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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    RJK0358DSP-01#J0

    RJK0358DSP-01#J0

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 187,500 -
    RFQ
    		RJK0358DSP-01#J0

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    MTP5P25

    MTP5P25

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    onsemi

    		 75,900 -
    RFQ
    		MTP5P25

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTTFS4945NTAG

    NTTFS4945NTAG

    MOSFET N-CH 30V 7.1A/34A 8WDFN

    onsemi

    		 4,879 -
    RFQ
    		NTTFS4945NTAG

    Datenblatt

         		- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7.1A (Ta), 34A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 17.3 nC @ 10 V ±20V 1194 pF @ 15 V - 890mW (Ta), 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    RJK03J3DPA-00#J5A

    RJK03J3DPA-00#J5A

    N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 27,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    2SJ485-E

    2SJ485-E

    PCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    		 18,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    HUF76129D3S

    HUF76129D3S

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 17,523 -
    RFQ
    		HUF76129D3S

    Datenblatt

         		UltraFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 20A (Tc) 4.5V, 10V 16mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 46 nC @ 10 V ±20V 1425 pF @ 25 V - 105W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    2SK1959-T1-AZ

    2SK1959-T1-AZ

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 16,377 -
    RFQ
    		2SK1959-T1-AZ

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IRF830B

    IRF830B

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 9,803 -
    RFQ
    		IRF830B

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 4.5A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 2.25A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±30V 1050 pF @ 25 V - 73W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    HAT2054M-EL-E

    HAT2054M-EL-E

    MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP

    Renesas Electronics Corporation

    		 8,893 -
    RFQ
    		HAT2054M-EL-E

    Datenblatt

         		- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6.3A (Ta) - 31mOhm @ 3A, 10V 2.5V @ 1mA - ±20V 620 pF @ 10 V - 1.05W (Ta) 150°C - - Surface Mount 6-TSOP
    NTLJS3D9N03CTAG

    NTLJS3D9N03CTAG

    MOSFET N-CH 30V 10.3A 6PQFN

    onsemi

    		 9,451 -
    RFQ
    		NTLJS3D9N03CTAG

    Datenblatt

         		- 6-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10.3A (Ta) 1.8V, 4.5V 4.9mOhm @ 10A, 4.5V 1.1V @ 250µA 14.7 nC @ 4.5 V ±12V 1565 pF @ 15 V - 860mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-PQFN (2x2)
    BFL4037-S

    BFL4037-S

    NCH 10V DRIVE SERIES

    onsemi

    		 8,269 -
    RFQ
    		BFL4037-S

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    PJT7413_S1_00001

    PJT7413_S1_00001

    20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    		 7,870 -
    RFQ
    		PJT7413_S1_00001

    Datenblatt

         		- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.5A (Ta) 1.5V, 4.5V 85mOhm @ 2.5A, 4.5V 1.2V @ 250µA 7 nC @ 4.5 V ±12V 522 pF @ 10 V - 750mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-363
    BUZ32HXKSA1

    BUZ32HXKSA1

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Infineon Technologies

    		 7,393 -
    RFQ
    		BUZ32HXKSA1

    Datenblatt

         		SIPMOS® TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9.5A (Tc) 10V 400mOhm @ 6A, 10V 4V @ 1mA - ±20V 530 pF @ 25 V - 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    FDD3570

    FDD3570

    MOSFET N-CH 80V 10A TO252

    Fairchild Semiconductor

    		 5,144 -
    RFQ
    		FDD3570

    Datenblatt

         		PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 10A (Ta) 6V, 10V 20mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 76 nC @ 10 V ±20V 2800 pF @ 40 V - 3.4W (Ta), 69W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    UPA2709AGR-E1-AT

    UPA2709AGR-E1-AT

    MOSFET N-CH 30V 13A 8PSOP

    Renesas Electronics Corporation

    		 5,000 -
    RFQ
    		UPA2709AGR-E1-AT

    Datenblatt

         		- 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta) - 10.5mOhm @ 7A, 10V 2.5V @ 1mA 11 nC @ 5 V - 1270 pF @ 10 V - - - - - Surface Mount 8-PSOP
    IPB05N03LA

    IPB05N03LA

    MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

    Infineon Technologies

    		 6,620 -
    RFQ
    		IPB05N03LA

    Datenblatt

         		OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 4.6mOhm @ 55A, 10V 2V @ 50µA 25 nC @ 5 V ±20V 3110 pF @ 15 V - 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    SI2301BDS-T1-BE3

    SI2301BDS-T1-BE3

    P-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET

    Vishay Siliconix

    		 3,800 -
    RFQ
    		SI2301BDS-T1-BE3

    Datenblatt

         		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.2A (Ta) 2.5V, 4.5V 100mOhm @ 2.8A, 4.5V 950mV @ 250µA 10 nC @ 4.5 V ±8V 375 pF @ 6 V - 700mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
    SI2301BDS-T1-E3

    SI2301BDS-T1-E3

    MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3

    Vishay Siliconix

    		 3,000 -
    RFQ
    		SI2301BDS-T1-E3

    Datenblatt

         		TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Last Time Buy P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.2A (Ta) 2.5V, 4.5V 100mOhm @ 2.8A, 4.5V 950mV @ 250µA 10 nC @ 4.5 V ±8V 375 pF @ 6 V - 700mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
    UPA1809GR-9JG-E2-A

    UPA1809GR-9JG-E2-A

    MOSFET N-CH 30V 8A 8TSSOP

    Renesas Electronics Corporation

    		 3,000 -
    RFQ
    		UPA1809GR-9JG-E2-A

    Datenblatt

         		- 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8A (Ta) - 21mOhm @ 4A, 10V 2.5V @ 1mA 10 nC @ 10 V - 520 pF @ 10 V - - - - - Surface Mount 8-TSSOP
    PJS6407_S1_00001

    PJS6407_S1_00001

    30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    		 3,000 -
    RFQ
    		PJS6407_S1_00001

    Datenblatt

         		- SOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.9A (Ta) 4.5V, 10V 64mOhm @ 4.9A, 10V 2.1V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 528 pF @ 15 V - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-6
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