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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    UPA1728G(0)-E1-AY

    UPA1728G(0)-E1-AY

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 5,000 -
    RFQ
    		UPA1728G(0)-E1-AY

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPI70N04S406AKSA1

    IPI70N04S406AKSA1

    MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3

    Infineon Technologies

    		 5,539 -
    RFQ
    		IPI70N04S406AKSA1

    Datenblatt

         		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 70A (Tc) 10V 6.5mOhm @ 70A, 10V 4V @ 26µA 32 nC @ 10 V ±20V 2550 pF @ 25 V - 58W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
    2SJ664-E

    2SJ664-E

    MOSFET P-CH

    onsemi

    		 4,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    HUFA75329D3

    HUFA75329D3

    MOSFET N-CH 55V 20A IPAK

    Fairchild Semiconductor

    		 3,600 -
    RFQ
    		HUFA75329D3

    Datenblatt

         		UltraFET™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 20A (Tc) 10V 26mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 65 nC @ 20 V ±20V 1060 pF @ 25 V - 128W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    FQI16N25CTU

    FQI16N25CTU

    MOSFET N-CH 250V 15.6A I2PAK

    Fairchild Semiconductor

    		 3,589 -
    RFQ
    		FQI16N25CTU

    Datenblatt

         		QFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 15.6A (Tc) 10V 270mOhm @ 7.8A, 10V 4V @ 250µA 53.5 nC @ 10 V ±30V 1080 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 139W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
    BUZ31HXKSA1

    BUZ31HXKSA1

    MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 5,993 -
    RFQ
    		BUZ31HXKSA1

    Datenblatt

         		SIPMOS® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 14.5A (Tc) 5V 200mOhm @ 9A, 5V 4V @ 1mA - ±20V 1120 pF @ 25 V - 95W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    FDZ7296

    FDZ7296

    MOSFET N-CH 30V 11A 18BGA

    Fairchild Semiconductor

    		 3,302 -
    RFQ
    		FDZ7296

    Datenblatt

         		PowerTrench® 18-WFBGA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) 4.5V, 10V 8.5mOhm @ 11A, 10V 3V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±20V 1520 pF @ 15 V - 2.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 18-BGA (2.5x4)
    HUF76423S3ST

    HUF76423S3ST

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 3,200 -
    RFQ
    		HUF76423S3ST

    Datenblatt

         		UltraFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 35A (Tc) 4.5V, 10V 30mOhm @ 35A, 10V 3V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±16V 1060 pF @ 25 V - 85W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AB
    NTD5N50-001

    NTD5N50-001

    NFET DPAK 500V 1.8R

    onsemi

    		 3,150 -
    RFQ
    		NTD5N50-001

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTLTS3107PR2G

    NTLTS3107PR2G

    MOSFET P-CHAN 8.3A 20V MICRO8

    onsemi

    		 3,000 -
    RFQ
    		NTLTS3107PR2G

    Datenblatt

         		- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    UPA1807GR-9JG-E1-A

    UPA1807GR-9JG-E1-A

    MOSFET N-CH 30V 12A 8TSSOP

    Renesas Electronics Corporation

    		 3,000 -
    RFQ
    		UPA1807GR-9JG-E1-A

    Datenblatt

         		- 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 12A (Ta) - 10mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 1mA 19 nC @ 10 V - 1000 pF @ 10 V - - - - - Surface Mount 8-TSSOP
    RJK03K1DPA-00#J5A

    RJK03K1DPA-00#J5A

    N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 3,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    BUK964R2-55B/C

    BUK964R2-55B/C

    N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL

    NXP USA Inc.

    		 2,824 -
    RFQ
    		BUK964R2-55B/C

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FQPF44N08T

    FQPF44N08T

    MOSFET N-CH 80V 25A TO-220F

    Fairchild Semiconductor

    		 2,667 -
    RFQ
    		FQPF44N08T

    Datenblatt

         		QFET® TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 25A (Tc) 10V 34mOhm @ 12.5A, 10V 4V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±25V 1430 pF @ 25 V - 41W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
    IRFR024

    IRFR024

    MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

    EVVO

    		 2,453 -
    RFQ
    		IRFR024

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 5.6A (Ta), 30A (Tc) 4.5V, 10V 26mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 12.6 nC @ 4.5 V ±20V 1378 pF @ 15 V - 2W (Ta), 34.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252-2L
    BUK663R5-55C,118

    BUK663R5-55C,118

    MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK

    NXP USA Inc.

    		 1,573 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    AM4417P-CT

    AM4417P-CT

    MOSFET P-CH -60V 11.1A SOIC-8

    Analog Power Inc.

    		 1,557 -
    RFQ
    		AM4417P-CT

    Datenblatt

         		- SOIC-8 Strip Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 11.1A (Ta) 4.5V, 10V 23mOhm @ 7.2A, 4.5V 1V @ 250µA 90 nC @ 4.5 V ±20V 9258 pF @ 15 V - 3.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOIC-8
    BSP318SL6327HTSA1

    BSP318SL6327HTSA1

    MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4

    Infineon Technologies

    		 3,348 -
    RFQ
    		BSP318SL6327HTSA1

    Datenblatt

         		SIPMOS® TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 2.6A (Ta) 4.5V, 10V 90mOhm @ 2.6A, 10V 2V @ 20µA 20 nC @ 10 V ±20V 380 pF @ 25 V - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT223-4-21
    2SK3615-TL-E

    2SK3615-TL-E

    N-CHANNEL SILICON MOSFET

    onsemi

    		 135,800 -
    RFQ
    		2SK3615-TL-E

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    AUIRLZ24NSTRL

    AUIRLZ24NSTRL

    AUTOMOTIVE HEXFET POWER MOSFET

    International Rectifier

    		 82,400 -
    RFQ
    		AUIRLZ24NSTRL

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 18A (Tc) 4V, 10V 60mOhm @ 11A, 10V 2V @ 250µA 15 nC @ 5 V ±16V 480 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
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