152

    MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3

    onsemi

    		 2,823 -
    RFQ
    		FCPF380N60-F152

    Datenblatt

         		SuperFET® II TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10.2A (Tc) 10V 380mOhm @ 5A, 10V 3.5V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±20V 1665 pF @ 25 V - 31W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    FSS132-TL-E

    FSS132-TL-E

    PCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    		 40,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPP45N06S409AKSA2

    IPP45N06S409AKSA2

    MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 3,311 -
    RFQ
    		IPP45N06S409AKSA2

    Datenblatt

         		OptiMOS™ T2 TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 45A (Tc) 10V 9.4mOhm @ 45A, 10V 4V @ 34µA 47 nC @ 10 V ±20V 3785 pF @ 25 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO220-3-1
    IPP80N06S2L06AKSA1

    IPP80N06S2L06AKSA1

    MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 6,088 -
    RFQ
    		IPP80N06S2L06AKSA1

    Datenblatt

         		OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 6.3mOhm @ 69A, 10V 2V @ 180µA 150 nC @ 10 V ±20V 3800 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    NTP35N15

    NTP35N15

    MOSFET N-CHAN 37A 150V TO-220AB

    onsemi

    		 17,597 -
    RFQ
    		NTP35N15

    Datenblatt

         		- - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FSS133-TL-E

    FSS133-TL-E

    MOSFET P-CH

    Sanyo

    		 17,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    HUFA75321S3ST

    HUFA75321S3ST

    MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK

    Fairchild Semiconductor

    		 16,000 -
    RFQ
    		HUFA75321S3ST

    Datenblatt

         		UltraFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 35A (Tc) 10V 34mOhm @ 35A, 10V 4V @ 250µA 44 nC @ 20 V ±20V 680 pF @ 25 V - 93W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    AUIRF9Z34N

    AUIRF9Z34N

    AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL

    International Rectifier

    		 11,256 -
    RFQ
    		AUIRF9Z34N

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-220-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 19A (Tc) 10V 100mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 620 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AB
    HUFA75337S3ST

    HUFA75337S3ST

    MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

    Fairchild Semiconductor

    		 10,729 -
    RFQ
    		HUFA75337S3ST

    Datenblatt

         		UltraFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 14mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 109 nC @ 20 V ±20V 1775 pF @ 25 V - 175W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IPP80N06S207AKSA1

    IPP80N06S207AKSA1

    MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 2,505 -
    RFQ
    		IPP80N06S207AKSA1

    Datenblatt

         		OptiMOS™ TO-220-3 Bulk Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 6.6mOhm @ 68A, 10V 4V @ 180µA 110 nC @ 10 V ±20V 3400 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    2SJ634-S-TL-E

    2SJ634-S-TL-E

    PCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    		 7,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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